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公开(公告)号:CN102118133A
公开(公告)日:2011-07-06
申请号:CN200910312949.4
申请日:2009-12-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F1/56
Abstract: 本发明涉及一种具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路,属于半导体器件和混合微波集成电路的技术领域。所述稳定网络50Ω系统、并联RC稳定网络、输入匹配电路和GaN高电子迁移率晶体管的管芯,输入匹配电路的输出端和GaN高电子迁移率晶体管的管芯相连,并联RC稳定网络的输入端与50Ω系统相串联,其输出端和输入匹配电路的输入端相串联。本发明具有适用于高频大功率器件的稳定网络的匹配电路在保证电路稳定性的同时,减少了稳定网络对内匹配功率器件的损耗,从而提高了器件的功率增益和输出功率。
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公开(公告)号:CN119943834A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202311466976.3
申请日:2023-11-06
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种超宽带开关结构及基于超宽带开关结构的氮化镓开关芯片,涉及微波集成电路开关芯片技术领域,以提供一种结构紧凑、插入损耗低、隔离度高开关结构,以适应未来射频通信系统的需求的技术方案。包括:输入匹配模块、第一GaN开关管模块、第二GaN开关管模块、第一低通滤波模块以及第二低通滤波模块。输入匹配模块用于将第一GaN开关管模块和第二GaN开关管模块相串联,并用于将超宽带开关结构的输入阻抗转换为上一级电路的源阻抗。第一GaN开关管模块的输出端与第一低通滤波模块相连接,第二GaN开关管模块的输出端与第二低通滤波模块相连接,其中,第一低通滤波模块以及第二低通滤波模块均采用切比雪夫I型滤波器结构。
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公开(公告)号:CN119813989A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202311312343.7
申请日:2023-10-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于相移补偿单元减小相位误差的移相装置及设计方法,属于射频集成电路技术领域,解决了现有技术中移相器实现相移时误差较大的问题。所述移相装置包括至少一个所述相移补偿单元和移相器,所述移相器包括相互串联的至少一个相移单元;使用时,将所述相移补偿单元串联连接到所述相移单元,所述相移补偿单元用于对所述移相器的相位进行补偿,以使得提高所述移相器的移相精度。实现了移相器进行移相时相位精度更高。
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公开(公告)号:CN113437942B
公开(公告)日:2025-04-08
申请号:CN202110851718.1
申请日:2021-07-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种宽带功分器和宽带功率放大器,属于通信技术领域,尤其涉及,解决了现有功分器带宽较窄造成的工作效率较差,以及面积较大造成的成本消耗问题的问题。宽带功分器包括第一电容器连接在所述宽带功分器的输入端口和第一输出端口之间;第二电容器与所述第一电容器并联,并连接在所述宽带功分器的输入端口和第二输出端口之间;第一电感器,连接在所述宽带功分器的输入端口和第一电源电压之间;以及第二电感器和所述隔离电阻器,并联连接,并且连接所述第一输出端口和所述第二输出端口之间。实现了减少了电感器的数量,进而减小了功分器的面积,有效拓展了功分器的带宽。
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公开(公告)号:CN119154818A
公开(公告)日:2024-12-17
申请号:CN202310708970.6
申请日:2023-06-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种逆F类功率放大器及通信设备,涉及集成电路技术领域,以解决现有的逆F类功率放大器在获得高效率的同时,电路面积较大的问题。所述逆F类功率放大器包括依次电连接的输入匹配电路、功率放大电路、谐波控制电路和输出匹配电路。输入匹配电路将输入阻抗匹配至功率放大电路的目标源阻抗后,基于接受到的输入信号输出输入匹配信号。功率放大电路对输入匹配信号进行功率放大后,输出功率放大信号。谐波控制电路控制功率放大信号在二次谐波处开路,在三次谐波处短路。输出匹配电路将输出阻抗匹配至功率放大电路的目标负载阻抗后,输出目标功率放大信号,其中,输出匹配电路中的漏极偏置传输线的电长度大于等于λ/8,且小于等于λ/6。
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公开(公告)号:CN118739881A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202310332494.2
申请日:2023-03-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H02M7/5387 , H02M1/00 , H02M1/08 , H02M1/12
Abstract: 本发明公开一种氮化镓基单相半桥逆变电路及其调制方法,涉及逆变技术领域,用于解决现有技术中使用数字控制的IGBT逆变器会导致开关频率低,转换的电能质量低以及不利于电源小型化发展的问题。所述氮化镓基单相半桥逆变电路包括:第一反相放大子电路,用于对接收到的调制信号进行反相放大后,分别向电平转移子电路以及半桥子电路输出第一放大信号;电平转移子电路,用于对第一放大信号进行电平转移处理,向第二反相放大子电路输出电平转移信号;第二反相放大子电路,用于对电平转移信号进行反相放大后,向半桥子电路输出第二放大信号;半桥子电路,用于基于接收到的直流信号,结合第一放大信号和第二放大信号,输出逆变信号。
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公开(公告)号:CN115912913A
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN202211449442.5
申请日:2023-02-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种降压转换器、降压转换方法及降压转换芯片,涉及集成电路技术领域,以解决现有技术中降压转换器结构复杂、能源损耗大的问题。所述降压转换器包括:依次电连接的主动放大电路、二极管电平转移电路、驱动电路和输出匹配电路。主动放大电路用于主动分别对接收到的第一差分信号和第二差分信号进行电压放大处理,输出对应的第一放大信号和第二放大信号;二极管电平转移电路用于分别将第一放大信号和第二放大信号进行电平降低处理后,输出对应的第一驱动信号和第二驱动信号;驱动电路用于基于第一驱动信号和第二驱动信号,输出对应的第一控制信号和第二控制信号;输出匹配电路用于基于第一控制信号和第二控制信号,输出目标电压信号。
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公开(公告)号:CN109245730B
公开(公告)日:2022-08-02
申请号:CN201810957215.0
申请日:2018-08-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种开关功率放大器,其包括:驱动模块,用于将输入信号初步放大以生成驱动信号;末级放大电路模块,其包括D类功率放大电路,该末级放大电路模块由所述驱动信号驱动,用于将所述驱动信号放大并输出放大后的信号;自举电路模块,用于提高所述D类功率放大电路的输出端的电压,以减小驱动所述末级放大电路模块时产生的功耗。本发明还提供一种包括上述开关功率放大器的数字发射机。本发明通过引入自举电路结构,可以有效减少电路的驱动功耗,从而有效提升电路的工作效率,进而提高整个数字发射机的性能。
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公开(公告)号:CN112906226A
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN202110205653.3
申请日:2021-02-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F30/20 , G01D21/02 , G06F119/08
Abstract: 本发明所提供的GaN‑HEMT器件大信号模型的建模方法,包括:对GaN‑HEMT器件进行高低温环境下的脉冲电流‑电压测试,获得不同温度下的电流‑电压数据;采用改进后的漏极电流公式搭建GaN‑HEMT器件的漏电模型,改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数;将不同温度下的电流‑电压数据与漏电模型进行拟合,确定漏电模型的参数。由于改进后的漏极电流公式包含与环境温度相关的参数,因此,可以建立与包含环境温度相关的参数的大信号模型,从而可以获得在高低温环境下准确预测GaN‑HEMT器件性能的大信号模型,进而提高了GaN‑HEMT器件仿真模型的准确性。
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公开(公告)号:CN112636697A
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:CN202011357413.7
申请日:2020-11-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F1/07
Abstract: 本发明涉及一种具有深回退区间的Doherty功率放大器,属于射频功率放大器技术领域,解决了现有的Doherty功率放大器的回退区间较窄造成的工作效率较差的问题。该Doherty功率放大器中第一功分器的第一输出端连接载波功率放大电路的输入端,第一功分器的第二输出端连接第一峰值功率放大电路的输入端;第二功分器的输入端连接第一峰值功率放大电路的输出端,第二功分器的第一输出端同时连接载波功率放大电路的输出端和后匹配网络的输入端,第二功分器的第二输出端连接第二峰值功率放大电路的输入端,第二峰值功率放大电路的输出端连接后匹配网络的输入端。实现了输入功率信号的放大,具有较深的回退区间。
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