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公开(公告)号：CN207690062U
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201721838695.6
申请日：2017-12-25
Applicant: 成都信息工程大学 , 四川海创天芯科技有限公司 , 四川悠服科技有限公司
Abstract: 本实用新型涉及存储技术领域，本实用新型提供一种高可靠性固态硬盘，包括:前端主机通讯接口、固态硬盘控制器及NAND Flash存储介质芯片，所述前端主机通讯接口与固态硬盘控制器相连，所述固态硬盘控制器，与主机通讯接口相连，还与两个以上通道的NAND Flash存储芯片相连，用于控制整个固态硬盘盘片的数据传输、命令传输及对盘片的读取、编程、擦除业务操作的控制。借此，本实用新型针对固态硬盘在一些特殊的应用场景如环境温度高达至40℃～100℃，避免了高温条件下固态硬盘进入异常模式，防止过高温度导致固态硬盘烧坏，造成数据丢失。本实用新型在固态硬盘控制器中嵌入高温保护电路，增强了固态硬盘的可靠性，解决了固态硬盘在高温下的应用技术难点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207611609U
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201820057620.2
申请日：2018-01-12
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 提供了一种存储器电路，包括一种嵌入ECC的MLC NAND Flash存储器电路，在MLC NAND Flash存储器中嵌入ECC编解码电路。对MLC NAND Flash存储器编程操作时，编程的数据通过ECC编码器编码后将数据传送至MLC NAND Flash存储器阵列单元中；对MLC NAND Flsah存储器读取操作时，从MLC NAND Flash存储器的阵列单元读出的数据经过ECC解码器译码后读出至I/O口。MLC NAND Flash存储器中内嵌ECC模块，具备一定的纠正读写数据出错的能力，从而很大程度上解决了MLC NAND Flash存储器编程和读取操作中数据易出错的问题，降低了外部NAND Flash存储控制器的设计复杂度，提高了MLC NAND Flash存储器芯片的可靠性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207611109U
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201721752614.0
申请日：2017-12-15
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 本实用新型提供了一种用于感性设备的检测和保护电路。所述电路包括恒流源子电路、标准电流对比子电路、负载电流检测电路、标准电流检测电路、故障判断电路、声光报警子电路、电力切换子电路。本实用新型主要用于纯感性负载设备的电力供应前检测，能够及时检测出设备的漏电、短路情况，即刻发出声光报警并且不会为设备提供电力供应，直到故障排除后再次进行检测，检测通过后才可以启动设备，可以很好的保护设备，避免由于疏忽导致的漏电、短路情况出现，保护人员及设备安全。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207882791U
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201820191341.5
申请日：2018-02-05
Applicant: 成都信息工程大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 公开了一种无运放高阶低温漂带隙基准电路，包括启动电路、偏置电路、正温度系数电路、负温度系数电路、正温度系数补偿电路、负温度系数补偿电路，该无运放高阶低温漂带隙基准电路采用无运放电路结构，采用BJT电流镜提高了输出基准电压的电源抑制比(PSRR)。本实用新型提供的电路具有12V～36V的宽电压输入、0～7V的可调宽输出电压、在-75℃～125℃的温度范围内产生温度系数为5ppm/℃的基准电压，功耗极低35mW和高阶温度补偿的特征。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207410304U
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201720384278.2
申请日：2017-12-26
Applicant: 成都信息工程大学
Abstract: 公开了一种用于放大电路的监测电路，包括第六电阻、第七电阻、第一电流源、第一比较器、第二比较器、第十电阻和第十一电阻。该监测电路监测电路可以用于监测放大器输入、输出信号的动态变化，放大器正、负电源的动态变化以及信号与电源之间逼近情况。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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