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公开(公告)号:CN103397295A
公开(公告)日:2013-11-20
申请号:CN201310314542.1
申请日:2013-07-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种工模具材料表面的TiN双层镀层及其制备方法,包括下述步骤:(1)将工模具材料表面的离子镀TiN层进行机械研磨后再进行清洗;(2)利用磁过滤离子镀装置镀覆TiN层,得到TiN双层镀层。该TiN双层镀层表面平整,膜基结合力高,抗磨损性能好,有利于延长模具的使用寿命;而且镀膜的加工质量高;也适用于涂层效果不佳,膜层有损伤或者经过一定使用程度后的涂层刃具和涂层模具及其修复工作。在镀膜过程中采用电气和机械自动控制,适于批量生产。
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公开(公告)号:CN102351249B
公开(公告)日:2013-08-28
申请号:CN201110204454.7
申请日:2011-07-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种纳米结构三氧化钼的制备方法,具体步骤如下:(1)将基片进行清洗并烘干;(2)将钼蒸发源置于电热板加热区,将基片置于钼蒸发源正上方0.1~5.0mm,开启电热板升温至200~600℃,保温0.1~48h;(3)关闭电源,随电热板冷却至室温;取下基片,此时基片表面沉积出的一层白色物质即为三氧化钼。本发明工艺设备简单,成本低廉,制备温度低,适用于不同基片上大面积制备产率高,且制备过程中无需任何催化剂;制备的三氧化钼产物结晶性能良好,无任何杂相。
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公开(公告)号:CN101941311B
公开(公告)日:2013-07-17
申请号:CN201010232127.8
申请日:2010-07-20
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铜-金刚石复合镀层及其制备方法。所述复合镀层从下到上由铜镀层、铜-金刚石复合上砂镀层和铜加固层组成。制备方法包括以下步骤:在工件表面先用电镀法沉积铜镀层,然后在铜镀层的表面沉积铜-金刚石复合上砂镀层,最后在铜-金刚石复合上砂镀层的表面沉积铜加固层,即得到铜-金刚石复合镀层。该铜/金刚石复合镀层体积密度含量高,分散均匀,可用作CVD在铜基体上沉积金刚石薄膜的底层,沉积出的CVD金刚石膜具有镶嵌结构界面,提高CVD金刚石膜/铜基界面结合力。
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公开(公告)号:CN102360700A
公开(公告)日:2012-02-22
申请号:CN201110253060.0
申请日:2011-08-30
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: Y02B30/66
Abstract: 本发明公开了一种室温磁制冷机用永磁体系统,包括提供励磁源的永磁体和起导磁作用的E型导磁框架,所述导磁框架中部的磁铁芯将整个框架分为上下两个区间,所述磁铁芯的外端为上下突出的平台结构;在上下两区间内分别设有两层导磁材料,所述导磁材料的外端与磁铁芯的外端平齐,内端与框架内壁留有间隙,导磁材料与磁铁芯的平台之间形成工作间隙,在工作间隙外的导磁框架区间内按Halbach旋转定理确定的方向填入不同充磁方向的永磁体。本发明的永磁体系统可以装载更多的磁工质,增大制冷量;气隙场场强均匀性好,减少了磁工质内部的换热,增大换热效率;结构更加紧凑、高效。
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公开(公告)号:CN101948999A
公开(公告)日:2011-01-19
申请号:CN201010293856.4
申请日:2010-09-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂发光氮化铝薄膜及其制备方法。该方法包括步骤:制备镶嵌靶材,并装在磁过滤电弧镀靶上;对基体进行表面化学清洗;将基体装入电弧离子镀膜机中,抽本底真空度至小于3.0×10-3Pa;加偏压-800V;开启弯曲弧磁过滤器和磁过滤电弧镀靶,对基体进行氩弧等离子轰击清洗;保持磁过滤管电流、电弧靶电流和占空比,将偏压调控在-100~-400V,通入氮气,镀膜30~90min;镀膜结束后,关掉磁过滤电弧镀靶和弯曲弧磁过滤器,取出样品,得到掺杂发光氮化铝薄膜。制备过程中样品温度不超过180℃,沉积后也不需要进行扩散热处理。制备工艺简单,易于操作,在镀膜过程中可采用电气和机械自动控制。
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公开(公告)号:CN101941311A
公开(公告)日:2011-01-12
申请号:CN201010232127.8
申请日:2010-07-20
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铜-金刚石复合镀层及其制备方法。所述复合镀层从下到上由铜镀层、铜-金刚石复合上砂镀层和铜加固层组成。制备方法包括以下步骤:在工件表面先用电镀法沉积铜镀层,然后在铜镀层的表面沉积铜-金刚石复合上砂镀层,最后在铜-金刚石复合上砂镀层的表面沉积铜加固层,即得到铜-金刚石复合镀层。该铜/金刚石复合镀层体积密度含量高,分散均匀,可用作CVD在铜基体上沉积金刚石薄膜的底层,沉积出的CVD金刚石膜具有镶嵌结构界面,提高CVD金刚石膜/铜基界面结合力。
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公开(公告)号:CN101941076A
公开(公告)日:2011-01-12
申请号:CN201010248238.8
申请日:2010-08-06
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于电磁波吸收材料的多层空心金属微球的制备方法。本发明微球通过自催发还原反应和化学镀工艺相结合的方法制备。采用自催发还原反应获得的内层空心Ni球;单层或多层Co、Fe金属或Co1-xFex合金薄膜通过化学镀涂敷在Ni空心球表面,厚度为可调。获得的多层空心微球具有高的磁化强度,密度<3.0g/cm3。本发明电磁波吸收材料满足高频电磁波吸收的要求,同时具有轻质、薄层的特点。
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公开(公告)号:CN119986268A
公开(公告)日:2025-05-13
申请号:CN202510093877.8
申请日:2025-01-21
Applicant: 华南理工大学
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明涉及电子元器件测试技术领域,公开了一种适用于一体成型电感或磁粉芯的绝缘耐压测试方法,包括以下步骤:(1)将绝缘耐压测试仪的高压输出端连接高压电笔,高压输入端与待测试样品电连接,设置绝缘耐压测试仪的测试参数,包括设定漏电流阈值在0.1mA至1mA之间;(2)对待测试样品加电压,高压电笔在点式接触模式下与待测样品表面紧密接触;(3)采用数学分布统计方法对收集到的击穿电压数据进行统计分析,计算得出拟合绝缘耐压值。该方法不仅有效提高了测试效率,增强了测试结果的精确度和可信度,同时降低了测试成本,并避免了测试后产品磁性能的显著降低。
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公开(公告)号:CN118538495A
公开(公告)日:2024-08-23
申请号:CN202410714606.5
申请日:2024-06-04
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本高性能复合磁体及其制备方法与应用。本发明方法是先利用退磁场分析,明确不同形状的磁体在外磁场下的退磁过程,确定易退磁的区域;然后在易退磁的区域使用高矫顽力磁体,在退磁较晚的区域使用低矫顽力磁体,将两种不同性能的永磁体切割呈特定的形状,用粘结剂粘接在一起获得复合磁体。获得的复合磁体既具有高的矫顽力,又具有高的剩磁;同时,由于降低了高成本高矫顽力磁体的用量,比单独使用性能较好的永磁体更有成本优势;而且相对于晶界扩散磁体,其工艺复杂,扩散热处理过程中会使原始磁体未扩散部位性能降低。该复合磁体制备的工艺比较简单,有利于批量生产。
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