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公开(公告)号：CN103177761A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110439905.5
申请日：2011-12-23
Applicant: 北京大学
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/74 , G11C2213/79
Abstract: 公开了一种阻变存储设备及其操作方法。该设备包括：设置成矩阵形式的多个阻变存储单元，每个阻变存储单元包括开关元件和阻变器件，所述开关元件控制端连接字线，一端连接阻变器件，另一端连接位线；字线解码器，对输入的地址信号进行解码，导通至少一个阻变存储单元中的开关元件；驱动电路，通过位线与所述开关元件的导通同步地向所述阻变器件两端施加前沿缓慢变化的电压脉冲。利用上述实施例的方案，能够提高阻变器件耐久特性，例如减小高低阻值窗口退化和器件随转变次数失效。
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公开(公告)号：CN103022351A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210587179.6
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了基于忆阻器和薄膜晶体管的柔性存储器及多阻态的实现，该柔性存储器包括串联的薄膜晶体管和忆阻器，薄膜晶体管的衬底为柔性衬底。该方法包括如下步骤：在忆阻器件的RESET过程中，对忆阻器件施加栅压，同时在薄膜晶体管的源端施加正偏压，并将忆阻器件的顶电极接地，使忆阻器件反偏进入最高阻态；将栅压依次减小，减小栅压的过程中始终将所述薄膜晶体管的源端接地，使得忆阻器件的顶电极正偏，进入忆阻器件的SET过程得到不同的阻值。本发明通过薄膜晶体管和忆阻器串联方式，解决了忆阻器的多级电阻态控制问题，同时，利用薄膜晶体管的低温工艺特点，可以使基于忆阻器和薄膜晶体管的存储器应用到柔性电子存储电路中。
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公开(公告)号：CN103022350A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210587167.3
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器件，包括衬底层，所述衬底层之上有多层隔离层，每两层隔离层之间包括一层忆阻单元，忆阻单元包括两层可动离子阻挡层和中间的平面电极层；还包括从最上层的隔离层刻蚀至最下层隔离层的顶电极刻蚀槽；所述顶电极刻蚀槽及最上层隔离层的表面覆盖有电解质层；所述顶电极刻蚀槽内设置有顶电极；还包括分别从最上层隔离层表面覆盖的电解质层刻蚀至各忆阻单元的平面电极层而形成的多个底电极。本发明并提供了制备该忆阻器件的制备方法。本发明提出的垂直结构的忆阻器件，简化了三维忆阻器件的工艺，同时采用可动金属离子阻挡层技术，有效解决可动离子污染问题。
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公开(公告)号：CN101847688B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010163100.8
申请日：2010-04-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种减小阻变存储器阻值离散性的方法，该方法包括：S1、在Forming过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从初始态转为低阻态；S2、在SET过程中施加一个电流脉冲，使阻变存储器的阻变材料从高阻态转为低阻态；S3、在RESET过程中施加一个反向电压脉冲，使阻变存储器的阻变材料从低阻态转为高阻态。本发明提出的电流电压控制方法可以显著的减小器件阻值的离散性，并同时可以提高低阻态的阻值，从而减小器件的工作电流，降低功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102306706A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110279718.5
申请日：2011-09-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种多阻态阻变存储器，自上而下包括：顶电极、阻变层和底电极，其中所述阻变层为氧化物。本发明还提供了一种利用上述存储器实现多阻态的方法。本发明多阻态阻变存储器是一种基于SiO2材料的MIM结构的器件，在适当的操作方法下该器件可以产生多级电阻态，能够在一个单元内实现多位存储，且能提高存储器的存储密度。多阻态阻变存储器的阻变层采用基于SiO2的材料，具有工艺简单，与CMOS工艺兼容性好的优点。
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公开(公告)号：CN102280577A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110166594.X
申请日：2011-06-20
Applicant: 北京大学
Inventor： 高滨
Abstract: 本发明公开了一种单极阻变器件、单极阻变存储器单元及制备方法，涉及半导体集成电路及其制造技术领域。该单极阻变器件包括：下电极、上电极、以及下电极和上电极之间的阻变介质层，下电极为掺杂硅层，阻变介质层为电介质材料层，上电极包括形成于阻变介质层之上的界面层、以及界面层之上的导电材料层。本发明的单极阻变器件以及单极阻变存储器单元结构简单，本发明的方法方便易行，可与传统的CMOS工艺兼容，所有的制备过程利用CMOS的前端工艺即可完成，生产成本低，适用于高密度集成存储器和大规模生产。
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公开(公告)号：CN102280465A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010207339.0
申请日：2010-06-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/24 , H01L29/872 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C17/06 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/122 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造方法，该阻变随机访问存储器件包括设置在位线和字线之间的存储单元，所述存储单元包括阻变元件，以及肖特基二极管，所述肖特基二极管与所述阻变元件串联连接，其中，所述肖特基包括彼此接触的金属层和半导体层，并且金属层与半导体层之间的界面呈非平面的形状。该阻变随机访问存储器件可以减小在芯片上的占用面积并提供大的驱动电流，从而提高了存储密度。
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公开(公告)号：CN102270654A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010198033.3
申请日：2010-06-03
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C11/56 , G11C16/02
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/15 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/1253 , H01L45/16 , H01L45/1608
Abstract: 本申请公开了一种阻变随机访问存储器件及其制造和操作方法，该阻变随机访问存储器件包括阻变存储元件，所述阻变存储元件包括两个电极以及夹在两个电极之间的阻变材料层，并且具有双极阻变特性；以及肖特基二极管，所述肖特基二极管包括彼此接触的金属层和半导体层，其中，所述肖特基二极管的金属层与所述阻变存储元件的一个电极连接。本发明实现了按照双极方式工作的1D-1R配置的阻变随机访问存储器件。
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公开(公告)号：CN102156625A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110079815.X
申请日：2011-03-31
Applicant: 北京大学
IPC: G06F7/535
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，公开一种利用阻变器件进行除法计算的方法，包括步骤：设定进位标准为除数a，待施加在余数阻变器件上的脉冲个数为被除数b；将商阻变器件转变为高阻态；将余数阻变器件转变为高阻态；在余数阻变器件上施加a个正脉冲电压，使余数阻变器件转变为相应的低阻态；在商阻变器件上施加一个正脉冲电压，使商阻变器件转变为相应的低阻态，并将余数阻变器件转变为高阻态；当施加完b个脉冲后，商阻变器件的当前阻态相应的已施加的正脉冲电压个数为b/a的商，当前余数阻变器件的阻态相应的已施加的正脉冲电压个数为b/a的余数。本发明的方法是仅通过两个器件就可以实现除法功能，该器件结构简单，便于集成，非常适合大规模生产。
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