带防污层的光学薄膜
    63.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115916528A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202180046973.7

    申请日:2021-07-13

    Abstract: 本发明的带防污层的光学薄膜(F)朝着厚度方向(T)依次具备透明基材(10)和防污层(30)。防污层(30)的与透明基材(10)相反的表面(31)侧的、通过利用X射线光电子能谱法进行的元素分析而检测到的F相对于Si的比率在分析深度为1nm时为20以上。

    带防污层的光学薄膜
    65.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115803194A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202180049523.3

    申请日:2021-07-13

    Abstract: 本发明的光学薄膜(F)是一种带防污层的光学薄膜,其依次具备透明基材(10)、光学功能层(20)和防污层(30)。防污层(30)的与光学功能层(20)相反一侧的外表面(31)具有110°以上的水接触角。

    带防污层的光学薄膜
    66.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115803187A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202180049370.2

    申请日:2021-07-13

    Abstract: 本发明的带防污层的光学薄膜(F)依次具备透明基材(11)、硬涂层(12)、无机氧化物基底层(13)和防污层(14)。防污层(14)是配置在无机氧化物基底层(13)上的干法涂布膜。防污层(14)的与无机氧化物基底层(13)相反一侧的表面(14a)的通过纳米压痕法而测得的25℃下的硬度(GPa)与弹性恢复率之积为0.8以上。

    光学薄膜的制造方法和光学薄膜制造装置

    公开(公告)号:CN114318282A

    公开(公告)日:2022-04-12

    申请号:CN202111093101.4

    申请日:2021-09-17

    Abstract: 本发明提供适合于在卷对卷方式的工艺中确保配置于比等离子体处理室靠下游的位置的成膜室的稳定的低压状态的光学薄膜的制造方法和光学薄膜制造装置。本发明的制造方法是一边以卷对卷方式输送工件薄膜一边制造光学薄膜的方法,包含等离子体处理室中的工序和成膜室(第2成膜室)中的工序。等离子体处理室具有在输送方向上配置于比室内的等离子体源靠上游的位置的第1排气口。在等离子体处理工序中,经由第1排气口对等离子体处理室进行排气,并对工件薄膜进行等离子体处理。在成膜工序中,在经由成膜室的第2排气口对成膜室进行排气从而将成膜室内维持在比等离子体处理室内的压力低的压力的同时,利用干式覆膜法在工件薄膜上进行成膜。

    电磁波透过性金属光泽物品、及装饰构件

    公开(公告)号:CN112020422A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN201980028034.2

    申请日:2019-04-22

    Abstract: 本发明涉及电磁波透过性金属光泽物品(1)以及装饰构件,所述电磁波透过性金属光泽物品(1)具备:基体(10)、在前述基体(10)上形成的金属层(12)、和光学调整层(13),前述金属层(12)包含多个部分(12a),所述多个部分(12a)中,至少一部分处于彼此不连续的状态,前述光学调整层(13)包含至少1层折射率为1.75以上的高折射率层,所述装饰构件具备被粘构件和电磁波透过性金属光泽物品,前述电磁波透过性金属光泽物品借助由透明粘合剂形成的粘合剂层贴附于前述被粘构件。

    电磁波透过性金属光泽物品
    70.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112004666A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN201980027688.3

    申请日:2019-04-22

    Abstract: 本发明涉及电磁波透过性金属光泽物品(1),其具备:基体(10)、和在前述基体(10)上形成的金属层(12),所述电磁波透过性金属光泽物品(1)的20°光泽度为900以上,前述金属层(12)包含多个部分(12a),所述多个部分(12a)中,至少一部分彼此处于不连续的状态,前述多个部分(12a)的平均粒径为30nm以上且不足100nm。本发明的又一方式涉及电磁波透过性金属光泽物品(1),其具备:基体(10)、和在前述基体(10)上形成的金属层(12),前述金属层(12)包含多个部分(12a),所述多个部分(12a)中,至少一部分彼此处于不连续的状态,前述基体(10)的基于前述金属层(12)的覆盖率为75%以上且不足100%,前述多个部分(12a)的平均粒径为30nm以上且不足100nm。

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