-
公开(公告)号：CN104851948B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510155285.0
申请日：2015-04-03
Applicant: 同济大学
IPC: H01L33/26
Abstract: 本发明属于材料制备领域，其公开了一种γ‑CuI纳米线的制备方法，以多孔阳极氧化铝（Anodic Aluminum Oxide，AAO）为模板，采用真空熔融热压法。主要对AAO模板预处理，原料掺杂，真空熔融的加热温度，升温过程，气压值和降温过程和AAO模板溶解等工艺进行优化，得到了尺寸一致，连续致密的γ‑CuI纳米线。并且可以通过选用不同AAO模板可实现纳米线尺寸的精确调控。所制备的p型半导体γ‑CuI纳米线可应用于有机化学催化，太阳能电池，发光二极管等领域。同时该制备方法工艺简单，成本低廉。
-
公开(公告)号：CN106527043A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611032018.5
申请日：2016-11-22
Applicant: 同济大学
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/0002
Abstract: 本发明涉及一种压印技术制备大面积光子晶体闪烁体的方法，选取压印模板和所需的塑料闪烁体，对模板进行防粘处理，利用进行过防粘处理的模板对塑料闪烁体进行热纳米压印，将压印处理后的模板与塑料闪烁体分离，从而获得与模板图形互补的光子晶体结构，其中压印模板的尺寸大于400mm2，采用特定的加热加压的方式进行热纳米压印。与现有技术相比，本发明可以制备大面积的光子晶体塑料闪烁体，按照所述温度和压强参数可以获得足够深度的光子晶体结构，在制备过程中可以避免模板或样品的损坏。
-
公开(公告)号：CN104280761B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410496266.X
申请日：2014-09-25
Applicant: 同济大学
IPC: G01T1/20
Abstract: 本发明属于辐射探测领域，涉及一种利用表面光子结构实现的高光提取效率闪烁体。其结构包含：闪烁体层、周期阵列层和覆盖层，其中：周期阵列层与闪烁体层直接接触，布置于其上方，覆盖层与周期阵列层直接接触并与其共形。采用这种表面结构，可使得闪烁体的光输出成倍提高，对于提高闪烁探测系统的灵敏度和信噪比具有非常重要的作用。本发明设计原理清晰明了，材料制备涉及的工艺成熟，易于工业化生产。
-
公开(公告)号：CN106054229A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610338646.X
申请日：2016-05-20
Applicant: 同济大学
IPC: G01T1/00
CPC classification number: G01T1/003
Abstract: 本发明涉及一种等离激元晶体调控的闪烁体器件，包括基底层、布置在基底层上的第一闪烁体层、布置在第一闪烁体层上的金属周期阵列层及布置在金属周期阵列层上的第二闪烁体层，金属周期阵列层由呈正方形或三角形结构周期分布的柱状金属单元组成。与现有技术相比，本发明将发光方向性的调控和衰减时间的缩短集中于一个闪烁器件，将在系统应用中同时获得探测效率和时间分辨能力的提高。
-
公开(公告)号：CN102787296A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201210282563.5
申请日：2012-09-20
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明提供一种制备伽玛碘化亚铜超快X射线闪烁转换屏的方法。以高纯CuI为原料，采用真空热蒸镀法和气氛退火工艺，通过选择合适的蒸镀温度、衬底温度、退火处理等工作条件，在石英等衬底上制备γ-CuI闪烁转换屏，所获得的转换屏晶型为γ相，微观形貌呈垂直于衬底的微柱状结构，有利于抑制闪烁光的侧向传播，闪烁峰位于430nm，发光衰减时间为亚纳秒量级，该薄膜组分稳定、厚度均匀、无开裂，在超高速数字化X射线成像方面有着重要的应用价值。本发明适合于工业化生产，推广应用价值高。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102452793A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010510977.X
申请日：2010-10-19
Abstract: 本发明涉及一种高发光强度的铽激活硅酸盐玻璃及其制备方法，属于发光材料领域。本发明采用高声子能量B2O3添加至铽激活硅酸盐玻璃配方中混合均匀，通过高温熔融及退火处理进行制备，其中，B2O3占玻璃配方总重量的2～20%。优点是：所制得的铽激活硅酸盐玻璃有效地增强了Tb3+的发光强度，该发光玻璃可应用于显示、照明以及光电器件等领域。
-
公开(公告)号：CN100395376C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200410066546.3
申请日：2004-09-21
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种CuI晶体及其生长方法，CuI晶体呈γ相的规则四面体结构，尺寸大于2mm。该生长方法采用浓度控制技术和络合—解络法相结合的方法。本发明采用的浓度递减控制技术和络合—解络相结合的生长方法具有设备简单、价格低廉、生长温度低和生长过程容易调控等优点，所生长的γ相CuI晶体纯度高、应力小、缺陷少、形貌好和尺寸较大，因而作为新一代超快闪烁体，在超高计数率X-射线、γ射线和电子束测量等方面都有着重要的应用价值，同时还可以用作快离子导体。
-
公开(公告)号：CN110068854B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201910233857.0
申请日：2019-03-26
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种具有嵌套式微球阵列光子结构表面的闪烁体器件，包括闪烁体，布置在闪烁体上表面的大尺寸微球阵列，沉积在大尺寸微球阵列上表面的共形层，布置在透明材料上的小尺寸微球阵列。与现有技术相比，本发明的光子结构可以大幅度提高闪烁体的出光效率，并且可以实现批量生产。
-
公开(公告)号：CN113652226B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202111004891.4
申请日：2021-08-30
Applicant: 同济大学
IPC: C09K11/02 , C09K11/61 , G01N23/223 , G01T1/20
Abstract: 本发明涉及一种CuI:Cl‑PS复合闪烁体及其制备方法和应用，包括以下步骤：将CuI与CuCl粉末按一定比例充分研磨混合；将混合粉末放置于管式退火炉中进行固相反应，使用氩气作为保护气氛；取出反应后的CuI:Cl粉末并进行研磨、干燥；将CuI:Cl和聚苯乙烯粉末倒入一定量的甲苯中，充分搅拌至PS粉末完全溶解；将混合物倒入模具中，密封保存；将模具放入通风橱中，进行蒸发干燥；对干燥后的复合物进行脱模、切割和抛光；将复合片放入干燥箱中进行退火，最终得到CuI:Cl‑PS复合闪烁体。与现有技术相比，本发明具有制备方法简单、对设备要求低、发光稳定性好等优点。所制备的CuI:Cl‑PS复合闪烁体可用于超快硬X射线的探测与成像。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
94
records
(took 0.021 seconds)
