一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管

    公开(公告)号:CN105206718A

    公开(公告)日:2015-12-30

    申请号:CN201510621455.X

    申请日:2015-09-25

    CPC classification number: H01L33/005 H01L33/06

    Abstract: 本发明公开了一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管,在ITO玻璃上旋涂PEDOT:PSS空穴注入层,然后旋涂空穴传输层以及金属卤化物钙钛矿量子点,通过热蒸发或磁控溅射沉积电子传输层,再通过热蒸发沉积发光二极管的金属电极,得到发光均匀的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管。本发明制备的量子点发光二极管的发光颜色可通过改变量子点发光层材料的卤素配比进行调节,能够覆盖整个可见光谱范围。

    一种自支撑三维石墨烯的制备方法

    公开(公告)号:CN105129780A

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201510469118.3

    申请日:2015-08-03

    Abstract: 本发明公开了一种自支撑三维石墨烯的制备方法。所述自支撑三维石墨烯以六甲基四胺为发泡剂,以葡萄糖为碳源,加热至一定温度并保温一定时间,随后冷却至室温制备,通过该改变反应温度和碳源/发泡剂质量比来控制发泡效果。本发明以含氮有机小分子为发泡剂,不仅对制备三维石墨烯起良好的发泡效果,还引入氮原子,对石墨烯进行化学掺杂,根据理论计算,相较于未经掺杂的石墨烯,化学掺杂之后的石墨烯电流传输能力显著提高,实际使用性能大幅提高。

    一种高纯和高结晶度的二硫化钛纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN103991900B

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201410232104.5

    申请日:2014-05-28

    Abstract: 本发明是一种高纯和高结晶度的二硫化钛纳米片的制备方法。层状TiS2纳米片具有良好的电子迁移率及良好的插层性,可用于锂离子电池阴极材料及超级电容器等。本发明采用两步法液相胶体合成技术,以钛源、硫源、表面活性剂反应合成六方晶系的高纯和高结晶度TiS2纳米片。首先将钛源和表面活性剂在一定温度下混合均匀;然后注入硫源,升温到指定温度并保温一段时间,从而生成不同厚度的高纯和高结晶度TiS2纳米片。本发明反应条件温和,制备工艺简单、容易控制、重复性好。本发明所得到的TiS2纳米片大小和形貌均一、尺寸可控、结晶性好、纯度高。

    一种铜镍合金纳米线柔性电极及其制备方法

    公开(公告)号:CN104988475A

    公开(公告)日:2015-10-21

    申请号:CN201510299607.9

    申请日:2015-06-03

    Abstract: 本发明公开了一种铜镍合金纳米线柔性电极及其制备方法,将一定量的铜镍合金纳米线分散在适量的正己烷溶液中,通过抽滤的方法使铜镍合金纳米线在滤膜上成膜,再将之转移到准备的PDMS柔性衬底上,利用一定压力将纳米线嵌在柔性衬底表面,然后通过在还原性气氛条件下加热到一定温度并保持一段时间,从而得到高质量的铜镍合金纳米线柔性电极。本发明操作过程简单,制得的柔性电极具有很好的导电性,可拉伸性,可弯曲性以及优异的稳定性。

    一步法合成高稳定高导电铜纳米线墨水的方法

    公开(公告)号:CN104923803A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201510299276.9

    申请日:2015-06-03

    Abstract: 本发明公开了一步法合成高稳定高导电铜纳米线墨水的方法,将含镍的前驱盐和含有氯的铜前驱盐溶解于长烷链的有机胺溶剂中;将该混合溶液在惰性气体氛围下加热到一定温度得到铜纳米线,随后继续升温反应一段时间,得到高稳定的铜镍壳-铜核纳米线;最后再在正己烷-丙酮的混合溶液中离心处理2~4次后分散在有机溶剂中,获得高稳定、高导电的铜纳米线墨水。本发明反应条件温和,反应为一步法,反应时间较短,制备工艺简单易控,重复性高,通过所述方法得到的铜镍壳-铜核米线直径为40~50nm,长度为50~70μm,长径比较大,导电性能优异,且透过率高,性能非常稳定。

    一种高纯和高结晶度的二硫化钛纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN103991900A

    公开(公告)日:2014-08-20

    申请号:CN201410232104.5

    申请日:2014-05-28

    Abstract: 本发明是一种高纯和高结晶度的二硫化钛纳米片的制备方法。层状TiS2纳米片具有良好的电子迁移率及良好的插层性,可用于锂离子电池阴极材料及超级电容器等。本发明采用两步法液相胶体合成技术,以钛源、硫源、表面活性剂反应合成六方晶系的高纯和高结晶度TiS2纳米片。首先将钛源和表面活性剂在一定温度下混合均匀;然后注入硫源,升温到指定温度并保温一段时间,从而生成不同厚度的高纯和高结晶度TiS2纳米片。本发明反应条件温和,制备工艺简单、容易控制、重复性好。本发明所得到的TiS2纳米片大小和形貌均一、尺寸可控、结晶性好、纯度高。

    一种锂氮共掺杂金刚石薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN103952681A

    公开(公告)日:2014-07-30

    申请号:CN201410166621.7

    申请日:2014-04-23

    Abstract: 本发明公开了一种锂氮共掺杂金刚石薄膜的制备方法。在预先沉积有金刚石薄膜的衬底表面涂覆一层含有锂源的悬浮液,待干燥后将其放入热丝化学气相沉积系统的反应腔中,在氢气气氛中通过加热使含有锂源的粉末融化并使锂扩散进入金刚石;然后进一步采用热丝化学气相沉积方法在含氮气氛中沉积锂氮共掺杂金刚石薄膜。该锂氮共掺杂金刚石薄膜表面功函数低,在热作用和电场作用下易发射电子,可用于热电子能量转换器件和场发射显示器件。

    一种用于多重荧光防伪的铜基纳米晶材料

    公开(公告)号:CN119979154A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202411970066.3

    申请日:2024-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种用于多重荧光防伪的铜基纳米晶材料,该材料的化学式Cs5Cu3Cl6I2,将其作为防伪材料涂覆于加密材料之上,形成防伪标志,其具有多重防伪效果,第一重防伪是在紫外光激发下产生特征荧光;第二、三重防伪是将防伪标志加入合适的溶剂,发光先会由天蓝色转变为深蓝色,再次加入极性溶剂,其会再转变为黄色,极性溶剂挥发完全后会再次转变为深蓝色,再次加入溶剂,会重新回到天蓝色;第四重防伪是将防伪标志温度升高,从天蓝色变为绿色;降低温度恢复为天蓝色。本发明具有无毒、发光效率高、寿命长、稳定性好等性质,加密与解密具有可恢复性,避免了因多次加密、解密等操作而导致的加密信息损毁,明显提高防伪效果。

    熵驱动卤化物铅基钙钛矿材料环保化和光电性能调控的高通量模拟方法

    公开(公告)号:CN118969141B

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202410915241.2

    申请日:2024-07-09

    Abstract: 本发明公开了一种熵驱动卤化物铅基钙钛矿材料环保化和光电性能调控的高通量模拟方法。所述方法包括:(1)混合构型熵的计算和分类,确定形成五种以上阳离子钙钛矿结构时混合构型熵的范围以及铅元素的含量;(2)建立理想模型,构建铅替代所有可能比例的钙钛矿结构;(3)优化理想模型,筛选出比初始钙钛矿结构稳定的所有结构;(4)电子结构性质计算和分析,获得光电性能优异的结构;(5)数据库的构建,形成铅替代稳定且光电性能优异的材料数据库。本发明通过模拟计算揭示熵的调控,可作为解决钙钛矿毒性和光电性能矛盾的一种可行手段,通过熵的调控得到需要的材料特性,可以避免实验上一一试错的低效性。

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