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公开(公告)号:CN108008326B
公开(公告)日:2020-11-24
申请号:CN201610957180.1
申请日:2016-10-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过改变MgO/CoFeB/Ta生长顺序来调节CoFeB薄膜阻尼因子的方法。该结构不仅表现出较好的垂直各向异性,而且阻尼因子可调性好,因此是一种可用于生产磁性随机存储(MRAM)器件的关键材料。本发明利用磁控溅射生长出Ta/CoFeB/MgO和MgO/CoFeB/Ta两种超薄膜并利用时间分辨磁光克尔效应(TRMOKE)测试材料的阻尼因子。Ta/CoFeB/MgO的阻尼因子(α)的值是0.017,而MgO/CoFeB/Ta的是0.027,由于阻尼因子改变大,这种材料很适合提高磁存储介质的读写速度。本发明中涉及到的样品结构依次是衬底、缓冲层、磁性层和覆盖层。飞秒脉冲激光重复频率为1000Hz,脉冲宽度为50fs,泵浦功率密度为3.54mJ/cm2。
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公开(公告)号:CN111638192A
公开(公告)日:2020-09-08
申请号:CN202010511130.7
申请日:2020-06-08
Applicant: 南京大学
IPC: G01N21/39
Abstract: 一种基于超连续谱光源的可调谐泵浦-探测系统,包括飞秒光纤激光与激光分束装置、超连续谱光源与波长滤波装置、样品与探测接收装置、时间延时装置、锁相放大与数据采集装置;飞秒光纤激光与激光分束装置将激光分为两束;一束光作为泵浦光,另一束光入射高非线性光纤而产生的非线性效应产生超连续谱、并且波长从可见光波段至近红外波段可调谐,并且与波长、带宽可调谐滤波器结合获得波长可调谐的探测光;泵浦光与探测光通过时间延时装置后,入射到样品的同一位置;样品在泵浦光照射下产生非线性光电响应,对经过其中的探测光形成调制;探测光经滤波后,由数据接收装置接收。
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公开(公告)号:CN111613722A
公开(公告)日:2020-09-01
申请号:CN202010390886.0
申请日:2020-05-11
Applicant: 南京大学 , 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 一种集磁随机存储器、微波振荡器和微波探测器一体的纳米自旋电子器件,所述自旋电子器件基本单元即高磁电阻效应的磁性隧道结MTJ,所述纳米自旋电子器件为圆柱型或椭圆柱型垂直磁化多层结构单元,从上至下依次为磁隧道结上电极层,垂直磁化的自由铁磁层,非磁势垒层,垂直磁化的铁磁极化层,用于钉扎的反铁磁层或人工反铁磁;下电极层;实现随机信息存储、微波产生和微波探测这三方面功能;作为非冯若依曼架构的新一类模拟信息处理和存储为一体逻辑自旋器件。纳米微波振荡器和探测器工作频率依赖于磁性材料磁矩的进动频率,可根据器件结构和外加磁场、电流或电压参数进行可控调制。
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公开(公告)号:CN108822493B
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN201810503288.2
申请日:2018-05-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米陶瓷填充PCB覆铜板半固化片的制备方法,包括:先将一定比例的固化剂、促进剂和溶剂搅拌均匀得到透明溶液,然后在加入一定比例的树脂,搅拌一段时间后,使得树脂完全溶解;加入粒径为1‑10纳米的SiO2、MgO、Al2O3和CaO陶瓷粉体混合物,然后进行高速搅拌,从而使纳米陶瓷在环氧树脂中分布均匀;最后再通过玻纤布沉浸上胶、烘干等步骤,制备PTFE基的PCB覆铜板半固化片。本发明通过在环氧树脂中加入一定比例的纳米陶瓷粉体,并使陶瓷颗粒与环氧树脂混合均匀,大大提高覆铜板半固化片的均一性及热性能,对5G时代高频PCB覆铜板的应用具有重要作用。
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公开(公告)号:CN110311033A
公开(公告)日:2019-10-08
申请号:CN201910643425.7
申请日:2019-07-17
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司 , 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种电调控交换偏置方法,包括以下步骤:S11:电调控器件的原始态处于高阻态。将电调控器件的电压从0V开始向负电压扫描,扫描至-4.2V时的限制电流设定为1mA,此时电调控器件开启,由高阻态转化为低阻态,矫顽力和交换偏置场处于最小值。然后继续扫描至-5V,再从-5V扫描至0V;S21:取消限流,从0V开始向正电压扫描,扫描至3.2V时电调控器件重置,由低阻态转化为高阻态,矫顽力和交换偏置场处于最大值;然后继续扫描至5V,再从5V扫描至0V。本发明还公开了一种电调控器件及其制备方法。本发明能够实现室温下、可逆、非易失、可重复的电调控交换偏置效应。
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公开(公告)号:CN105490146B
公开(公告)日:2019-01-08
申请号:CN201610019501.3
申请日:2016-01-12
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种三维狄拉克半金属材料红外可饱和吸收器件,使用零带隙、线性能量色散关系的三维狄拉克半金属材料作为可饱和吸收层,工作波长覆盖红外区域,并且多种参数具有高度可调控性;器件包括由三维狄拉克半金属材料构成的可饱和吸收层和承载该可饱和吸收层所需的光学元件。其中反射型可饱和吸收器件由上至下的如下材料分布:功能层(1)、光学衬底(2)、可饱和吸收层(3)和反射层(4)构成;透射型可饱和吸收器由功能层(1)、光学衬底(2)和可饱和吸收层(3)组成;工作波长覆盖红外区域,基于这种三维狄拉克半金属材料可饱和吸收器件的红外调Q和锁模激光器具有稳定性高、工作波长可调谐、输出功率大等优点。
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公开(公告)号:CN108966489A
公开(公告)日:2018-12-07
申请号:CN201810697550.1
申请日:2018-06-29
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H05K1/0306 , B32B9/005 , B32B9/041 , B32B15/20 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B38/00 , B32B2457/08 , H05K3/022
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷基PCB覆铜板及覆铜方法,主要包括:采用电子束蒸镀的方法在烧结打磨好的陶瓷片的上下两个表面先蒸镀一层金属薄膜,然后将得到的样品的上下两面放上铜箔,放到热压炉中进行压合覆铜,其中金属薄膜可以是钛薄膜,也可以是镍薄膜,根据所覆薄膜选择合适的蒸镀条件。由于陶瓷片比普通的半固化片更耐高温,因此非常适合此种方法。通过此方法得到的陶瓷基PCB覆铜板的铜箔剥离强度明显提高,为5G时代对PCB板的更高要求打下基础。
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公开(公告)号:CN108859326A
公开(公告)日:2018-11-23
申请号:CN201810578705.X
申请日:2018-06-07
Applicant: 南京大学
CPC classification number: B32B5/02 , B32B15/20 , B32B27/12 , B32B27/30 , B32B27/308 , B32B27/322 , B32B37/06 , B32B37/1009 , B32B2260/021 , B32B2260/046 , B32B2262/101
Abstract: 本发明公开了一种PTFE基PCB覆铜板的覆铜方法,包括:首先在半固化片上下两面分别平铺上FEP或PFA薄膜,再放置于上铜板和下铜板之间对齐连接,再将相同尺寸大小的两片铜箔置于上下两个薄膜表面的最外层;然后放置于热压机中,以适当的温度、压力和时间压合各层形成覆铜板,使板材之间结合紧密。本发明通过一片半固化片、两片FEP或PFA薄膜和两片铜箔的叠放、热压处理,得到铜片与半固化片附着强度明显提升的PTFE基PCB覆铜板,为5G时代对高频覆铜板的高性能要求打下基础。
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公开(公告)号:CN108528463A
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201810464411.4
申请日:2018-05-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 加长超高真空载样小车,小车起码有两节,两节以上小车能够载样正常跨越插板阀,所述的超高真空样品输运的每节小车均设有超高真空样品存储平台,每节小车均设有固定在样品存储台的永磁铁,每节小车均起码设有4个小车导向轮;每节小车的长度超过插板阀宽度两倍。该加长超高真空样品输运小车不仅可以载样16块,还可以在超高真空下有插板阀的导轨间正常通行,实现样品在不停系统多腔室的中的传递工作,结构简单。
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公开(公告)号:CN108341662A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201810340446.7
申请日:2018-04-17
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种低介电常数低损耗高频陶瓷基板材料的制备方法,包括如下步骤:根据比例配置好原料,然后加入酒精进行球磨混料;将球磨后的浆液放入烘箱中进行烘干;烘干研磨后的粉料加入固化剂继续进行研磨,充分混合并磨碎磨细,干压成型得到生坯;将生坯放入炉子里面烧结得到氧化铝陶瓷板材料。本发明加入钴元素来降低介电常数,制作工艺简单,成本低,操作周期短,无毒无害无污染,且制作出来的陶瓷电路板经过SEM测试,致密性能好,通过矢量网络分析仪测试介电性能和低损耗都能满足5G情况下的频率要求,是理想的高频电路板基板材料。
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