公开(公告)号：CN1885435A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200610089593.9

申请日：2006-07-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 邓志欣 ,  廖怀林 ,  李炎 ,  黄如

IPC: G11C16/06 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明提供一种利用深亚微米CMOS标准工艺实现的EEPROM电平转换电路及方法。该电平转换电路完全采用CMOS标准工艺参数，利用两对PMOS管与NMOS管对电压进行钳位，从而保证了电路中所有的MOS管栅漏电压差|Vgd|或栅源电压差|Vgs|均小于栅氧可靠性要求的安全电压值。与传统电平转换电路相比，该电路极大地增加MOS管栅氧可靠性；同时，该电路结构由于完全采用深亚微米CMOS标准工艺，可以更加适合嵌入式EEPROM电路并降低电路成本。

公开(公告)号：CN100412991C

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200610089593.9

申请日：2006-07-05

Applicant: 北京大学

Inventor： 邓志欣 ,  廖怀林 ,  李炎 ,  黄如

IPC: G11C16/06 ,  G11C11/56

Abstract: 本发明提供一种利用深亚微米CMOS标准工艺实现的EEPROM电平转换电路及方法。该电平转换电路完全采用CMOS标准工艺参数，利用两对PMOS管与NMOS管对电压进行钳位，从而保证了电路中所有的MOS管栅漏电压差|Vgd|或栅源电压差|Vgs|均小于栅氧可靠性要求的安全电压值。与传统电平转换电路相比，该电路极大地增加MOS管栅氧可靠性；同时，该电路结构由于完全采用深亚微米CMOS标准工艺，可以更加适合嵌入式EEPROM电路并降低电路成本。