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公开(公告)号：CN116288693A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310211232.0
申请日：2023-03-07
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: C30B25/14 , C30B25/16 , C30B25/10 , C30B29/16 , C23C16/455
Abstract: 本发明属于化学气相沉积的材料生长方法技术领域，具体地说，是一种雾相输运化学气相沉积生长氧化镓的薄膜生长系统，包括气流导管、气流喷管、气流输运管道、气流恒温装置和温度监测装置，气流喷管和温度监测装置通过法兰部分嵌套于气流输运管道内部，气流恒温装置位于气流输运管道内部。气流恒温装置提高了薄膜生长区的热导率，实现薄膜生长区的温场均匀化，气流喷管提前对低温气流进行加热，降低气流对薄膜生长区的温场影响，从而获得更均匀的薄膜生长温度，温度监测可以准确的获得薄膜生长区的温度，从而实现最优的生长环境。本发明为实现高均匀度和高纯度的氧化镓外延薄膜制备提供一种有效的生长系统。
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公开(公告)号：CN116053302A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310208764.9
申请日：2023-03-07
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提出了一种基于双SOI结构的背栅辅助RESURF系统及双SOI结构的制造方法，包括双SOI结构和外围背栅自动电压优化控制电路，其中外围背栅自动电压优化控制电路可对双SOI结构的背栅进行电压控制。本发明与传统的RESURF技术相比，在击穿电压不改变的情况下，降低了导通电阻，改进了两者之间的折中关系，同时也提升了双SOI结构的直流、射频以及开关性能。
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公开(公告)号：CN115800927A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310046966.8
申请日：2023-01-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于占空比检测的晶体振荡器，包括第一反相器，电阻，第一、第二负载电容，第一~四开关，石英晶体，缓冲器，采样保持模块，第一、第二比较器，相位转换模块，数字控制模块和能量注入模块。所述石英晶体一端用于信号注入，对石英晶体的另一端信号通过采样处理，经第一比较器获得表征相位误差累积的信息，即占空比在不断变化的信号，最终通过相位转化模块和第二比较器对占空比进行检测，得到相位切换的准确时刻。本发明在实现低功耗的基础上，通过检测占空比和精准地切换相位，保证了能量可持续性地注入，实现了晶体振荡器的快速启动。
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公开(公告)号：CN115132848A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210672734.9
申请日：2022-06-15
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供了一种高功率密度IGZO薄膜晶体管及其制造方法，包括如下步骤：在基板上形成支撑层，在支撑上形成栅电极层，在栅电极层上形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成低阻有源层，在低阻有源层上形成IGZO有源层，在IGZO有源层上形成源区电极层、漏区电极层，其中源区电极层位于IGZO有源层上方一侧，与栅电极层在水平方向上存在交叠，漏区电极层位于IGZO有源层上方的另一侧，与栅电极在水平方向上存在非交叠区域，形成漏极偏移区，并分别在低阻有源层和IGZO有源层中形成低阻漂移区和IGZO漂移区，钝化层覆盖于IGZO有源层、源区电极层和漏区电极层上方；与现有技术相比，本申请有效降低漂移区电阻，优化电流密度，取得了对IGZO薄膜晶体管功率密度的显著提升。
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公开(公告)号：CN113346850B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110671608.7
申请日：2021-06-17
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多次谐波抑制的高效射频功率放大器，包括输入匹配电路、栅极偏置电路、晶体管、漏极偏置电路、输出匹配电路、多次谐波抑制电路,是在射频功率放大器的输出网络中添加由多个步进阻抗谐振器组成的具有多次谐波抑制的低通滤波电路，一方面可以实现较好的二至五次谐波抑制和提升线性度；另一方面，输出匹配电路的基波频率具有较低的插入损耗，并且添加的多次谐波抑制电路不会影响输出匹配的带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113097308B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110351306.1
申请日：2021-03-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/51
Abstract: 本申请涉及一种不同材料铁电层的负电容场效应晶体管及制备方法。该晶体管包括：衬底、埋氧化层、基于顶层形成的源区、基于顶层形成的漏区、基于顶层形成的全耗尽或部分耗尽的沟道、侧墙，以及源区漏区之间通过侧墙隔离的栅氧化层、负电容铁电层、金属层，其特征在于：所述负电容铁电层由第一铁电层和第二铁电层拼接而成，所述第一铁电层和所述第二铁电层的铁电材料不同，使得栅极不同材料的负电容铁电层对栅极电压放大作用呈线性放大，对栅极电压放大作用具有更好的控制能力，同时不同材料铁电层的负电容场效应晶体管在相同的栅压下具有更高的饱和区电流以及更低的亚阈值斜率，亚阈值斜率可以低于理论极限值60mV/dec，因此提升了晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN114997092A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210686282.X
申请日：2022-06-16
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了基于机器学习和模型的半导体器件电学特性仿真方法，包括步骤1、确定仿真模型；步骤2、确定结构参数或工艺参数；步骤3、获取数据集；步骤4、建立机器学习回归模型；步骤5、预测输入模型参数；步骤6、电学特性仿真。本发明利用机器学习和确定的仿真模型，实现了半导体器件从结构参数与工艺参数到电学特性的仿真，具有仿真速度快，收敛性好，节约计算资源等优点。同时该发明中构建的回归模型能实现从工艺参数到模型参数、工艺参数到结构参数、结构参数到模型参数的预测，能提高设计人员的设计效率，节省设计时间。
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公开(公告)号：CN114300616B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210004021.5
申请日：2022-01-05
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明提供了一种基于共聚物有机半导体的集成功率器件，通过借助栅极和漏极之间引入一个二维载流子减速区结构，降低双极导通中载流子在减速区中的速度，从而降低载流子在有机分子之间跃迁的几率，抑制共聚物有机半导体中的载流子倍增效应，显著增加了共聚物有机半导体器件的耐压性能，提高了击穿电压。在实际制造过程中，仅源漏电极和栅极需要热蒸发沉积或磁控溅射，共聚物有机半导体层和有机栅介质层均可通过旋涂方式制备，简化了工艺流程，制备简单，成本低廉。作为半导体层的共聚物有机半导体材料与作为栅介质层的有机介质材料在高温下分解为水和二氧化碳，栅介质层材料与共聚物半导体材料无毒无害，绿色环保，不造成环境二次污染。
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公开(公告)号：CN114337550A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111683063.8
申请日：2021-12-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种高隔离度混频器电路，用于对输入的信号进行下变频或者上变频处理，射频变压器将信号输入端口输入的单端信号转换为差分信号，并输出差分信号给混频器核；本振信号输入端口用于向混频器核输入本振信号；混频器核包括晶体管对，根据场晶体管对栅极和漏极间的非线性频率转移特性，完成对差分信号的下变频或者上变频处理后，输出双路信号给中频变压器；中频变压器将双路信号转换成单路信号给信号输出端口；能够实现下变频或者上变频处理的高隔离度，保证电路性能较优，采用有源结构，得到高隔离度的同时，能够获得很好的变频增益。
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公开(公告)号：CN114334617A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210025402.1
申请日：2022-01-11
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L51/40
Abstract: 本发明提供了一种用于基材上有机层光刻图案化的方法，所述方法包括以下步骤：在有机层上提供二氧化硅保护层，在二氧化硅层上提供光刻胶层，使得所述光刻胶层光刻图案化以由此形成图案化的光刻胶层，使用图案化的光刻胶层作为掩模对二氧化硅保护层和有机层进行蚀刻，从而由此形成图案化的保护层和图案化的有机层，在基于有机层上生长了一层SiO2保护层，在后续光刻过程中SiO2层与光刻胶有很好的吸附性，能够呈现出很好的光刻图案；并且能够保护有机半导体层与绝缘层在后续光刻过程中，不被显影液，去胶液和清洗液腐蚀。
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