-
公开(公告)号：CN102104363A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201110049763.1
申请日：2011-03-01
Applicant: 北京大学
IPC: H03B19/14
CPC classification number: H03B19/14
Abstract: 本发明公开一种太赫兹硅基四倍频器及多倍频器，属于射频集成电路领域。四倍频器包括晶体管M1、M2，传输线L1、L2、L-1；M1、M2的漏端分别经L1、L2连接至输出端口，源端与地线连接，栅端分别与基频信号f0的I、Q路信号输入端连接；L-1连接于输出端口与电源之间；L1、L2为2f0信号所对应波长的1/4长度，L-1为4f0信号所对应波长的1/4长度。多倍频器包括2n倍频器1、2n倍频器2、传输线L；2n倍频器1与2n倍频器2的输出端口相连作为2n+1倍频器的输出端口，L连接于2n+1倍频器输出端口与电源之间；L为2n+1f0所对应波长的1/4长度。本发明输出频率高、频谱纯、功耗低、易于集成。
-
公开(公告)号：CN102065039A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010530676.3
申请日：2010-10-29
Applicant: 北京大学
IPC: H04L25/03
Abstract: 本发明公开了一种高速接口电路自适应均衡方法及电路，属于射频集成电路领域。本发明的方法为：首先对输入信号进行放大、整形，之后将数据分成两路，将一路信号依次进行低通滤波、整形后输入误差放大器的一输入端，将另一路信号进行1/2频率下变频为直流信号后依次进行低通滤波、整形后输入误差放大器的另一输入端；误差放大器对两路输入信号进行比较后输出一电压，来反馈控制所述峰值放大器的零点。本发明电路包括1/2频率混频器、两低通滤波器、两整流器、峰值放大器、误差放大器，采用了单环路控制，锁定时间和稳定性都比传统双环路方案有了显著改进，具有低功耗、可拓展性强、自适应均衡、可移植性强的特点。
-
公开(公告)号：CN101777880A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010034430.7
申请日：2010-01-19
Applicant: 北京大学
IPC: H03H7/12
Abstract: 本发明公开了一种带通滤波器。该带通滤波器包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电容器、第二电容器、第三电容器、第四电容器、第一电流源和第二电流源；其中，所述第三MOS管、第四MOS管以栅极与漏极相互交叉耦合的组成源跟随器的方式连接，所述第一MOS管、第二MOS管以二极管连接方式连接。本发明中，源跟随器构造的局部反馈能够打破滤波器功耗和线性度相互对立的局面，使带通滤波器的功耗大幅降低。
-
公开(公告)号：CN101753100A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200810226980.1
申请日：2008-11-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及无线收发机中的压控振荡器。本发明公开了一种压控振荡器，所述压控振荡器包括：LC谐振回路，所述LC谐振回路包括：谐振电感与电容(1)、(2)并联，构成并联支路，所述并联支路两端分别串联一个电容(3)、(4)后再与电容(5)、(6)并联；用于提供负电导的有源器件，所述有源器件的栅极或基极接电感两端，漏极或集电极接电容(5)、(6)支路两端；所述电路通过改变电容(1)、(2)、(3)、(4)、(5)或(6)的电容值来调节振荡器的振荡频率。本发明通过改变压控振荡器中谐振回路的拓扑结构，在谐振电感两端各插入一个电容，使得振荡器的振荡幅度不受电源电压的限制，从而优化压控振荡器的相位噪声性能。
-
公开(公告)号：CN100563110C
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200710179873.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 北京大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明涉及一种流水线式模数转换器的前向误差补偿校正方法及装置，其特征在于：前向误差补偿校正方法的原理是，当子流水级中采样保持电路处于保持阶段时，输出点的电压误差会反映到其运算放大器的输入虚地点上；上级子流水级运算放大器输入虚地点电压误差值通过一个前向误差补偿电路保持并传递，与下级子流水级的输入电压进行比较计算，使上级子流水级的输出电压误差得到精确补偿；实现前向误差补偿的采样保持电路与流水级使用同样的时钟信号。本发明采用前向误差补偿方法的流水线式ADC辅以多通道、时间交叠等技术，可以降低通信接收机系统中基带的压力，同样也可以解决军事设备中软件无线电技术在ADC分辨率和速度上的瓶颈。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101246540A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810102117.5
申请日：2008-03-18
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种超高频射频电子标签阅读器的泄漏补偿方法及实现上述补偿方法的超高频射频电子标签阅读器的射频前端，属于无线射频技术领域。本发明核心是，采用两个环形隔离器或耦合器，通过控制器件的布局和PCB板的走线，获得信号延迟相同的两路信号，一路为叠加了泄漏信号的有用信号，另一路为与泄漏信号大小相等、幅度相同的补偿信号，两个信号通路通过低噪声放大器做相减操作，即可把泄漏信号去除掉，从而在射频前端获得干净的有用信号，从而提高了超高频射频电子标签阅读器的灵敏度，并极大地降低了传统阅读器结构中各电路模块的设计难度，更易于实现射频电子标签阅读器的系统单片集成。
-
公开(公告)号：CN100412991C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610089593.9
申请日：2006-07-05
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种利用深亚微米CMOS标准工艺实现的EEPROM电平转换电路及方法。该电平转换电路完全采用CMOS标准工艺参数，利用两对PMOS管与NMOS管对电压进行钳位，从而保证了电路中所有的MOS管栅漏电压差|Vgd|或栅源电压差|Vgs|均小于栅氧可靠性要求的安全电压值。与传统电平转换电路相比，该电路极大地增加MOS管栅氧可靠性；同时，该电路结构由于完全采用深亚微米CMOS标准工艺，可以更加适合嵌入式EEPROM电路并降低电路成本。
-
-
公开(公告)号：CN101159234A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710178369.1
申请日：2007-11-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/3063
Abstract: 本发明公开了一种硅片表面图形刻蚀方法，包括如下步骤：1)在硅片表面沉积氮化硅层，然后，刻蚀氮化硅层，在硅片表面形成刻蚀区域；所述刻蚀区域的尺度为0.5－4微米；2)将所述带有刻蚀区域的硅片固定于加有腐蚀液的腐蚀槽中，通电进行阳极氧化反应，在所述刻蚀区域处形成刻蚀图形；所述腐蚀液为氢氟酸和乙醇的混和液或者氢氟酸和二甲基甲酰胺的混和液；通电进行阳极氧化反应的电流密度为5－100mA/cm2。本发明自组装的硅片表面图形刻蚀方法能够非常简便而且有效地在硅表面刻蚀出所需要的图形，所得图形的尺寸在亚微米尺度至纳米尺度范围内，制备过程不需要使用现有光刻技术刻蚀如此量级尺寸所必须的高精密设备，设备、条件要求简单，成本低。
-
公开(公告)号：CN1787286A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510130662.1
申请日：2005-12-20
Applicant: 北京大学
Abstract: 一种可应用于超宽带(UWB)高速无线通讯系统的微带天线，包括印刷电路板和固定在其上的平面金属，所述的金属包括信号金属和地平面金属，其特征在于，其中，地平面金属至少为两块，与信号金属一起构成“地－信号－地”共面波导结构。信号金属和地平面金属可以是在印刷电路板的同一板面上，也可以是在印刷电路板的不同板面上。所述的信号金属的形状为酒杯形或酒杯形的变形，包括柄部和杯身，其中，杯身下部的形状为类似倒三角形或梯形。该天线具有低成本，易加工，小体积和高性能的特点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
140
records
(took 0.029 seconds)
