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公开(公告)号：CN104009160B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410268150.0
申请日：2014-06-17
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于光伏材料与器件制备领域，特别涉及一种聚合物太阳电池及其制备方法。本发明聚合物太阳电池采用依次层叠的方式，从底层依次为衬底、透明导电金属氧化物阳极层、阳极修饰层、光电活性层、阴极修饰层和低功函阴极层，所述的阳极修饰层和阴极修饰层为通过不同方式处理的草酸铌膜。阳极修饰层可以有效的实现空穴的收集，在提高ITO功函的同时不易腐蚀ITO；阴极修饰层可选择性地收集电子、阻挡空穴，从而增大开路电压；通过阳极和阴极同时修饰使聚合物太阳能电池表现优异的性能。
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公开(公告)号：CN103928615B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410184500.5
申请日：2014-05-05
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳电池阴极修饰技术领域，特别涉及一种自组装型聚合物太阳电池阴极修饰材料及其修饰方法。本发明聚合物太阳电池阴极修饰材料为通过自组装而成的聚偏氟乙烯PVDF薄膜。其制备方法为将PVDF溶液直接滴加在活性层溶液中，充分搅拌，经一次性旋涂后通过溶剂退火得到自发分离阴极修饰层。PVDF溶液的引入，降低了聚合物太阳电池中电子收集的势垒，实现了电子的高效收集；自发分离的PVDF薄膜作为缓冲层有效减少空穴和电子的复合，降低漏电流，使聚合物太阳电池光电转换效率得到提高。并且该聚合物太阳电池具有制作工艺简单，成本低廉，实验重复性好，适合于大规模工业化生产等特点。
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公开(公告)号：CN105470400A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510802508.8
申请日：2015-11-19
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0002
Abstract: 本发明属于钙钛矿光电材料与器件技术领域，特别涉及一种钙钛矿膜的制备方法和应用。所述钙钛矿膜的制备方法为：将铅源和胺盐分别溶于有机溶剂中，得到铅源前驱体溶液和胺盐前驱体溶液；将上述两种前驱体溶液分别旋涂于两个基底上，加热除去溶剂，得到均匀的膜；将两片膜对贴，中间用垫片隔开，并形成近距离空间，真空加热使胺盐升华与铅源反应，得到钙钛矿膜。该方法可用于制备钙钛矿太阳电池的钙钛矿膜和钙钛矿发光器件的钙钛矿膜。与传统的一步法和两步法相比，采用本方法制备的钙钛矿层具有更好的形貌，适合于制备大面积的光电器件，应用到器件中显著地提高了器件的性能和实验的批次重复性。
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公开(公告)号：CN105226190A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510536105.3
申请日：2015-08-27
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/422 , H01L51/0035
Abstract: 本发明公开了一种平面异质结钙钛矿太阳能电池，所述平面异质结钙钛矿太阳能电池包括电子传输层，所述电子传输层是由n-型共轭聚合物材料制备得到的。本发明的钙钛矿太阳能电池中，钙钛矿材料吸收太阳光产生激子并分离出空穴和电子。本发明将PX-PDI用于钙钛矿太阳能电池的电子传输层，收集和传输电子，显著提高了器件性能。所述电子传输层的制备工艺简单，无需高温过程，成本低廉，实验重复性好，适用于大规模工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104979494A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510272652.5
申请日：2015-05-26
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0026
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。所述方法使用醋酸铅作为铅源，通过一步溶液法加工，将醋酸铅与CH3NH3I的混合液作为前驱体溶液旋涂在空穴传输层上，得到钙钛矿薄膜。所得到的薄膜可用作钙钛矿太阳能电池中的钙钛矿薄膜。本发明采用醋酸铅作为钙钛矿的前驱体，有效提高了膜表面的平整度，大大降低了载流子在活性层界面的复合，提高了材料的抗溶剂性能，显著提高了器件的性能。本发明还具有制备工艺简单，成本低廉，实验重复性好、适合于大规模工业化生产等优点。
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公开(公告)号：CN104022185A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410268812.4
申请日：2014-06-17
Applicant: 华北电力大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0264
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L51/0003 , H01L51/0032 , H01L51/424
Abstract: 本发明属于太阳电池技术领域，特别涉及一种钙钛矿膜及其制备与应用方法。本发明采用两步法生成钙钛矿膜，PbI2膜采用溶液加工的方法制备，使得工艺简单，高效。另外两步法有效的提高了膜表面的平整度，大大的降低了载流子在活性层界面的复合，有效提高材料的抗溶剂性能，显著的提高了器件的性能。本发明还具有制备工艺简单，成本低廉，实验重复性好、适合于大规模工业化生产等特点。
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公开(公告)号：CN104009160A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410268150.0
申请日：2014-06-17
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/424 , H01L51/0003 , H01L51/0021 , H01L51/441
Abstract: 本发明属于光伏材料与器件制备领域，特别涉及一种聚合物太阳电池及其制备方法。本发明聚合物太阳电池采用依次层叠的方式，从底层依次为衬底、透明导电金属氧化物阳极层、阳极修饰层、光电活性层、阴极修饰层和低功函阴极层，所述的阳极修饰层和阴极修饰层为通过不同方式处理的草酸铌膜。阳极修饰层可以有效的实现空穴的收集，在提高ITO功函的同时不易腐蚀ITO；阴极修饰层可选择性地收集电子、阻挡空穴，从而增大开路电压；通过阳极和阴极同时修饰使聚合物太阳能电池表现优异的性能。
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公开(公告)号：CN103972416A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410206672.8
申请日：2014-05-15
Applicant: 华北电力大学
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L51/0002 , H01L51/0034 , H01L51/5092
Abstract: 本发明属于发光二极管器件制备技术领域，特别涉及一种基于反向结构的半导体量子点发光二极管及其制备方法。本发明半导体量子点发光二极管依次包括层叠的衬底、透明导电金属氧化物电极层、电子注入层、量子点发光层、空穴注入层和对电极层，其中涉及的电子注入层采用乙酰丙酮钛膜材料。可采用旋涂等溶液加工的方法制备电子注入层，将乙酰丙酮钛引入反向结构量子点发光二极管器件制备中，实现了电子的有效注入；并且与传统的正向结构和溶胶凝胶法制备的二氧化钛、氧化锌相比，本发明具有发光颜色纯、制备工艺简单，成本低廉，实验重复性和稳定性好、适合于大规模工业化生产等特点。
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公开(公告)号：CN102086396A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN201010567111.2
申请日：2010-11-25
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了属于半导体量子点的制备方法技术领域的一种CuInS2-ZnS/ZnSe/ZnS核壳结构半导体量子点的制备方法及其在发光器件中的应用。将铜源、锌源、铟源和硫源的前躯体溶解于非极性混合溶剂中，在一定温度下成核生长，得到CuInS2-ZnS合金核ZCIS，再向溶液中交替加入锌源和硒源，在核上外延生长ZnSe，然后再外延生长ZnS，制得CuInS2-ZnS/ZnSe/ZnS结构量子点，最后向溶液中加入极性溶剂，沉降、离心、清洗、真空干燥得到固体量子点粉末。本发明得到的量子点尺寸为2-8纳米，粒径均匀，发光波长可调节，产率高。以该量子点为发光材料，制备的红、黄、绿颜色的量子点发光器件，表现出优异的发光性能。
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