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公开(公告)号：CN102880010A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210325359.7
申请日：2012-09-05
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供一种基于金属—介质—探针（Tip-Insulator-Metal,TIM）结构的表面等离子体超衍射光刻方法，其特征是由金属—介质—探针构成TIM共振腔结构，光从包含有所述共振腔的基底正入射，在所述探针的针尖激发局域表面等离子体（LSP），激发的局域表面等离子体波在向下衰减传播的过程中被金属反射层反射耦合，并经多次反射引起共振，使得夹在所述金属反射层和探针中间的介质记录层中形成纵向分布相对均匀的规则圆形光斑模式。该方法克服了传统探针直写光刻深度浅的问题，使得所述介质记录层不同深度处的光斑大小（FWHM）一致，能量均匀。本发明极大的改善了传统直写探针光刻的光斑质量。并且该方法所用结构简单。可以大大降低光刻线宽。
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公开(公告)号：CN102621822A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210107914.9
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种实现曲面到平面超分辨缩小成像光刻的透镜，该透镜包括：可以传输光的平面多层金属-介质膜、可以缩小成像的曲面多层膜、金属掩模结构、粘连剂层及基底。本发明所述透镜简单，可行性高，只需要常规的涂胶、光刻和工艺镀膜，就可以得到物面为曲面、像面为平面的缩小倍率超分辨成像透镜，所述透镜能够传输高频信息、分辨半波长以下图形，具有广阔的应用前景；同时，本发明所述透镜拓展了现有超分辨缩小成像技术的应用范围。
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公开(公告)号：CN102621601A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210107575.4
申请日：2012-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种平面像场超分辨成像透镜的制备方法，先选择基底材料；在基底表面旋涂牺牲层，其厚度为d1；在牺牲层上沉积平面多层膜，包括可用于激发表面等离子体的金属膜层和介质膜层，多层膜的厚度为d2；在多层膜上旋涂一层光刻胶，其厚度为d3；在光刻胶上曝光，显影得到所需大小的半圆形结构；将半圆形结构刻蚀转移到多层膜上，形成多层半圆形结构；在多层半圆形结构上沉积曲面多层膜，其厚度为d4；在曲面多层膜上沉积一层铬膜，膜厚为d5；在铬膜上进行开缝，缝宽为d6，间距为d7；在铬膜层上选用粘连剂粘连一块石英片；将基底和石英片泡在丙酮溶液内，通过溶解牺牲层来去掉基底材料。本发明的透镜可以实现图形的超分辨缩小成像。
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公开(公告)号：CN101174726B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200710178640.1
申请日：2007-12-03
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供一种高增益沟槽波导缝隙阵列微波天线的制作方法，其具体特征如下：首先确定天线激励源的工作波长λ；然后选择金属板材料，金属板的厚度为h；在金属板中间开串行的金属缝隙结构，所开的金属缝隙的个数为M，宽度为w1，长度为L；激励源从金属板下方垂直于金属表面入射，从金属板上方金属表面出射；在金属板的出射面，金属缝隙结构的两侧并行排布N个对称的有限沟槽，沟槽的周期为P，深度为d，宽度为w2；本发明将一维周期沟槽结构应用到波导缝隙阵列天线中，极大的提高了天线的方向性，同时，该天线的增益也得到了极大的提高。
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公开(公告)号：CN101383450B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200810224692.2
申请日：2008-10-23
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种低折射率异向介质材料双频双极化微带贴片天线的制作方法，包括以下步骤：(1)确定微带贴片天线分别在两个极化方向上的工作频率为f1和f2；(2)选取一个尺寸为L×W的传统矩形微带贴片天线，并用微带线进行馈电；(3)制作一个由周期性双层金属矩形网格构成的低折射率材料，并设置相关参数；(4)将金属矩形网格型低折射率材料放在距离微带贴片天线d高度处，四周用尼龙螺钉固定支撑在接地面上，一种低折射率异向介质材料双频双极化微带贴片天线制作完成；本发明利用金属矩形网格型低折射率材料作为微带贴片天线的覆层分别在两个极化方向的不同频段内提高贴片天线的方向性，提高了天线的增益，同时也压缩了贴片天线的半功率波束角。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101719595A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200910243536.5
申请日：2009-12-25
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 一种介质加载型沟槽缝隙阵列天线，该阵列天线由有n×m个缝隙阵元(阵元间距在E面超过谐振波长)的接地板、接地板上表面加载的沟槽和接地板上相邻沟槽间上表面加载的介质组成，n、m为大于等于1(n、m不可同时为1)的自然数。其基本原理是通过在E面相邻阵列单元的两侧对称加载一对表面沟槽结构，加载相邻阵元之间的沟槽区域可以作为人工辐射源向自由空间辐射表面电磁能量，从而间接地减小阵元之间的等效距离。所设计的天线，其旁瓣电平相比传统阵列天线得到了大幅度压缩，天线辐射性能显著增强。该新型阵列天线打破了传统阵列天线要求阵元间距小于波长的限制，具有结构简单、成本低等优势，能够广泛应用于线阵、面阵以及相控阵等阵列天线之中。
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公开(公告)号：CN115113316B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210914307.7
申请日：2022-08-01
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光红外兼容的柔性电磁功能薄膜及其制备方法，所述薄膜包括柔性基底，表面具有微纳周期结构；金属反射层，形成在所述微纳周期结构上并与所述柔性基底形成相位超表面，以通过相位梯度调控第一激光的散射方向；吸收层，形成在所述金属反射层上，以单独或者与所述金属反射层共同吸收第二激光，并与金属反射层配合实现中远红外波段的低发射率。本发明实现了中远红外波段和1.064μm、1.55μm和10.6μm三个激光波长的低可探测，具有柔性功能并可贴合于任意表面，在可穿戴领域及曲面异形表面有广泛的应用前景。本发明通过对基底表面进行硅烷化处理并制备得到柔性基底，具有工艺简单、制备周期短、可大面积制备的优点。
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公开(公告)号：CN115113316A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210914307.7
申请日：2022-08-01
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种激光红外兼容的柔性电磁功能薄膜及其制备方法，所述薄膜包括柔性基底，表面具有微纳周期结构；金属反射层，形成在所述微纳周期结构上并与所述柔性基底形成相位超表面，以通过相位梯度调控第一激光的散射方向；吸收层，形成在所述金属反射层上，以单独或者与所述金属反射层共同吸收第二激光，并与金属反射层配合实现中远红外波段的低发射率。本发明实现了中远红外波段和1.064μm、1.55μm和10.6μm三个激光波长的低可探测，具有柔性功能并可贴合于任意表面，在可穿戴领域及曲面异形表面有广泛的应用前景。本发明通过对基底表面进行硅烷化处理并制备得到柔性基底，具有工艺简单、制备周期短、可大面积制备的优点。
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公开(公告)号：CN114122734B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210077683.5
申请日：2022-01-24
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种超结构单元、超结构及其设计方法，所述超结构单元包含：顶层；底层，与顶层相对设置，与顶层第二层体间距离由近及远处，依次为第三层体、第二基板和金属反射层；半导体元件，用于连接顶层与底层，组成控制顶层表面温度的电路，金属反射层用于微波反射，整个超结构单元作为微波反射动态调控单元。通过对超结构单元中二极管的通断状态的控制，实现微波反射特性的动态可调；同时，通过对加载在热电结构上电流的控制来改变超结构的表面温度，从而实现红外辐射特性的动态可调。并且，该超结构制作工艺简单、制作成本低、使用方便，为填补微波与红外双谱段可调的动态电磁材料空白提供一种有效的技术途径。
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公开(公告)号：CN114267956A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111573986.8
申请日：2021-12-21
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了亚波长结构透反射超表面器件、波束扫描天线及扫描方法，器件包括：中间介质层；布置于中间介质层一侧的反射亚波长结构层，其被配置为能够反射x极化电磁波并透射y极化电磁波；布置于中间介质层另一侧的透射亚波长结构层，其被配置为能够透射x极化电磁波并反射y极化电磁波，并且能够使透射进入的x极化电磁波转极化为y极化电磁波或使透射进入的y极化电磁波转极化为x极化电磁波后透射出去。本发明还公开了波束扫描天线及扫描方法。本发明通过采用金属亚波长结构加射频介质基板的多层重叠结构并引入遵循二次相位分布的反射亚波长结构层和透射亚波长结构层，所得器件能解决全空间维度覆盖和任意极化切换的难题。
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