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公开(公告)号：CN112462469B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202011479959.X
申请日：2020-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/125
Abstract: 本发明涉及一种基于Y分支对称结构的硅基马赫曾德尔干涉仪，包括输入Y分支波导和输出Y分支波导，所述输入Y分支波导和输出Y分支波导的结构相同，所述输入Y分支波导的第一输出端通过第一直波导与输出Y分支波导的第一输入端相连；所述输入Y分支波导的第二输出端与第一弯曲波导的一端相连，所述输出Y分支波导的第二输入端与第二弯曲波导的一端相连，所述第一弯曲波导的另一端与所述第二弯曲波导的另一端通过所述第二直波导相连；所述第一弯曲波导与第二弯曲波导结构相同，并沿着第二直波导的中线对称。本发明能够使得波导长度在10μm到40μm变化时具有稳定的传输效率。
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公开(公告)号：CN118763026A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411024640.6
申请日：2024-07-29
Applicant: 上海科技大学 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明属于电子贴装技术领域，提供的一种晶圆级半导体器件贴片装置，适用于晶圆级规模、大尺寸芯片的高精度贴片，其操作流程包括开机、上料、吸料、取料、移入PCB板、粗对准、细对准、贴片和释放等步骤。通过分光棱镜和梯度显微镜联合使用，实现了大尺寸芯片模组与印刷线路板的高精度对准和贴装，确保芯片焊盘与印刷线路板焊盘之间的长程(≥10cm)、多焊盘(≥1500个)高精度对准，整体贴装精度≤10μm。同时，可根据器件贴片需要，施加一定的压力值。该设备不仅提高了操作的可重复性和可靠性，还解决了现有自动化贴片设备无法满足大尺寸芯片模组贴片需求、贴片精度低等问题。
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公开(公告)号：CN118584589A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410660454.5
申请日：2024-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种任意功分比的光耦合装置及其制备方法，装置包括：前端过渡区，包括两条前端过渡波导；光耦合区，包括两条耦合波导，所述耦合波导的第一端与对应的所述前端过渡波导连接，其中一条所述耦合波导的宽度沿其第一端向第二端逐渐变宽，另一条所述耦合波导的宽度沿其第一端向第二端逐渐变窄；后端过渡区，包括两条后端过渡波导，所述后端过渡波导的第一端与对应的所述耦合波导的第二端连接；由所述前端过渡波导射入的光束经所述耦合波导耦合后通过所述后端过渡波导分光输出，两路输出的功分比通过调节两条所述耦合波导的第二端的宽度之间的差值来调节。本发明的光耦合器具有任意功分比，且兼具超大带宽，低损耗，小尺寸的特点。
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公开(公告)号：CN112240754B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202011284798.9
申请日：2020-11-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明涉及一种微小空间三维形貌测量装置，包括光源组件和至少两组探测组件，所述探测组件包括衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等，每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连，所述电位测量计与处理器相连；所述光源组件通过激光对被测样品表面进行逐行扫描，被测样品反射的激光照射到所述探测组件上时，硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线与衬底形成的谐振器产生振幅完全抑制，所述处理器根据与硅导线相连的电位测量计输出的连续信号计算出被测样品表面反光点的位置信息。本发明具有体积小、精度高、非接触等优点。
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公开(公告)号：CN118409444A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410606575.1
申请日：2024-05-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅基非易失片上模式选择器，包括：解复用器、复用器、第一模式选择通过型耦合器和第二模式选择通过型耦合器；第一模式选择通过型耦合器的第一输入端与解复用器的第一输出端相连，第一模式选择通过型耦合器的第一输出端与复用器的第一输入端相连；第二模式选择通过型耦合器的第一输入端与解复用器的第二输出端相连，第二模式选择通过型耦合器的第一输出端与复用器的第二输入端相连；第一模式选择通过型耦合器和第二模式选择通过型耦合器均采用控制相变材料在晶态和非晶态之间的转换来实现对输入光信号的选择性通过的控制。本发明能够实现高效的模式选择。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108227075B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201810218999.5
申请日：2018-03-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种弯曲波导结构、制备方法及基于所述弯曲波导结构的偏振分束旋转器，弯曲波导结构包括：衬底；第一波导，弯曲设置于衬底上，包括第一耦合区；第二波导，弯曲设置于衬底上，第二波导包括与第一耦合区耦合的第二耦合区，第二波导与第一波导之间具有预设间距，第二耦合区包括下部波导及位于下部波导上方的上部波导，下部波导与上部波导的截面宽度不同。通过上述方案，本发明提供的弯曲波导结构，通过改进外部波导的结构，在整体波导结构中引入了非对称结构的设计，使得外部波导的耦合区的两端以及上下均具有不同的尺寸，该非对称性设计具有增大带宽的作用，解决了现有波导结构的对波长敏感问题，进一步拓宽了弯曲波导结构的实际应用。
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公开(公告)号：CN117690813A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202310814717.9
申请日：2023-07-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海科技大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种用于大面阵芯片封装的铜柱凸点倒装焊方法，包括以下步骤：在上芯片表面通过常规铜柱凸点倒装焊的凸点制作方法制作带有铜柱及圆顶锡帽的上凸点；在下芯片表面与所述上凸点相对的位置制作带有铜柱及平顶锡帽的下凸点；在所述下芯片上方，将所述上芯片倒装，保证所述上凸点与下凸点对位并通过焊料焊接在一起。在使用本发明提供的铜柱凸点倒装焊方法后，切片检测焊点结构完整，铜柱间锡量完全填充。X射线检测芯片无明显偏移，焊点无明显孔洞，有效像元率达到99.95％。
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公开(公告)号：CN114117762A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111352692.2
申请日：2021-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种易加工的随机形状超原子生成方法、装置及存储介质。其中，方法包括：基于超原子平方反比生成函数生成超原子；基于最小线宽对生成的所述超原子进行筛选，得到符合加工条件的超原子。本发明生成的超原子边界平滑，没有任何倒角，而且这种方法可以自定义最小线宽，将尺寸太小的颗粒或小孔筛除，因此生成的超原子非常易于加工，在超表面的微纳加工方面具有实用价值。
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公开(公告)号：CN112558223B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110014152.7
申请日：2021-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/14
Abstract: 本发明提供一种模式转换器及其制备方法，结构包括：依次连接的第一模式转换区、第二模式转换区、第三模式转换区以及第四模式转换区。其中，并进一步将第一模式转换区设计为非对称的Y分支波导，包括第一波导段和第二波导段，在第二模式转换区设计与弯曲汇聚波导，包括第三波导段和第四波导段，通过第三模式转换区的波导连接及光栅布置方式实现模式转换，形成耦合，包括第五波导段、第六波导段以及光栅区及制备在其中的凹槽结构，最终耦合后的光通过第四模式转换区输出，有效的实现了多模式的复用，有效的将入射的TE0模式的光转换为TE0和TE1混合模式的光输出。
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公开(公告)号：CN112558223A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202110014152.7
申请日：2021-01-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/14
Abstract: 本发明提供一种模式转换器及其制备方法，结构包括：依次连接的第一模式转换区、第二模式转换区、第三模式转换区以及第四模式转换区。其中，并进一步将第一模式转换区设计为非对称的Y分支波导，包括第一波导段和第二波导段，在第二模式转换区设计与弯曲汇聚波导，包括第三波导段和第四波导段，通过第三模式转换区的波导连接及光栅布置方式实现模式转换，形成耦合，包括第五波导段、第六波导段以及光栅区及制备在其中的凹槽结构，最终耦合后的光通过第四模式转换区输出，有效的实现了多模式的复用，有效的将入射的TE0模式的光转换为TE0和TE1混合模式的光输出。
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