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公开(公告)号：CN119822319A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411933426.2
申请日：2024-12-26
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高导电晶硅纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：步骤1、利用光刻和刻蚀在氧化硅片或柔性衬底表面制备引导沟槽，随后利用光刻和蒸镀在所述引导沟槽末端制备催化剂金属条带；步骤2、在PECVD设备中，利用氢等离子体处理，将催化剂金属还原成液滴，随后沉积非晶硅，并在真空中加热退火生长晶硅纳米线阵列；步骤3、利用氢等离子体刻蚀残余非晶硅，并通过450℃低温热退火处理脱氢，获得高导电晶硅纳米线阵列。本发明方法制备的高导电晶硅纳米线具有优异的电学特性、形貌和位置精确可控、易于集成的特点，且制备温度低、无需额外掺杂工艺。形成的温度传感单元具有尺寸小、灵敏度高、成本低和易大面积集成的优势。
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公开(公告)号：CN117939999A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410108528.4
申请日：2024-01-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种基于石墨烯交叉纳米条带的柔性霍尔传感器件，制备方法包括在淀积二氧化硅的柔性衬底上诱导生长直径均匀的硅纳米线；将一个柔性衬底样品上的硅纳米线转移到另一个带有硅纳米线的柔性衬底样品上，并保持两个柔性衬底样品上的纳米线相互交叉垂直；将生长于铜网上带有光刻胶的石墨烯清洗后转移至淀积有钝化层的柔性衬底上；将制备的具有交叉硅纳米线的薄膜覆盖到覆盖有石墨烯的柔性衬底上，定义需要刻蚀的长方形区域，得到需要制备交叉垂直石墨烯纳米条带的区域；以垂直交叉纳米线为模板，刻蚀掉未被垂直交叉纳米线掩盖区域的石墨烯，被掩盖区域得到垂直交叉石墨烯纳米条带。
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公开(公告)号：CN116854021A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310575260.0
申请日：2023-05-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳尺度机械互锁结构，包括至少一根设置于衬底上的具有预设深度的微纳米立柱，及至少带有一个钩状结构的微纳米硅线，所述微纳米硅线的钩状结构与微纳米立柱的形状、数量匹配，且与所述微纳米立柱嵌套互锁。本发明的互锁微纳米线结构由传统硅材料制成，制备过程简单且可与成熟的硅工艺兼容，且获得的互锁结构使得微纳米线结构可承受大的外力而不发生脱落。
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公开(公告)号：CN113130325B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202110404186.7
申请日：2021-04-15
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种平面超晶格纳米线场效应晶体管及其制备方法，本发明是通过分区淀积叠层非晶锗硅前驱体生长出可精确定位的分区超晶格纳米线，通过光刻或者EBL的方法在超晶格区域的纳米线两侧做源漏电极，接着根据需要选择性刻蚀纳米线超晶格结构区域的晶体锗或者晶硅，在源漏电极之间留下纳米片状的晶体硅或者晶体锗作为导电沟道；然后淀积一层栅介质，最后通过光刻或EBL的方法在源漏电极之间做栅电极即完成制备Fin‑FET。
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公开(公告)号：CN115377201A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202211067410.9
申请日：2022-09-01
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088
Abstract: 本发明公开了一种通过源漏电压操作的非对称电极可重构晶体管，包括衬底和设置于所述衬底上的多台阶沟道内分布有掺杂纳米线阵列，位于所述掺杂纳米线阵列两端且垂直于所述掺杂纳米线方向分别沉淀有漏极接触金属和源极接触金属，所述衬底两端的漏极接触金属与源极接触金属之间的上方沉积有栅介质层及栅极薄膜层。采用非对称的源漏极金属和掺杂纳米线沟道进行接触，能够获得非对称的肖特基势垒，通过漏极电压的预偏置效果可以初始调节漏极金属和掺杂纳米线沟道之间的肖特基势垒，改变漏极电压的正负加上栅极调控，即可改变晶体管的极性，获得无需改变载流子类型的可重构晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114400248A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210041211.4
申请日：2022-01-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种精确引导生长高均一性直径纳米线的方法，包括以下几个步骤：通过PECVD于垂直方向交替沉积多层SiO2和Si3N4，形成纵向密排堆叠结构，等离子体刻蚀和酸处理后形成纵向侧壁引导凹槽；或者，在衬底上通过电子束曝光及刻蚀获得横向平面内密排引导沟槽；将整个衬底样品沉积非晶硅前驱体，非晶硅前驱体的厚度大于所述引导凹槽或者大于密排引导沟槽的深度以形成更好的前驱体覆盖；通过等离子体刻蚀技术，将所述引导凹槽或密排引导沟槽的表面、侧壁上的非晶硅前驱体刻蚀掉，仅保留引导凹槽或引导沟槽内部的非晶硅前驱体。
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公开(公告)号：CN112599418B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011470043.8
申请日：2020-12-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开一种三维折线纳米线阵列垂直场效应晶体管的制备方法，包括：1）利用刻蚀技术在图形化衬底上刻蚀出三维台阶形状；2）在刻蚀有三维台阶的衬底上沉积质介质薄膜层后再次刻蚀使三维台阶附近异质侧壁暴露，然后利用选择性刻蚀在异质侧壁构造引导沟道；3）在异质侧壁构造的引导沟道内制备纳米级催化金属颗粒；4）在整个结构表面淀积覆盖与所需生长纳米线对应非晶半导体前驱体薄膜层；5）升高温度使纳米级催化金属颗粒引导沟道中由固态转变为液态，前端开始吸收非晶层，后端析出折线形晶态纳米线；6）以折线形晶态纳米线垂直部分为沟道区域，水平部分为源漏电极区域，制备短沟道场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN112420615B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202011400917.2
申请日：2020-12-04
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/8238 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L27/092 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种半导体结构制备方法，包括以下几个步骤：第一步，形成第一基材层和第二基材层，第一基材层由交替沉积的第一薄膜层和第二薄膜层组成，第二基材层由在第一基材层上交替沉积的第一薄膜层和第三薄膜层组成，所述第一薄膜层为硅的氧化物或者硅的氮化物薄膜，所述第二薄膜层为本征或者P型非晶层，所述第三薄膜层为N型非晶层，在第二薄膜层上刻蚀第一沟槽，第三薄膜层上刻蚀第二沟槽。
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公开(公告)号：CN111540806B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202010392107.0
申请日：2020-05-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/12 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L33/06 , H01L33/26 , H01L33/28 , H01L33/30 , A61B5/00 , A61B5/024 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种全面屏集成脉搏传感器，包括设置于电子产品上的显示面板，还包括位于所述显示面板上方或下方的传感器层，所述传感器层包括硅锗纳米线径向结、量子点层以及透明底电极；所述显示面板设置有正常显示区域和脉搏传感器阵列区；所述硅锗纳米线径向结呈阵列分布于所述量子点层上方的所述透明底电极上，所述透明底电极与电子产品的锁相放大器连接。
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公开(公告)号：CN111693444B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010586001.4
申请日：2020-06-24
Applicant: 南京大学
IPC: G01N15/10 , G01N21/64 , G01N33/487 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种用于细胞力学检测的弹簧纳米线探测器，包括一端固定于微机械操作平台上的垂直型三维状纳米线弹簧或水平波浪线型纳米线弹簧，所述垂直型三维状纳米线弹簧或水平波浪线型纳米线弹簧的另一端末端为直线型或钩状的悬空结构；当所述直型三维状纳米线弹簧或水平波浪线型纳米线弹簧的另一端末端为直线型时，所述直线型的纳米线末端表面设有荧光标记物。本发明通过控制纳米线弹簧的实时形变观察即可测试相关力学性质，且端部设有悬空的纳米级探头，可实现对细胞无损伤检测。
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