-
公开(公告)号：CN104538414A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410709414.1
申请日：2008-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14603 , H01L27/1464
Abstract: 本发明公开一种背照式传感器的制造方法，包括：提供半导体基材；形成光电流产生区在该半导体基材上；形成针札层包含注入区在该光电流产生区上；以及在形成该针札层之后，形成包含光学反射材料的传输栅极在该半导体基材上，其中该传输栅极形成在该光电流产生区的全部表面上和该针札层的全部表面上。本发明能够解决穿通问题，并提高影像传感元件的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN103681454A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210519773.1
申请日：2012-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/761 , H01L21/76237 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H01L29/0649
Abstract: 半导体器件的隔离。本发明提供用于隔离半导体器件的系统和方法。实施例包括横向离开半导体器件的源极/漏极区域的隔离区域并且具有在源极/漏极区域之间的隔离区域上方延伸的介电材料。可以通过在衬底上方形成穿过层的开口；沿着开口的侧壁沉积介电材料；在沉积之后将离子注入到衬底内；以及用另一介电材料填充开口来形成隔离区域。
-
公开(公告)号：CN103378114A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310020044.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463
Abstract: 一种用于减小图像传感器中的串扰的方法包括：提供背照式图像传感器晶圆，在该背照式图像传感器晶圆中形成隔离区域，其中，该隔离区域包围着光电有源区域，在该光电有源区域中从背照式图像传感器晶圆的背面形成开口，并且利用介电材料覆盖该开口的上端，从而形成了嵌在背照式图像传感器晶圆的隔离区域中的气隙。本发明还提供了一种减少图像传感器中的串扰的设备和方法。
-
公开(公告)号：CN101409300B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810127697.3
申请日：2008-07-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/82
Abstract: 本发明涉及背面照明影像传感器及其制造方法，该背面照明影像传感器包含基板及传感器。上述的基板具有正面及背面，且传感器位于基板的正面内。上述传感器包含至少一光二极管、及一空乏区，其中上述空乏区的位于基板的背面内，空乏区的深度小于基板厚度的20％。
-
公开(公告)号：CN101807544A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910173955.6
申请日：2009-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/26513 , H01L27/1463
Abstract: 本发明提供了一种制造图像传感器件的方法，包括：提供具有正面和背面的衬底；对位于所述衬底正面的光致抗蚀剂层进行图案化，以限定具有第一宽度的开口，所述光致抗蚀剂层具有与所述第一宽度相关的第一厚度；使用与所述第一厚度相关的注入能量穿过所述开口执行注入工艺，由此在所述衬底中形成第一掺杂隔离特征；形成与所述第一掺杂隔离特征邻近的光敏感特征，所述光敏感特征具有第二宽度；以及从所述背面减薄所述衬底，从而所述衬底具有不超出所述第一掺杂隔离特征的深度两倍的第二厚度。像素尺寸基本上等于所述第一宽度和所述第二宽度的总和。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101783318A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910173958.X
申请日：2009-09-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/82 , H01L21/76 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/26513 , H01L21/761 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14634
Abstract: 本发明提供了一种制造图像传感器器件的方法。该方法包括：提供具有正面和背面的半导体衬底；在半导体衬底的正面形成第一隔离结构；从背面减薄半导体衬底；以及在半导体衬底的背面形成第二隔离结构。第一和第二隔离结构相对于彼此移动。
-
公开(公告)号：CN101312202A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200710148796.5
申请日：2007-09-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L27/14625 , H01L27/1464
Abstract: 本发明提供一种背面照光感测器。该背面照光感测器，包含有具有正面的半导体基底。多个像素形成于该半导体基底的正面。至少一个像素具有光电栅结构。该光电栅结构具有栅极，且该栅极具有光反射层。本发明可以增加感测器的敏感度。
-
公开(公告)号：CN101005090A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610149597.1
申请日：2006-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/485 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L31/0203 , H01L2224/48463 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种背照式影像感测元件，此元件具有金属延伸。在一实施例中，此元件包括第一及第二焊垫组，以及电性连接两者的金属层。第二焊垫组中一焊垫自元件表面露出以作为测试用。在另一实施例中，第二焊垫直接位于第一焊垫组下方，两者电性连接且此第二焊垫自元件表面露出以作为测试用。
-
公开(公告)号：CN1901630A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610103545.0
申请日：2006-07-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14641 , H04N5/37457 , H04N9/045
Abstract: 本发明关于一种影像感测单元及其应用的CMOS影像感测装置与阵列，该影像感测单元包括：一第一像素区，其内设置有至少一第一感光二极管，第一感光二极管是针对一第一色彩的一光信号而产生一第一感测信号；一第二像素区，邻近第一像素区，其内设置有至少一第二感光二极管，第二感光二极管是针对一第二色彩的一光信号而产生一第二感测信号；一第三像素区邻近第一与第二像素区，其内设置有至少一第三感光二极管，第三感光二极管是针对一第三色彩的一光信号而产生一第三感测信号；至少一感测放大器大体设置于第一、第二与第三像素区内，以放大第一、第二与第三感测信号，第一、第二、第三像素区大体上具有相同的尺寸并占据影像感测单元的整体区域。
-
公开(公告)号：CN116564983A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310231796.0
申请日：2023-03-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各个实施例针对具有设置在半导体衬底内的光电探测器的图像传感器。介电结构设置在半导体衬底的第一侧上。隔离结构从介电结构延伸到半导体衬底的第一侧中。隔离结构横向地环绕光电探测器并且包括设置在半导体衬底的第一侧之上并且直接接触介电结构的侧壁的上部部分。隔离结构包括不同于介电结构的第二材料的第一材料。本发明的实施例还提供了形成图像传感器的方法。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
99
records
(took 0.033 seconds)
