公开(公告)号：CN118655182A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410953448.9

申请日：2024-07-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨强 ,  郭政佑 ,  潘鑫 ,  高博 ,  孟松鹤 ,  易法军 ,  解维华 ,  许承海

IPC: G01N27/04 ,  G01N27/20

Abstract: 本发明涉及检测技术领域，特别涉及一种基于电阻层析成像的曲面热防护粘接缺陷检测方法。本发明实施例提供一种基于电阻层析成像的曲面热防护粘接缺陷检测方法，包括：在热防护材料和被防护材料之间的粘接胶层四周布置至少四个电极；针对每个电极，均执行：对该电极接地，对该电极沿预设方向相邻的一个电极施加电流激励，得到一组测量数据；将粘接胶层映射为具有坐标的二维平面；将二维平面内设定为任意相同大小的区域内的电阻相等；对二维平面模拟与对粘接胶层相同的激励，得到多组模拟数据；根据测量数据和模拟数据确定粘接胶层的粘接缺陷。本发明实施例提供了一种基于电阻层析成像的曲面热防护粘接缺陷检测方法，能够检测热防护材料粘接质量。

公开(公告)号：CN119569464A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411782212.X

申请日：2024-12-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 严强 ,  陈鑫昊 ,  郭政佑 ,  高博 ,  杨强 ,  李金平 ,  孟松鹤

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明涉及一种具有高密度、优异抗氧化性能的非晶态SiBCN陶瓷块体及其制备方法，属于高性能陶瓷材料技术领域，该非晶态SiBCN陶瓷块体的制备方法包括：将聚硼硅氮烷进行固化后，经粉碎、球磨、真空热解，得到非晶SiBCN陶瓷粉体；将所述非晶SiBCN陶瓷粉体进行放电等离子烧结，得到非晶态SiBCN陶瓷块体。本发明提供非晶态SiBCN陶瓷块体的制备方法可以制得具有高密度、低孔隙缺陷、尺寸可调、收缩率小和优异抗氧化性能的非晶SiBCN陶瓷块体，可有效解决传统SiBCN陶瓷块体制备过程中材料尺寸受限、孔隙多等问题。

公开(公告)号：CN119469451A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411628664.2

申请日：2024-11-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 郭政佑 ,  杨强 ,  刘中正 ,  侯朴 ,  师湫航 ,  潘鑫 ,  严强 ,  孟松鹤 ,  李金平

IPC: G01K7/16 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明涉及一种薄膜温度传感器及其制备方法和温度场测量方法，属于温度传感器技术领域，所述薄膜温度传感器具有半导体特性；所述薄膜温度传感器包括SiBCN陶瓷和填料。本发明提供的薄膜温度传感器致密度高、表面质量好，与基体结合能力强，不易脱落，在0～800℃范围内均具有明显半导体特性，可满足高温工况下不同材质的平面、曲面、异形结构的工件表面的温度场测量需求。