一种调控n型SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的方法

    公开(公告)号:CN103352253A

    公开(公告)日:2013-10-16

    申请号:CN201310027870.3

    申请日:2013-01-15

    Abstract: 一种调控n型SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的方法,其包括以下具体步骤:(1)将C纸浸泡在一定浓度的催化剂无水乙醇溶液中,自然晾干备用;(2)将液态有机前驱体聚硅氮烷置于石墨坩埚中,然后将步骤1)引入了催化剂的C纸置于石墨坩埚顶部,在气氛烧结炉中于5%N2和95%Ar气(体积比)的混合保护气氛下热解一定时间;(3)通过控制热解温度,实现N原子在催化剂液滴中溶解度的控制,进而实现n型SiC单晶低维纳米材料N掺杂浓度的调控。本发明可以实现n型SiC单晶低维纳米材料均匀掺杂及其掺杂浓度的调控和设计,在光电纳米器件具有潜在的应用前景。

    一种高纯度石墨/碳化硅复合介孔纤维材料的制备方法

    公开(公告)号:CN103120946A

    公开(公告)日:2013-05-29

    申请号:CN201210543890.1

    申请日:2012-12-06

    Abstract: 一种石墨/碳化硅复合介孔纤维材料的制备方法,其包括以下具体步骤:(1)前驱体微乳液配置:将聚硅氮烷(PSN)、聚乙烯(PVP)、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、石蜡油按一定比例溶解于无水乙醇中,室温下搅拌混合形成微乳液;(2)有机前驱体纤维制备:将微乳液在高压下进行静电纺丝,所获得的有机前驱体纤维置于恒温烘干箱内,在空气气氛下于200℃保温2小时获得有固态机前驱体纤维;(3)高温热解:将固体有机前驱体纤维置于气氛炉中进行高温热解,在一定热解温度于保护气氛下热解一定时间即可获得具有介孔结构的石墨/SiC复合纤维材料。本发明能够实现高纯度石墨/SiC复合介孔纤维材料的制备及其在尺寸、结构和化学成份上的调控,为其后续用作高效光催化剂和催化剂载体奠定一定基础。

    一种制备纳米/纳米型Si3N4/SiC纳米复相陶瓷的方法

    公开(公告)号:CN101265106A

    公开(公告)日:2008-09-17

    申请号:CN200810086327.X

    申请日:2008-03-24

    Abstract: 本发明提出了一种新的制备纳米/纳米型Si3N4/SiC纳米复相陶瓷的方法。其包括以下具体步骤:(1)低温交联固化:有机前驱体在保护气氛下于进行低温交联固化,得到非晶态固体;(2)球磨粉碎:将非晶态固体在球磨机中进行球磨粉碎;(3)高温热解:球磨后的混合物在保护气氛下进行高温热解得到SiCN粉末。(4)球磨粉碎:将SiCN粉末进一步球磨粉碎,同时引入烧结助剂;(5)放电等离子体烧结(SPS):高能球磨后的混合物进行SPS快速烧结,得到纳米/纳米型Si3N4/SiC纳米复相陶瓷。与现有技术相比,本发明可以克服传统粉末工艺上带来的一些问题,同时可通过有机前驱体在原子尺度的设计,以改变产物组分、结构和性质满足不同材料的性能要求。

    CsPb0.922Sn0.078I3钙钛矿纳米带及可控合成该纳米带的方法

    公开(公告)号:CN108585031B

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN201810461409.1

    申请日:2018-05-15

    Abstract: 本发明涉及CsPb0.922Sn0.078I3钙钛矿纳米带及其可控的合成方法,属于纳米材料制备技术领域。所述的纳米带尺寸可调,平均长度为1‑20μm。其制备方法:将Cs2CO3、PbI2、SnI2、油酸、油胺及十八烯置于内衬中;将内衬置于不锈钢高压釜中进行预溶解;将高压釜温度升至120‑220℃,磁力搅拌下保温20min‑150min,然后取出高压釜,置于搅拌器上,搅拌下空冷至室温,获得纳米带原液;进行离心清洗,并分散在己烷或甲苯中即合成CsPb0.922Sn0.078I3钙钛矿纳米带。通过调控反应温度和时间,有效实现CsPb0.922Sn0.078I3钙钛矿纳米带尺寸的精细调控。

    CdS/SiC中空介孔纳米纤维
    66.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109797458B

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN201811419972.9

    申请日:2018-11-26

    Abstract: 本发明涉及一种半导体光电材料,具体涉及一种CdS/SiC中空介孔纳米纤维,属于纳米技术领域。CdS/SiC中空介孔纳米纤维,纳米纤维主要组成元素为Cd、S、Si和C,其中Si、C元素在纳米纤维中的主要表现形式为SiC构成支撑体,Cd、S元素主要表现形式为SiC的修饰体,CdS占纳米纤维总质量的4‑16%。本发明的CdS/SiC全介孔中空纳米纤维具有高效且稳定的可见光催化活性,制备该纳米纤维的方法简单可控,具有很好的重复性。

    一种金属元素掺杂ZnO纳米材料在发光二极管中的应用

    公开(公告)号:CN106410051B

    公开(公告)日:2018-11-27

    申请号:CN201610620473.0

    申请日:2016-07-29

    Abstract: 本发明提供一种金属元素掺杂ZnO纳米材料在发光二极管中的应用,所述金属元素掺杂ZnO纳米材料为Ga掺杂ZnO纳米材料,其中元素Ga、Zn的摩尔比为1~12∶100,本方法采用一种金属离子掺杂修饰的ZnO纳米材料作为QD‑LD的电子传输材料,可以有效降低量子点中激子的分离,提高QD‑LED器件的工作效率。本发明制备QD‑LED器件采用掺杂ZnO纳米墨水一步法制备电子传输材料,极大的减少了器件制备的工艺步骤。

    氮化硅纳米带高灵敏压力传感器

    公开(公告)号:CN104776945B

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201410501512.6

    申请日:2014-09-27

    Abstract: 一种Si3N4纳米带高灵敏压力传感器的制备方法,其包括以下具体步骤:(1)将原料聚硅氮烷和异丙醇铝两种有机前驱体,按重量比95:5比例,置于球磨罐中行星球磨;将混合和反应均匀的有机前驱体在N2保护气氛下于进行低温交联固化,得到非晶态固体,引入3wt%Al金属粉末用作催化剂,高能球磨磨粉碎;将高能球磨得到的粉体,在N2保护气氛下于1550℃保温2小时进行高温热解,制备Si3N4单晶纳米带。(2)将Si3N4纳米带超声分散在乙醇中,然后滴洒在高定向石墨片上。在原子力显微镜导电模式下构建Si3N4纳米带压力传感器,通过探针施加不同压力,实现不同压力下的电信号检测。与已有报道的工作相比,本发明所制备的Si3N4压力传感器能够实现nN量级力的反馈和探测,具有更高灵敏度。

    一种B掺杂SiC纳米线的制备方法

    公开(公告)号:CN106219548B

    公开(公告)日:2017-11-17

    申请号:CN201610564364.1

    申请日:2016-07-15

    Abstract: 本发明涉及一种SiC纳米线的制备方法,尤其涉及一种B掺杂SiC纳米线的制备方法,属于材料制备技术领域。一种B掺杂SiC纳米线的制备方法,所述的制备方法包括如下步骤:将有机前驱体进行预处理,然后与B2O3粉末混合均匀;将混合均匀后的物料及柔性衬底一起至于气氛烧结炉中,先从室温加热至1280‑1350℃,再加热至1380‑1480℃,然后冷却至1330‑1380℃,接着冷却至1080‑1150℃,最后随炉冷却至室温,得到B掺杂的SiC纳米线。本发明实现了在柔性碳纤维布衬底上对SiC纳米线进行B掺杂及其密度调控,且制得的SiC纳米线的表面具有大量尖锐的棱边和棱角。另外,本发明的制备方法工艺简单可控,具有很好的重复性。

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