气体环境原位应力应变测量实验平台

    公开(公告)号:CN110031295A

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201910217214.7

    申请日:2019-03-21

    Abstract: 本发明实施例涉及透射/扫描电子显微镜气体环境力学技术领域,提供的气体环境原位应力应变测量实验平台,包括由下至上依次连接的底座模块、力学加载与测量模块和顶部窗口模块;力学加载与测量模块包括具有的力学加载与测量模块本体,用于放置样品、为样品施加力与位移约束和获取样品的实时应力应变数据;底座模块和顶部窗口模块之间为气体存储空间,用于为不同的环境气体提供反应空间;顶部窗口模块用于密封样品气氛环境,并使电子束穿透样品,从而得到样品的透射电子显微镜图像。该气体环境原位应力应变测量实验平台在原位施加应力载荷状态下,调控样品所处气氛环境,研究样品在不同气氛环境下的力学状态。

    一种记忆合金基纳米层状复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109706415A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201910072573.8

    申请日:2019-01-25

    Abstract: 本发明提供一种记忆合金基纳米层状复合材料及其制备方法。所述记忆合金基纳米层状复合材料,以体积分数为20~80%的X金属作为增强相,NiTi形状记忆合金作为基体;NiTi形状记忆合金与增强相的金属以片层状交替排列,形成层状复合材料,所述增强相的片层厚度达到微纳米尺度,X金属为Nb、Cu、Ta、Ni、Mo、W中的一种。本发明采用纳米层状复合材料形式,以NiTi形状记忆合金作为基体,制备了记忆合金基纳米层状复合材料。得益于纳米增强相和NiTi形状记忆合金基体的大弹性应变,以及纳米层状材料本身具有的包括可以实现大块体形式等诸多优势,该记忆合金基纳米层状复合材料有望在大块体材料中可控地实现高强度和高韧性。

    一种透射电镜样品杆真空存储与测试装置

    公开(公告)号:CN106783494B

    公开(公告)日:2018-07-06

    申请号:CN201611110688.4

    申请日:2016-12-06

    Abstract: 一种透射电镜样品杆真空存储与测试装置属于透射电子显微镜真空配件领域。在样品杆存储的同时,可对样品杆进行通电,加热测试。该装置包括可移动机架,真空泵系统,真空测量与显示系统,真空罩,阀门系统,样品杆存储组件及堵塞。该装置可同时存储多根的样品杆,并预留增加窗口。该装置可在5分钟内将腔体内气压从空气气压抽到4×10‑4Pa,极限真空可达5×10‑5Pa。该装置可以有效避免样品杆在外界放置时受到污染或侵蚀而污染电镜,大幅度缩短样品杆在电镜中的预抽时间,使电镜更快达到稳定的真空度,增加样品杆的使用寿命。本装置操作方便,真空度好,易于添加样品杆存储工位,适用于不同类型的透射电镜样品杆使用。

    在扫描电镜中对纳米液体样品的透射散射成像装置及方法

    公开(公告)号:CN104897700B

    公开(公告)日:2017-09-22

    申请号:CN201510315422.2

    申请日:2015-06-10

    Abstract: 在扫描电镜中对纳米液体样品的透射散射成像装置及方法属于电子显微分析装置技术领域,尤其涉及在扫描电镜SEM中对纳米液体样品的反射和透射散射成像技术领域,其特征在于,在SEM样品室内,在纳米液体样品的薄窗口正下方5mm~10mm处,安装一个透射散射电子探测器TSD,在入射电子能量为15keV~30keV的条件下,对密封液体中几nm~500nm的纳米颗粒形成分辨率为几nm、放大倍率为×50~×100000及像衬度好的透射散射电子像,TSD探测器适于安装在各类SEM中,与二次电子探测器ETD、能谱仪EDS和阴极荧光谱仪CL协同使用,观测金属、半导体、无机、有机、复合物、生物等类纳米材料。

    一种透射电镜用基于形状记忆效应的原位单轴拉伸变形装置

    公开(公告)号:CN103884585B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410109395.9

    申请日:2014-03-23

    Abstract: 一种透射电镜用基于形状记忆效应的原位单轴拉伸变形装置,利用该装置并结合透射电镜的显微结构分析实现对纳米材料变形过程中的显微结构演化进行原位动态记录,属于纳米材料力学性能?显微结构一体化原位表征领域。该拉伸装置包括驱动装置、支撑装置和拉?压力转换装置组成。拉伸装置的驱动力由记忆合金弹簧提供,支撑装置为金属环,拉?压力转换装置通过微细加工技术得到,将记忆弹簧对转换装置施加的压力转换为对样品的拉伸力。对材料在特定温度范围内的面内加载可以通过调控记忆合金马氏体相变的开始温度和结束温度。该拉伸装置不会影响透射电镜样品杆的双轴倾转功能,可实现原子尺度下对变形过程中的显微结构演化进行原位动态的观察。

    一种透射电子显微镜用双轴倾转样品杆

    公开(公告)号:CN105758876A

    公开(公告)日:2016-07-13

    申请号:CN201610237949.2

    申请日:2016-04-17

    CPC classification number: G01N23/04

    Abstract: 一种透射电子显微镜用双轴倾转样品杆,包括样品杆杆身主体、前端倾转台、驱动杆、连杆、倾转轴、旋转轴、驱动杆固定轴和样品载台。前端倾转台留有轴孔,通过倾转轴与样品杆杆身主体相连接。通过旋转轴使连杆、凸台卡槽和驱动杆卡槽相连接。样品杆杆身前端两侧位置设计对称的两个贯通的运动导槽,通过驱动杆固定轴固定驱动杆,约束驱动杆在杆身主体后端的直线步进电机驱动下,进行往复式直线运动,进而使样品台绕倾转轴旋转。本装置可通过高精度直线步进电机精确控制样品载台倾转角度。本装置可通过前端倾转台下表面凸台与水平方向上的夹角和运动导槽的长度来调节样品台的最大倾转角度。本装置可以与常规的透射电子显微镜配合使用,通用性广。

    一种透射/扫描电镜力、热耦合场加载的原位实验平台

    公开(公告)号:CN105301027A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510813388.1

    申请日:2015-11-22

    Abstract: 一种透射/扫描电镜力、热耦合场加载的原位实验平台属于材料显微结构-力学性能原位表征领域。该平台主要由加热兼样品搭载的加热区、驱动梁、热沉梁、质量块和衬底组成。该平台驱动部分为V型电热驱动梁,步进精度可达纳米量级,变形方式可以实现单轴拉伸。该平台整体尺寸小,可置于多电极TEM双轴倾转样品杆前端的狭小空间内,并配合样品杆进行双轴倾转观测;该平台同样可以与扫描电镜及扫描电镜装配的附件如:各种能谱、显微结构(EBSD)配合使用。在材料被加热并变形的同时,可以在亚埃、原子和纳米尺度下对材料室温~高温(600℃)的变形过程进行原位观察,研究其变形机制,揭示其显微结构与力学性能的关系。

    在扫描电镜中对纳米液体样品的透射散射成像装置及方法

    公开(公告)号:CN104897700A

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201510315422.2

    申请日:2015-06-10

    Abstract: 在扫描电镜中对纳米液体样品的透射散射成像装置及方法属于电子显微分析装置技术领域,尤其涉及在扫描电镜SEM中对纳米液体样品的反射和透射散射成像技术领域,其特征在于,在SEM样品室内,在纳米液体样品的薄窗口正下方5mm~10mm处,安装一个透射散射电子探测器TSD,在入射电子能量为15keV~30keV的条件下,对密封液体中几nm~500nm的纳米颗粒形成分辨率为几nm、放大倍率为×50~×100000及像衬度好的透射散射电子像,TSD探测器适于安装在各类SEM中,与二次电子探测器ETD、能谱仪EDS和阴极荧光谱仪CL协同使用,观测金属、半导体、无机、有机、复合物、生物等类纳米材料。

    透射电镜中原位双倾单轴拉伸纳米线、二维层状薄膜装置及方法

    公开(公告)号:CN104634660A

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201510058796.0

    申请日:2015-02-04

    Abstract: 透射电镜中原位双倾单轴拉伸纳米线、二维层状薄膜装置及方法,属于透射电镜配件及纳米材料原位力学性能测量研究领域。包括支撑部分、动力部分和载网三部分。支撑部分是金属环;驱动部分是热双金属片,双金属片一端固定在金属环上,另一端通过加热膨胀弯曲移动,产生驱动力;载网可搭载纳米材料,并粘附在双金属片的自由端,加热弯曲的双金属片拉伸载网,从而使纳米材料达到拉伸效果。该装置可以方便实现单根纳米线轴向拉伸、以及单层/多层二维薄膜的拉伸,解决了以往双金属片技术中纳米线和薄膜难以固定以及稳定性差的问题,并可同时观察材料在变形过程中的结构演变。

    一种增强ZnO微米线/纳米线紫外发光强度的方法

    公开(公告)号:CN104576849A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410812473.1

    申请日:2014-12-22

    Abstract: 一种增强ZnO微米线/纳米线紫外发光强度的方法,基于ZnO微纳结构的光电系统和发光器件在半导体技术,生物医学,能源环境等领域的应用。本发明步骤如下:衬底的清洗:采用单晶硅片为复合基底中的衬底,分别采用丙酮和乙醇进行超声波清洗;在Si衬底上生长一层厚度为60~70nm的Au膜;在Au膜上生长一层SiO2薄膜做为介质层,得到Si-Au-SiO2复合基底,SiO2薄膜厚度为5~100nm,其中紫外增强效果最明显的SiO2薄膜厚度为5~10nm(或者:SiO2薄膜厚度为5~10nm);采用具有 取向的ZnO纳米线/微米线,将ZnO微米线/纳米线放入乙醇溶液或蒸馏水中,经超声波分散3~5min后,用滴管滴在Si-Au-SiO2复合基底上。复合基底上的ZnO微米线/纳米线的紫外发光强度,比无复合基体的发光强度明显增加。

Patent Agency Ranking