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公开(公告)号：CN1452214A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN02105735.4
申请日：2002-04-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明一种键合强度可调节的柔性衬底，其中包括：一机械支撑衬底，对于整个结构起机械支撑作用；在机械支撑衬底上生长一层去耦合的中间层结构，中间层结构与机械支撑衬底之间选择性腐蚀能力较强；在去耦合的中间层上生长一顶层结构，与机械支撑衬底共同完成键合强度的调节，与中间层的选择性腐蚀能力较强；本发明的键合强度可调节柔性衬底成功的解决了柔性层与机械支撑衬底的键合强度问题，可以生长出高质量的外延膜。
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公开(公告)号：CN114112145B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202111330097.9
申请日：2021-11-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中云宝(北京)科技有限公司
Abstract: 本公开提供一种薄膜本征应力测量方法，包括：取N个衬底，依次分别在各衬底上逐层外延1至N层薄膜，得到N个外延衬底，其中，N≥2，且N为整数，处于相同层数的薄膜相同；测量各外延衬底在室温下的曲率值，得到测量曲率值；建立各外延衬底的有限元模型，在有限元模型中计算各外延衬底在室温下的曲率值，得到计算曲率值；计算使相同层数外延衬底的测量曲率值与计算曲率值的平方和最小，逐层计算得到各层薄膜的本征应力。本公开提供的薄膜本征应力测量方法，可以准确测量III‑V族氮化物半导体材料多层薄膜结构中各层薄膜材料的本征应力，测量方法简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN112490335B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011414698.3
申请日：2020-12-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/h‑BN多量子阱结构的深紫外LED，自下而上依次包括：衬底、AlN模板层、n型AlxGa1‑xN层、AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层、p型AlzGa1‑zN层、p型GaN接触层。AlyGa1‑yN/h‑BN多量子阱层包括：AlyGa1‑yN量子阱层和h‑BN量子垒层；其中，AlyGa1‑yN量子阱层中Al组分y的范围为0.5≤y≤0.7，厚度为2‑4nm；h‑BN量子垒层的厚度为5‑10nm。本公开能够改善深紫外LED空穴注入困难、电子泄漏、失配应力的问题，从而提高深紫外LED发光效率。
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公开(公告)号：CN112786743B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110107449.8
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上制备GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长非故意掺杂氮化镓层和n型掺杂GaN层；在n型掺杂GaN层上生长低铟组分的InGaN预应变层；在所述InGaN预应变层上生长高铟组分的InGaN/GaN多量子阱材料层；在InGaN/GaN多量子阱材料层上制备V坑结构，形成具有V坑结构阵列的InGaN/GaN多量子阱层；在具有V坑结构阵列的InGaN/GaN多量子阱层上制备p型掺杂GaN层；在p型掺杂GaN层材料表面生长一层氧化铟锡透明导电膜；以及分别在ITO透明导电膜和n型掺杂GaN层的台面上溅射金属形成欧姆接触的电极，完成基于V坑调控的橙黄光LED器件的制备。
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公开(公告)号：CN113584446A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110841158.1
申请日：2021-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 南京佑天金属科技有限公司
Abstract: 一种利用磁控溅射在硅衬底上制备的金属铪薄膜、方法和应用。利用磁控溅射在硅衬底上制备金属铪薄膜方法，包括：将硅衬底和金属铪靶材装入磁控溅射设备生长室，对硅衬底进行超高真空高温烘烤处理；利用磁控溅射反溅射干式清洗工艺对硅衬底进行表面溅射处理；利用磁控溅射沉积工艺在硅衬底上制备氮化铪阻挡层；利用磁控溅射溅射沉积工艺在氮化铪阻挡层上制备金属铪薄膜；对金属铪薄膜进行原位真空高温退火处理，降温至室温完成金属铪薄膜制备。本发明利用磁控溅射工艺在硅衬底上实现金属铪薄膜单一择优取向高结晶质量制备。所制备的金属铪薄膜可应用于欧姆接触金属电极材料或硅衬底氮化镓材料异质外延制备中的导电缓冲层材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112831768A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202110003038.4
申请日：2021-01-04
Applicant: 南京佑天金属科技有限公司 , 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种高结晶质量的氮化铪薄膜制备方法，包括：1、对硅衬底进行高温烘烤；2、降低硅衬底温度，通入溅射气体氩气，在第一反溅射功率下对硅衬底进行反溅射干式清洗；3、在第二溅射功率下对金属铪靶材进行射频磁控溅射预处理；4、在第三溅射功率下采用射频磁控溅射在硅衬底表面预沉积薄金属铪层；5、通入反应气体氮气与溅射气体氩气形成混合气体，在第四反溅射功率下采用反溅射形成薄氮化铪成核层；6、在第五溅射功率下采用直流磁控溅射进行氮化铪薄膜沉积生长；7、停止通入溅射气体氩气，在氮气气氛下对氮化铪薄膜高温退火；8、将硅衬底温度降至室温。该方法能够在硅衬底上实现高结晶质量的氮化铪薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN112786743A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110107449.8
申请日：2021-01-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种基于V坑调控的橙黄光LED器件及其制备方法，该制备方法包括：在衬底上制备GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长非故意掺杂氮化镓层和n型掺杂GaN层；在n型掺杂GaN层上生长低铟组分的InGaN预应变层；在所述InGaN预应变层上生长高铟组分的InGaN/GaN多量子阱材料层；在InGaN/GaN多量子阱材料层上制备V坑结构，形成具有V坑结构阵列的InGaN/GaN多量子阱层；在具有V坑结构阵列的InGaN/GaN多量子阱层上制备p型掺杂GaN层；在p型GaN材料表面生长一层氧化铟锡透明导电膜；以及分别在ITO透明导电膜和n型GaN层的台面上溅射金属形成欧姆接触的电极，完成基于V坑调控的橙黄光LED器件的制备。
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公开(公告)号：CN112746320A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011533232.5
申请日：2020-12-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 南京佑天金属科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种利用磁控溅射在硅衬底上制备氮化锆薄膜的方法，包括：将清洗后的硅衬底和金属锆靶材置于预设真空条件下的生长室中；在预设温度下对硅衬底表面进行烘烤和反溅射干式清洗预处理；对金属锆靶材表面进行射频磁控溅射预处理；利用射频磁控溅射工艺在硅衬底表面上沉积金属锆层；降低氩气流量并向生长室中通入氮气，利用反溅射工艺将沉积的金属锆层氮化形成氮化锆成核层；利用直流磁控溅射工艺，在氮化锆成核层上沉积氮化锆薄膜；关闭氩气并将衬底加热温度升至预设退火温度，在氮气的气氛条件下，对氮化锆薄膜进行退火处理；调控生长室内氮气压强，按照预设降温速率将衬底加热温度降至室温，得到氮化锆薄膜。
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公开(公告)号：CN110257905A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910670827.6
申请日：2019-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种氢化物气相外延反应室结构。其特征是由进气区、导流区和生长区组成。进气区包括进气区天棚、进气区底壁和多个进气隔板，用来分别导入不同种类气体；导流区包括天棚导流板和底层导流板，天棚导流板引导从吹扫气体进气通道进气的吹扫气体，底层导流板消除原料气体回旋涡流；生长区包括反应室天棚、反应室底壁和衬底托盘。本发明的氢化物气相外延反应室结构，气体在衬底托盘前端的流场稳定，原料气体在衬底托盘表面的浓度和流场分布均匀性高，原料气体与反应室天棚之间的接触和寄生反应少，衬底上生长晶体的稳定性高，有效提高大尺寸晶体生长效率和成品率。
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公开(公告)号：CN104993012A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510270779.3
申请日：2015-05-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1828
Abstract: 本发明提供了一种大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法，属于光电子器件的制备领域。本发明区别于现有技术的核心是：在衬底外延生长表面上形成一掩膜层，通过光刻和刻蚀工艺使掩膜层形成图形结构，随后生长非极性A面GaN厚膜，通过GaN横向合并或者腐蚀去除掩膜层在GaN厚膜底部形成孔洞结构，然后采用腐蚀方法将GaN厚膜与衬底进行剥离，进而得到非极性A面GaN自支撑衬底。本发明容易制备大尺寸的A面GaN衬底，将A面GaN厚膜与衬底剥离的过程中，不需要复杂昂贵的激光剥离设备，其工艺简单且成本较低，易于实现大规模生产使用。
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