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公开(公告)号：CN1268783C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200410014336.X
申请日：2004-03-16
Applicant: 南京大学
Abstract: 金属In预沉积生长氮化铟薄膜的方法，用MOCVD生长InN前，先在衬底表面预沉积一层金属In，沉积时温度在300-500℃，然后才同时通入氨气和三甲基铟，继续生长从而得到氮化铟薄膜，生长温度在300-500℃。本发明在衬底表面预沉积适量的金属In，有利于InN的成核和InN成核岛之间的融合。
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公开(公告)号：CN1811018A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510123107.6
申请日：2005-12-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500－700℃温度范围生长厚度在20－100nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InN材料。GaN缓冲层生长后对此缓冲层进行900－1100℃的高温退火；再利用MOCVD生长高结晶的InN材料。本发明实现了在蓝宝石衬底上利用低温GaN做缓冲层在MOCVD系统中生长一种新型材料InN的方法。尤其是设计先生长缓冲层，然后生长高质量高结晶的InN材料。面积尺寸可以达到工业生产使用的尺寸。
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公开(公告)号：CN1758456A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510094880.4
申请日：2005-10-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 在β－Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β－Ga2O3衬底在500－1050℃温度下进行材料热处理，在500－1050℃温度范围通入载气N2，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β－Ga2O3衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β－Ga2O3衬底上生长GaN缓冲层材料后在500－1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β－Ga2O3衬底上生长N型GaN层，接着生长5－10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600－800℃温度和0.1－1小时退火时间进行退火激活。
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公开(公告)号：CN1599032A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410041443.1
申请日：2004-07-21
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 利用氢化物气相外延法和低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量GaN薄膜，在HVPE生长系统或MOCVD系统中，先在较低的400－800℃温度条件下在Si衬底上，以氨气和HCl为气源，生长一层GaN，然后在高温下如1000－1100℃持续生长GaN。低温下生长的GaN层，阻止了氨气对Si衬底的氮化以及高温下Si和HCl的反应，从而使得后续生长的GaN具有较高的质量。
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公开(公告)号：CN1584111A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410041227.7
申请日：2004-06-10
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/52 , C23C16/458 , C23C16/18
Abstract: 一种金属有机源压力闭环控制系统包括流量计、金属有机源、与反应室相连的调节阀和压力传感器(DP)，其特点是还包括由单片机、数模转换器、放大器所组成的单片机控制电路。载气通过流量计导入到金属有机源，携带了金属有机源气体的混合气体通过调节阀通入到反应室；单片机控制电路通过控制调节阀改变气体的流量，压力传感器将压力转换为电压反馈信号输出。通过控制和反馈的信号使得管路内的压力达到一个动态平衡值，以减小对MOCVD材料生长过程的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1399308A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02113086.8
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/205 , H01L21/365
Abstract: ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底的制备及ZnAl2O4衬底上GaN薄膜生长方法，先将清洗的α－Al2O3衬底送入脉冲激光淀积(PLD)系统制备ZnO薄膜，生长腔内的氧气偏压气氛下生长ZnO薄膜，然后将上步骤中得到的ZnO/α－Al2O3样品放入高温反应炉中，采用氧气作为反应气氛，ZnO和α－Al2O3在高温下反应得到了ZnAl2O4覆盖层，从而得到了ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底；再将ZnAl2O4/α－Al2O3复合衬底送入GaN的MOCVD生长系统，以MOCVD方法生长GaN薄膜。在GaN的生长过程中，不存在氮化物缓冲层的生长，这不仅能提高生长的重复性，而且也提高了GaN生长系统的利用效率。
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公开(公告)号：CN1383162A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02113088.4
申请日：2002-05-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01F1/40 , H01F41/00 , H01L21/265
Abstract: 离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体薄膜材料的方法,将磁性离子如Mn及Fe、Co或Ni等注入AlN半导体薄膜中,即用离子注入的方法以150～250keV的能量注入磁性离子,然后在850－900℃、NH3气氛条件下退火处理。DMS离子注入法是通过离子注入,将Fe、Mn、Co或Ni等磁性离子注入AlN基半导体材料中来制备磁性半导体的方法。与其他直接生长方法相比,能够实现较高的离子掺杂浓度,因而可以制备出高居里温度的磁性半导体材料。
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公开(公告)号：CN1363730A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01137373.3
申请日：2001-12-13
Applicant: 南京大学
IPC: C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 一种控制氮化镓(GaN)极性的方法,尤其是在蓝宝石表面生长氮化镓时控制氮化镓(GaN)极性的生长方法,在蓝宝石衬底上生长氮化镓,生长系统的生长温度:低温区,850－900℃,高温区在1050－1100℃范围内;将HCl(源HCl)/氮气载气通入含金属镓管路,在通入HCl/氮气载气的同时,氨气和氮气载气、额外HCl/总氮气也通入系统;三路气体在蓝宝石衬底表面混合,得到氮化镓薄膜。本发明通过将一定量的HCl添加到传统HVPE生长方法中的总氮气流中,引入GaCl和NH3混合生长区,通过改变蓝宝石衬底表面的化学反应平衡,抑制N面极化GaN的成核,获得了具有平滑表面的Ga极化GaN薄膜。
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公开(公告)号：CN118910732A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410965720.5
申请日：2024-07-18
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供一种物相可调控的亚稳相氧化镓外延层的制备方法和应用，具体通过Mist‑CVD技术，对的蓝宝石衬底进行高温酸化处理，其表面粗糙度减小，各向异性条纹更加清晰，然后进行高温退火处理，制备出α‑Ga2O3与κ‑Ga2O3单晶外延层的方法。解决了α‑Ga2O3与κ‑Ga2O3同为亚稳相结构，化学气相沉积过程中温度窗口很窄，仅通过调控温度，会出现α‑Ga2O3与κ‑Ga2O3的混相结构外延层，难以控制晶相的问题。
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公开(公告)号：CN118726941A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410722494.8
申请日：2024-06-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 本申请提供一种热丝架构及化学气相沉积设备，属于热丝化学气相沉积领域。本申请提供的一种热丝架构，包括热丝、第一支撑结构及第二支撑结构；第一支撑结构与第二支撑结构沿第一方向间隔设置；第一支撑结构包括多个第一固定柱，多个第一固定柱沿第二方向间隔排布，第二支撑结构包括多个第二固定柱，多个第二固定柱沿第二方向间隔排布；热丝沿第二方向依次交替缠绕多个第一固定柱与多个第二固定柱，以形成热丝阵列。本申请提供的热丝架构极大地简化了结构，降低了对电接触及电源的需求，便于模块化拓展、且热丝的有效利用率较高，损耗相对较低，易于维护更换，降低了使用成本和维护成本，有效地促进热丝CVD金刚石薄膜生长的产业化进程。
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