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公开(公告)号：CN108054235B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201711215413.1
申请日：2017-11-28
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L31/18 , H01L21/027 , H01L21/68
Abstract: 本发明为一种自对准双台面器件结构制作方法，基于光刻胶回流工艺实现了一步光刻制备出双台面器件结构，且双台面中心自动对准；本发明的优点：省去了一步光刻，提升了流片效率，降低流片成本；大台面与小台面边沿间距可以小于1um，且边沿间距可以调节光刻胶回流工艺控制，特别适合高占空比的焦平面阵列制备。
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公开(公告)号：CN106784213B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710028757.5
申请日：2017-01-16
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种环腔纳米线电注入单光子源器件，其特征在于：包括p型电极、pin纳米线、嵌埋于纳米线中的量子点、多层同心环腔、n型电极、n型材料和衬底。这种器件的优点在于：在实现电注入工作的同时，利用多层同心圆环构成的圆环形布拉格微腔，在圆心量子点位置产生电磁场局域增强，既能利用珀塞尔效应增强量子点单光子源的辐射效率，又能在垂直于纳米线的两个空间维度限制光子的发散，使单光子只沿纳米线方向出射,易于和光纤耦合，极大地提高光收集利用效率。本发明的环腔纳米线电注入单光子源器件可广泛应用于量子信息、量子计算、量子认证、量子精密测量相关领域。
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公开(公告)号：CN108767018A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810495053.3
申请日：2018-05-22
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L29/872 , H01L21/329
CPC classification number: H01L29/872 , H01L29/66212
Abstract: 本发明属于太赫兹高频器件技术领域，公开了一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法，外延结构为结构一或结构二：结构一包括衬底、缓冲层、电流扩展层、GaN牺牲层和肖特基有源层；电流扩展层与GaN牺牲层间形成低电阻导电通道；结构二包括衬底、缓冲层、GaN牺牲层和肖特基有源层；肖特基有源层与GaN牺牲层间形成低电阻导电通道；工艺方法包括淀积绝缘介质层、使欧姆电极台面与GaN牺牲层之间具有低电阻导电通道、在n+GaN层上形成肖特基器件的欧姆接触金属电极、制备暴露的GaN牺牲层、GaN基肖特基有源层与衬底剥离、在肖特基有源层制作肖特基接触金属电极及金属互联完成高频GaN基薄膜肖特基器件的制作的步骤。
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公开(公告)号：CN107863403A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711215411.2
申请日：2017-11-28
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L31/0323 , H01L31/03529 , H01L31/1848
Abstract: 本发明属于半导体光电探测器领域，提供了一种高线性增益红外雪崩光电二极管及其制备方法，该二极管结构包括下电极接触层、周期性异质结构倍增层、电荷层、周期性异质结构吸收层和上电极接触层。周期性异质结构吸收层利用导带内子带能级跃迁实现对红外光子的吸收，周期性异质结构倍增层利用GaN/AlN异质结材料特有的能带特性促使光生电子发生单极碰撞离化。本发明提供的红外探测器能够保证器件在线性模式工作下获得高的雪崩增益，适用于各种需要进行微弱红外信号探测的应用场景。
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公开(公告)号：CN107257285A
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201710595957.9
申请日：2017-07-20
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC classification number: H04L9/3278 , H04B10/70 , H04L9/0852
Abstract: 本发明提出一种基于单光子激励和光学PUF的认证系统，该方法和系统使用激光脉冲衰减的方法制备单光子源，利用高速DMD数字微镜对入射光波前进行高速编码，将编码后的光照射到随机介质构成的光学PUF钥匙上产生散斑响应，利用sCMOS相机、EMCCD相机或EBCCD相机采集散斑图样，利用散斑信息进行PUF钥匙的注册和认证。本发明利用了单光子的量子不可克隆性和随机介质PUF钥匙的不可复制性，从物理上保证了认证过程的安全性，利用了窄带带通滤光片对环境光进行滤波，降低了环境光的影响，在安全领域具有极好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106789031A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710027818.6
申请日：2017-01-16
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC classification number: H04L9/0852 , H04B10/70 , H04L9/0858 , H04L9/3234 , H04L9/3271
Abstract: 本发明公开了一种单电路板上集成的量子认证系统，包括：一体化电路板、从左向右依次通过锡焊互联集成在一体化电路板上并通过外壳封装于一体的量子光源模块、插卡槽、解码探测模块和触摸屏显示器芯片，以及由窗口上封装固定有光学PUF的激励光调制器芯片构成的量子钥匙卡片。本发明通过将光学PUF和激励光调制器芯片集成一体，避免了激励光与光学PUF之间的位置对准问题，并利用波前反馈自适应算法，解决了量子钥匙卡片与解码探测模块之间的位置对准问题，极大地提高了系统的稳定性和可重复性。本发明还具有体积小、重量轻、结构紧凑、使用和携带便捷的优势，适于量子安全认证、身份识别、量子加密领域。
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公开(公告)号：CN105610584A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510912825.5
申请日：2015-12-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
CPC classification number: H04L9/3278 , H04L9/0852 , H04L9/0866
Abstract: 本发明公开了一种用于量子安全认证和量子密钥分配的物理不可克隆钥匙，由基底、生长于基底上的透明介质薄膜以及嵌埋于透明介质薄膜中的无序微纳米粒子构成；本发明中嵌埋于透明介质薄膜中的无序微纳米粒子是由多种材料、多种粒径、多种形状的微纳米粒子混合构成；相比于采用单种材料微纳米粒子构成的物理不可克隆钥匙，本发明具有更为复杂的微观结构和空间不均匀分布的折射率，可与入射光发生更复杂的相互作用，产生更大认证信息量的散斑，具有更高的安全性；同时，相比于直接由微纳米粒子构成的多孔结构物理不可克隆钥匙，本发明具有更高的稳定性和可靠性，不易受到外界环境干扰和破坏，适用于各种基底，可广泛应用于量子认证与量子密钥分配。
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公开(公告)号：CN115679300B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202211397554.0
申请日：2022-11-09
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: C23C16/56 , C23C14/22 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C16/455
Abstract: 本申请公开了一种本申请所提供的原子点缺陷的制备方法，包括：准备衬底；在所述衬底的上表面生长非晶体结构的薄膜，所述非晶体结构的薄膜在所述衬底的所述上表面呈岛状；对所述非晶体结构的薄膜进行退火处理，在所述非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷。本申请中在制备原子点缺陷时，通过在准备好的衬底上生长非晶体结构的薄膜，由于薄膜是非晶体结构的，不需要考虑薄膜的晶体生长质量，非晶体结构的薄膜中不存在原子点缺陷，通过对非晶体结构的薄膜进行退火，激活非晶体结构的薄膜中的原子点缺陷，以及在非晶体结构的薄膜中形成原子点缺陷，从而得到原子点缺陷，本申请的制备方法工艺简单，制备难度低。本申请还提供一种具有原子点缺陷的结构。
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公开(公告)号：CN107863403B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201711215411.2
申请日：2017-11-28
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于半导体光电探测器领域，提供了一种高线性增益红外雪崩光电二极管及其制备方法，该二极管结构包括下电极接触层、周期性异质结构倍增层、电荷层、周期性异质结构吸收层和上电极接触层。周期性异质结构吸收层利用导带内子带能级跃迁实现对红外光子的吸收，周期性异质结构倍增层利用GaN/AlN异质结材料特有的能带特性促使光生电子发生单极碰撞离化。本发明提供的红外探测器能够保证器件在线性模式工作下获得高的雪崩增益，适用于各种需要进行微弱红外信号探测的应用场景。
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公开(公告)号：CN107452844B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201710600355.8
申请日：2017-07-21
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了双曲超材料复合光栅增强的高频量子点单光子源，包括衬底、双曲超材料和量子点，双曲超材料的表面或内部有光栅微结构；双曲超材料是由介质薄膜和金属薄膜/介质薄膜和类金属薄膜交替形成一维周期性结构；量子点置于一维周期性结构内部或在双曲超材料的近场；本发明利用双曲超材料实现量子点宽带自发辐射增强，同时结合光栅的定向耦合输出特性提高光出射效率，大大提高量子点单光子源的光子产生速率和收集利用效率，可实现GHz以上的高频、高亮度、定向发射的量子点单光子源；同时兼容光泵浦和电泵浦两种激发方式，并适用于从紫外到红外各个波段；可广泛应用于量子信息、量子计算、量子成像、量子认证、量子精密测量相关领域。
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