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公开(公告)号：CN100465131C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710099675.6
申请日：2007-05-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64 , H01B3/12 , H01L41/187
Abstract: 一种铌酸钠钾锂基无铅压电陶瓷及其制备方法，属于绿色能源材料领域。铌酸钠钾锂基陶瓷的组成成分用非化学计量比通式(NaaKbLic)(NbxTaySbz)O3或添加-nM表示，其中a、b、c表示A位组成元素，x、y、z表示B位组成元素的摩尔分数，数值的选择范围是：0≤a≤1.5，0≤b≤1.5，0＜c≤1.5，1＜a+b+c≤3，0＜x≤1.5，0≤y≤1.5，0≤z≤1.5，1＜(a+b+c)/(x+y+z)≤3或0.2＜(a+b+c)/(x+y+z)＜1，0＜n≤1，M为钙、铜、锰、钡、钇、锶、钛、锆、镧、镁、铝、硅、铁、钴、镍、银、锡、锑和钨的氧化物或复合氧化物中的至少一种。采用商业原料和传统的球磨、焙烧、常压烧结等工艺，制得高压电性能的铌酸钾钠锂无铅压电陶瓷。优点在于，良好的铁电性能；机电耦合系数Kp达到10-50%。
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公开(公告)号：CN100448796C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200710118907.8
申请日：2007-06-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01L41/187
Abstract: 一种低温合成的镁掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，属于功能陶瓷环境友好型材料领域。组成为(NaaKbLic)NbO3+xMgO，其中，a、b、c、x分别表示Na、K、Li、Mg组成元素的摩尔分数，数值的范围是：0.20≤a≤0.80，0.20≤b≤0.80，0.00＜c≤0.30，0.00＜x≤0.30。其制备方法包括原料混合、焙烧、成型、烧结、被银、极化等工艺步骤。本发明的优点在于：通过以MgO、MgCO3或碱式碳酸镁为添加原料有效地降低了铌酸钾钠体系无铅压电陶瓷的烧结温度，在800-1040℃的低温范围内合成了性能优良的陶瓷样品。
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公开(公告)号：CN100427631C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200610144006.1
申请日：2006-11-24
Abstract: 纳米SiC颗粒复合CoSb3基热电材料及其制备方法，属于新型能源材料技术领域。本方法是将Co、Sb以及掺杂元素单质粉末按照化学式：Co1-xMxSb3+ySiC进行配料，然后通过球磨得到均匀的微细粉末。利用放电等离子烧结在250～600℃下反应合成具有纳米SiC颗粒分散的块体CoSb3基热电材料。该方法的特点在于：利用放电等离子烧结直接合成CoSb3相，并利用弥散分散的SiC抑制CoSb3的晶粒生长，最终得到具有细晶组织的纳米SiC分散的CoSb3基热电材料。弥散纳米颗粒和细晶组织能增加声子散射降低热导率，从而获得更好热电性能。同时，由于纳米颗粒弥散增强，而使其具有更好的机械和加工性能。
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公开(公告)号：CN101271955A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810106202.9
申请日：2008-05-09
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种Bi－S二元体系热电材料及制备方法，属于能源材料技术领域。该方法分为化合物的合成与成型两部分。将高纯Bi和S单质按照化学成分进行称量配比后，在惰性气体保护和一定转速下进行高能球磨，干磨合成化合物后再进行湿磨，烘干得到Bi－S二元化合物微细粉末。成型过程通过放电等离子烧结来获得块体材料，放电等离子烧结获得高致密的晶粒细小的Bi－S二元化合物块体。由于放电等离子烧结具有时间短、相对烧结温度低等优点，通过控制烧结工艺可获得致密、晶粒细小的显微结构。该方法通过机械合金化和放电等离子烧结制备Bi－S二元体系热电材料，具有工艺简便，合成和成型的时间短等优点。
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公开(公告)号：CN100390524C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610012016.X
申请日：2006-05-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种薄膜材料的透射电镜样品的制备方法，属于电镜样品制备技术领域。制备步骤为：制备片状的NaCl晶体片，用匀胶机在NaCl晶体基片上制备样品薄膜，把得到的NaCl晶体片固定在匀胶机的托盘上，用甩胶的方法将Sol-Gel法配置的前驱体溶液均匀的涂在NaCl晶体片上，制得厚度在5～200nm的样品薄膜；在热处理炉中进行退火处理；将得到的薄膜试样放在铜栅上至蒸馏水中浸泡，保证NaCl晶体完全溶解后使薄膜吸附在铜栅上，得到透射电镜观察用样品，适用于溶胶凝胶法制备的厚度在5～200nm之间的各种薄膜。优点在于；解决了透射电镜用薄膜样品易受污染、破碎和引入假象的问题。适合制备溶胶-凝胶法制备的各种薄膜样品的透射电镜试样，成本低，应用非常广泛。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100386291C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200410068962.7
申请日：2004-07-15
Applicant: 清华大学 , 北京科技大学 , 日本丰田汽车株式会社
IPC: C04B35/495 , H01L41/187 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了属于功能陶瓷材料领域的一种铌酸钾钠系无铅压电陶瓷及其制备方法。本发明提供的铌酸钾钠系压电陶瓷的组成成分以式(1-n)KxNa1-xNbO3·nMH表示，是采用放电等离子烧结(SPS)工艺制备的，将原料研磨混和后，先经过焙烧合成铌酸盐，再得到的粉料通过放电等离子烧结(SPS)，然后在含氧气氛中进行退火处理制备出压电/铁电陶瓷材料。该压电陶瓷组合物不含铅，并具有良好的压电性能。烧结温度低，烧结时间短，可获得细小、均匀的组织，高致密度并能保持原始材料的自然状态；本发明工艺在于放电等离子、放电冲击压力及电场等的共同作用下，使试样活化表面、加速扩散、提高塑性变形。
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公开(公告)号：CN100383560C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200610012122.8
申请日：2006-06-06
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种纳米银颗粒分散二氧化硅光学薄膜制备方法，属于纳米金属颗粒与无机非金属材料复合材料领域。采用溶胶-凝胶法进行Ag/SiO2复合薄膜的制备。工艺为：配料：原料为硝酸银与正硅酸乙脂，正硅酸乙脂溶液的浓度为0.1～1mol/L，溶剂为乙二醇独甲醚和去离子水，其中去离子水与乙二醇独甲醚的比例控制在5%～20%；硝酸银与正硅酸乙脂摩尔比为0.018∶1～7.87∶1；制备前驱体溶液；制备Ag/SiO2薄膜。优点在于：采用匀胶机制备薄膜，价格低廉，反应温度300℃～900℃，薄膜化学计量成分可控，制备周期短，节省能源。制备的纳米银颗粒分散二氧化硅非线性光学薄膜具有优良的非线性光学特性，在特定的波长处可观察到吸收峰，复合薄膜中Ag含量最高达到90wt%。
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公开(公告)号：CN101067708A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710100037.1
申请日：2007-06-05
Applicant: 北京科技大学
IPC: G02F1/355
Abstract: 一种纳米金颗粒分散氧化镍复合光学薄膜制备方法，属于纳米金属颗粒与无机非金属材料的复合领域。本发明采用溶胶－凝胶法制备Aux/Ni(1－x)O复合光学薄膜，其中，x表示Au的质量百分比，0＜x≤0.9。原料为氯金酸与硝酸镍，溶剂为乙二醇独甲醚，硝酸镍溶液的浓度为0.1～1mol/L。本发明的优点在于：本发明使用溶胶－凝胶法制备前驱体溶液，薄膜化学计量成分容易控制；用匀胶机制备薄膜。工艺简单，价格低廉，反应温度200℃～700℃，比传统烧结方法低，制备周期短，节省能源；制备的纳米金颗粒分散氧化镍复合光学薄膜具有优良的非线性光学特性，在特定的波长处可观察到吸收峰，在光开关，光计算机，光波分离。
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公开(公告)号：CN101066868A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200710118907.8
申请日：2007-06-14
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01L41/187
Abstract: 一种低温合成的镁掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，属于功能陶瓷环境友好型材料领域。组成为(NaaKbLic)NbO3+xMgO，其中，a、b、c、x分别表示Na、K、Li、Mg组成元素的摩尔分数，数值的范围是：0.20≤a≤0.80，0.20≤b≤0.80，0.00＜c≤0.30，0.00＜x≤0.30。其制备方法包括原料混合、焙烧、成型、烧结、被银、极化等工艺步骤。本发明的优点在于：通过以MgO、MgCO3或碱式碳酸镁为添加原料有效地降低了铌酸钾钠体系无铅压电陶瓷的烧结温度，在800－1040℃的低温范围内合成了性能优良的陶瓷样品。
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公开(公告)号：CN101062864A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710099675.6
申请日：2007-05-28
Applicant: 北京科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64 , H01B3/12 , H01L41/187
Abstract: 一种铌酸钠钾锂基无铅压电陶瓷及其制备方法，属于绿色能源材料领域。铌酸钠钾锂基陶瓷的组成成分用非化学计量比通式(NaaKbLic)(NbxTaySbz)O3或添加－nM表示，其中a、b、c表示A位组成元素，x、y、z表示B位组成元素的摩尔分数，数值的选择范围是：0≤a≤1.5，0≤b≤1.5，0＜c≤1.5，1＜a＋b＋c≤3，0＜x≤1.5，0≤y≤1.5，0≤z≤1.5，1＜(a＋b＋c)/(x＋y＋z)≤3或0.2＜(a＋b＋c)/(x＋y＋z)＜1，0＜n≤1，M为钙、铜、锰、钡、钇、锶、钛、锆、镧、镁、铝、硅、铁、钴、镍、银、锡、锑和钨的氧化物或复合氧化物中的至少一种。采用商业原料和传统的球磨、焙烧、常压烧结等工艺，制得高压电性能的铌酸钾钠锂无铅压电陶瓷。优点在于，良好的铁电性能；机电耦合系数Kp达到10－50％。
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