-
公开(公告)号：CN1187600C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02137758.8
申请日：2002-10-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明书提供了一种通过测量多个角度反射谱来同时获得薄膜等效折射率和厚度的设备和方法。该设备简单，测量方便。该方法是根据入射光在空气-薄膜-衬底的界面处两次反射会发生干涉，其干涉现象会从反射谱上表现出来。因此只要测得两个不同入射角θ1和θ2含有干涉信息的反射谱R(θ1，ω)和R(θ2，ω)，采用薄膜反射率公式同时拟合这两个反射谱，得到相应的光程差Δ1和Δ2，根据折射定律，联立两个方程就可以得出薄膜的等效折射率n及物理厚度d。与传统方法不同的是该方法可以同时、方便、无损地测出薄膜的等效折射率和厚度，甚至可以用于镀膜过程的实时监控与在线检测。
-
公开(公告)号：CN1546944A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN200310109247.9
申请日：2003-12-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种多量子阱红外探测材料的结构层厚获取方法，该方法采用常规的透射光谱测量，将测量数据与双层近似模型拟合，获取多量子阱红外探测材料中上电极层和多量子阱区实际的厚度参数，从而为后续的器件制备工艺提供必要的实际材料结构参数；同时还可获得多量子阱区中势垒层中Al组分参数。该方法也可为材料生长过程的参数修正提供参考依据。
-
公开(公告)号：CN1540370A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200310108346.5
申请日：2003-10-31
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种滤光片式分光元件，它是通过设计一系列透射峰位连续的超窄带通滤光片，并将其集成在一起形成滤光片式的分光元件。它包括：二片衬底，二片衬底的一表面各镀有完全相同的无序型膜系，在二无序型膜系之间的四周边缘粘有高分子聚合物材料制成的微米小球胶，使其真空密封固定成一体，中间形成一真空层。其中一片衬底的无序型膜系是镀在深浅渐变的凹槽列阵上的。本发明的分光元件结构简单、体积小，分出的光束单色性好。如果加上入射狭缝和出射狭缝就可以构成一个完整的单色仪，非常有利于与其它系统的组合，构成各种光谱测量系统。
-
公开(公告)号：CN1168961C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN02111390.4
申请日：2002-04-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提供了一种采用光学读出的室温红外焦平面探测器，该器件包括：带恒温加热器的芯片、窄带滤光片、半导体激光器和Si CCD面阵器件。其特征是：当一束波长在可见或近红外区域的半导体激光与被探测红外光同时入射到芯片中时、利用芯片中的VO2薄膜层的光学透过率在金属-半导体相变前后发生锐变的性质，将红外光信号转换成可见或近红外激光信号，从而直接采用光学读出的Si CCD进行信号读出。本发明的最大优点是可以很方便地将红外图象转变成可见光图象，从而把相对不成熟的红外光电探测技术转化成十分成熟的可见光波段的光电探测技术，并直接与Si CCD这一发展得十分成熟的技术相结合，大大地简化了器件的制备工艺。
-
公开(公告)号：CN1159602C
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02111812.4
申请日：2002-05-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种采用金属光子晶体结构的可见光波段高偏振度偏振光束分离器。包括：在衬底上构成二维阵列结构的介质棒，所说的二维阵列结构可以是正方格子或六角格子等，所说的介质棒是由金属材料构成的，介质棒之间嵌有SiO2。本发明提供的偏振器结构不同于传统的偏振器，它可以通过只改变金属棒的半径和晶格常数R/a的比，预先设计工作波段，并且可以得到高的偏振度和透射率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1487280A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03128829.4
申请日：2003-05-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所 , 上海市药品检验所 , 华东师范大学
IPC: G01N21/33
Abstract: 本发明公开了一种用红外光谱检测中药中化学药物的方法，该方法是利用预测的已知的化学药物光谱和样品测得的红外光谱进行组合，由计算机的自动分析给出特征值，便可获得样品中是否含有所关注的化学药物。它适合于在中药形成的复杂红外吸收光谱本底中对化学药物光谱结构判读，进而提取出相关的化学成分，有利于快速和半定量地给出相关化学的含量，从而大大地简化了对中药中化学药物检验的复杂性和难度。该发明专利介绍了测量与分析的基本过程，包括样品制备，测量方法、谱图分析方法和实现低漏检率和高灵敏度分析途径的取值函数等。
-
公开(公告)号：CN1471177A
公开(公告)日：2004-01-28
申请号：CN03129508.8
申请日：2003-06-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法，其特征在于本发明提出的离子注入方法区别于传统的离子注入技术中注入离子最终停留区域的选择。传统的离子注入技术应用中为了尽可能地减小因离子注入导致的缺陷增殖数量，通常将注入离子的最终停留区域选择在衬底上，避免体现发光功能材料区域的缺陷增殖数量的急剧上升。本发明提出了直接将注入离子停留在量子点区域，同时选择了有效的质子注入和注入工艺条件，结合相应的快速热退火工艺，使得最终离子注入技术得以成功地提高量子点材料的发光效率。
-
公开(公告)号：CN1436606A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN03115643.6
申请日：2003-03-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B05D1/30 , H01L31/0256 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种溶胶－凝胶制备氧化钒薄膜材料的方法，其特征在于它用乙酰丙酮氧钒替代了五价钒的醇氧盐(VO(Opr)3)，使制备好的溶胶稳定性好，可以长期存放，多次使用。另外此溶胶毒性相对较小，有利于操作人员的健康。用该溶胶可以方便地制备出性质均一、具有高度择优取向性的氧化钒薄膜。
-
公开(公告)号：CN1111728C
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN00135189.3
申请日：2000-12-27
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 一种预测由GaAs/AlGaAs量子阱材料形成的红外探测器红外响应波长的设备和方法，主要是采用共焦激光荧光探测系统获得量子阱材料的量子阱子带跃迁和势垒带间跃迁的两种荧光光谱，通过计算机拟合势垒荧光峰并给出势垒组分，进而拟合势阱荧光峰，给出势阱宽度，再计算出量子阱红外探测器响应波长。其优点是无需制备成器件、直接在相应材料的非接触式测量基础上即可完成红外响应波长的预测，而且结果相当准确。
-
公开(公告)号：CN1401976A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02137263.2
申请日：2002-09-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种关于检测自由电子激光光强密度的设备及方法，该设备包括：自由电子激光器(FEL)、KBr分束片、能量辐射计及处理能量辐射计输出信号的计算机。该设备是用于测量窄禁带半导体材料的透射率，该方法是基于窄禁带半导体材料的透射率相对于FEL入射光强密度的固定关系来标定被测FEL光强密度。本发明的最大优点是：整个测量过程大大简化，避免了光斑面积和脉冲半宽度测量所带来的不精确性，使获得的测量结果更精确。另外，由于本发明采用了透射特性十分稳定窄禁带半导体材料，如InSb或HgCdTe，因此用该方法测量的FEL的光强密度重复性好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
188
records
(took 0.039 seconds)
