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公开(公告)号:CN102879766B
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201110196108.9
申请日:2011-07-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01S7/292
Abstract: 本发明提供了一种高频地波雷达海浪回波非线性动力学特征的弱目标检测跟踪方法,包括以下步骤:实时记录回波信号的中频数据;对消冲击干扰和回波的一阶谱数据;建立海浪回波的混沌动力学预测模型;以及执行弱目标检测跟踪,其中,对消的步骤包括:对中频数据进行距离变换和速度变换,在速度谱域上用样条小波滤波器剔除冲击干扰,并用重构吸引子的轨迹矩阵方式剔除强海杂波。此外,本发明还提供了一种高频地波雷达海浪回波非线性动力学特征的弱目标检测跟踪装置。
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公开(公告)号:CN102879766A
公开(公告)日:2013-01-16
申请号:CN201110196108.9
申请日:2011-07-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01S7/292
Abstract: 本发明提供了一种高频地波雷达海浪回波非线性动力学特征的弱目标检测跟踪方法,包括以下步骤:实时记录回波信号的中频数据;对消冲击干扰和回波的一阶谱数据;建立海浪回波的混沌动力学预测模型;以及执行弱目标检测跟踪,其中,对消的步骤包括:对中频数据进行距离变换和速度变换,在速度谱域上用样条小波滤波器剔除冲击干扰,并用重构吸引子的轨迹矩阵方式剔除强海杂波。此外,本发明还提供了一种高频地波雷达海浪回波非线性动力学特征的弱目标检测跟踪装置。
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公开(公告)号:CN101891480B
公开(公告)日:2012-06-20
申请号:CN201010240690.X
申请日:2010-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 硼化锆-碳化硅基层状超高温陶瓷复合材料的制备方法,它涉及一种复合材料的制备方法。本发明解决了现有硼化锆-碳化硅基复合材料易碎、低强度的问题。本方法如下:分别制ZrB2-20%volSiC粉和ZrB2-30%volSiC粉,再将ZrB2-20%volSiC粉和ZrB2-30%volSiC粉对称交替层叠于石墨模具内,制得的坯体然后将坯体预压,再在1900℃、30MPa的条件下保压60min,即得。本发明的硼化锆-碳化硅基层状超高温陶瓷复合材料强度是硼化锆-碳化硅(ZrB2-20份SiC)基复合材料的1.57~2.36倍,断裂韧性与硼化锆-碳化硅(ZrB2-20份SiC)基复合材料相比可提高17%~46%。
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公开(公告)号:CN101891480A
公开(公告)日:2010-11-24
申请号:CN201010240690.X
申请日:2010-07-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 硼化锆-碳化硅基层状超高温陶瓷复合材料的制备方法,它涉及一种复合材料的制备方法。本发明解决了现有硼化锆-碳化硅基复合材料易碎、低强度的问题。本方法如下:分别制ZrB2-20%volSiC粉和ZrB2-30%volSiC粉,再将ZrB2-20%volSiC粉和ZrB2-30%volSiC粉对称交替层叠于石墨模具内,制得的坯体然后将坯体预压,再在1900℃、30MPa的条件下保压60min,即得。本发明的硼化锆-碳化硅基层状超高温陶瓷复合材料强度是硼化锆-碳化硅(ZrB2-20份SiC)基复合材料的1.57~2.36倍,断裂韧性与硼化锆-碳化硅(ZrB2-20份SiC)基复合材料相比可提高17%~46%。
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公开(公告)号:CN119569464A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202411782212.X
申请日:2024-12-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种具有高密度、优异抗氧化性能的非晶态SiBCN陶瓷块体及其制备方法,属于高性能陶瓷材料技术领域,该非晶态SiBCN陶瓷块体的制备方法包括:将聚硼硅氮烷进行固化后,经粉碎、球磨、真空热解,得到非晶SiBCN陶瓷粉体;将所述非晶SiBCN陶瓷粉体进行放电等离子烧结,得到非晶态SiBCN陶瓷块体。本发明提供非晶态SiBCN陶瓷块体的制备方法可以制得具有高密度、低孔隙缺陷、尺寸可调、收缩率小和优异抗氧化性能的非晶SiBCN陶瓷块体,可有效解决传统SiBCN陶瓷块体制备过程中材料尺寸受限、孔隙多等问题。
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公开(公告)号:CN119469451A
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202411628664.2
申请日:2024-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种薄膜温度传感器及其制备方法和温度场测量方法,属于温度传感器技术领域,所述薄膜温度传感器具有半导体特性;所述薄膜温度传感器包括SiBCN陶瓷和填料。本发明提供的薄膜温度传感器致密度高、表面质量好,与基体结合能力强,不易脱落,在0~800℃范围内均具有明显半导体特性,可满足高温工况下不同材质的平面、曲面、异形结构的工件表面的温度场测量需求。
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公开(公告)号:CN118870512B
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202410899323.2
申请日:2024-07-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于星载虚拟孔径的5G辐射源定位方法、电子设备及存储介质,属于5G辐射源的无源定位技术领域。为提高地面非合作5G辐射源的定位的准确性,本发明采集基带信号,提取子载波信号的相位信息;对前后两个子载波信号求相位差并取均值,得到沿慢时间变化的方位向相位信息;构建卡尔曼滤波模型估计与辐射源位置信息相关的相位项信息,得到卡尔曼滤波结果;重构方位向信号,得到重构的方位向信号;利用分数阶傅里叶变换对重构的方位向信号进行谱估计,提取辐射源位置信息;根据距离模型和多普勒参数,结合轨道信息利用搜索聚焦对卫星有效速度进行估计,得到卫星有效速度,利用估计出的卫星有效速度求解辐射源的位置坐标,对辐射源完成定位。
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公开(公告)号:CN116102019B
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202310157145.1
申请日:2023-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米夹芯结构氧化硅/钨酸锆复合粉体的制备方法,属于纳米精细陶瓷复合材料领域,步骤如下:将含钨酸根的阴离子水溶液和含锆的阳离子水溶液同时在蠕动泵的控制下滴加到纳米氧化硅水溶液中;将混合溶液水浴环境下超声振荡;将浓盐酸加入到溶液中直至氢离子的浓度达到0.1~2mol/L,并在水浴环境下持续超声振荡,得到复合材料的前驱体悬浊液;将前驱体悬浊液加入反应釜后密封,180~190℃环境保温至少3.5h;收集沉淀,进行陈腐、过滤、烘干,在450~520℃下进行煅烧,得到纳米氧化硅夹芯在钨酸锆晶体内部的复合粉体。本发明从纳米尺度提升精细陶瓷复合材料的均质化,有效抑制纳米粒子团聚造成的复合材料热应变损伤。
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公开(公告)号:CN114442084B
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202210073923.4
申请日:2022-01-21
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海)
Abstract: 本发明属于阵列天线技术领域,提供了便携式高频地波雷达阵列、雷达系统性能分析方法及雷达。高频地波雷达阵列的阵元是圆柱状的磁天线,且磁天线内部含有三个磁性天线体组件;高频地波雷达阵列是由多个阵元组成的均匀线阵,且阵列平面的法线与海面垂直。系统性能分析方法包括从目标探测性能和目标估计性能两个方面来分析雷达系统的目标检测性能;目标探测性能的优劣采用磁天线的有效高度来衡量;目标估计性能的优劣采用MUSIC算法的均方根误差以及角度分辨力来衡量。本发明有利于缩小天线体积、降低布阵成本,提高雷达系统的灵活性以及在电子对抗中的生存能力;对于雷达系统来说,能够在仅轻微损失目标估计性能的同时获得更好的目标探测性能。
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公开(公告)号:CN111782566B
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN202010653256.8
申请日:2020-07-08
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于PCIe的高频地波雷达多通道高速数据采集装置,所述采集装置包括模拟前端电路、ADC、FPGA、触发控制模块、参考时钟模块和DDR,信号处理流程为:接收机将收到的信号放大后输入到采集装置中,由模拟前端电路放大平衡,然后通过ADC将模拟信号转换为数字信号。利用FPGA对ADC输出的数字信号进行下变频,并将处理后的数据缓存到DDR中。当FPGA接收到触发信号后,将缓存到DDR内的数据利用DMA方式通过PCIe接口传输到上位机缓存中。最后由上位机控制中心利用上传的数据做信号处理,得到目标的距离、速度和方向,进行定位和跟踪。本发明具有框架结构简单、系统调试方便、装置稳定性很强等特点。
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