一种具有横向耗尽区的高电子迁移率晶体管

    公开(公告)号:CN111682067A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN202010577585.9

    申请日:2020-06-23

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有横向耗尽区的高电子迁移率晶体管,芯片层结构包括由下至上依次设置的衬底、GaN缓冲层、第一电流阻挡层、N-GaN横向耗尽区、第二电流阻挡层、GaN沟道层,AlxGa1-xN势垒层,以及设置在所述N-GaN横向耗尽区右侧和所述GaN沟道层右侧的绝缘层,其中0

    一种基于掩埋型硅波导的石墨烯混合等离子调制器

    公开(公告)号:CN108873391A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201810763703.8

    申请日:2018-07-12

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于掩埋型硅波导的石墨烯混合等离子调制器,包括混合等离子波导和石墨烯三明治结构,其中混合等离子波导由两个银波导和一个掩埋型硅波导组成。调制器由6层结构构成,从上至下依次为两个银等离子波导,氧化铝隔离层,石墨烯三明治结构,氧化铝隔离层,掩埋型硅波导,二氧化硅衬底。所述石墨烯三明治结构由上单层石墨烯、中间氧化铝隔离介质和下单层石墨烯组成。以及,所述的上下单层石墨烯分别与左右金属电极接触,所述上下单层石墨烯在左右金属电极的电信号作用下实现光调制器的开启和关闭。本发明可以实现高调制深度、低传输损耗、高调制带宽的光调制,可以在集成高速全光网络中获得应用。

    一种功能型表面增强拉曼散射探针的制备方法

    公开(公告)号:CN101089614A

    公开(公告)日:2007-12-19

    申请号:CN200710024581.2

    申请日:2007-06-22

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种功能型表面增强拉曼散射探针的制备方法涉及激光拉曼光谱检测领域,具体涉及一种功能型表面增强拉曼散射探针的制备方法及其应用于细胞内pH传感和细胞内多组分探测。该制备方法是将10-5M敏感材料与银胶或金胶溶液按体积比3∶1000~300∶1000混和均匀,再以体积比3∶1~10∶1加入0.1M的氯化钠溶液,得到功能型表面增强拉曼散射探针;该探针尺寸在20~50nm范围,是水溶性的。所述的敏感材料以氨基(-NH2)作为pH敏感基团并含有易于与金属表面结合的基团。本发明的功能型SERS探针具有超高的灵敏度,适用的激发波长范围广,提高了测量的可靠性。实现对细胞的多方位实时、在线探测。

    一种具有光子晶体反射层结构的发光二极管

    公开(公告)号:CN114883463B

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202210618153.7

    申请日:2022-06-01

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有光子晶体反射层结构的发光二极管,包括由下而上依次设置的光子晶体反射层、衬底、氮化物缓冲层、n型氮化物层、多量子阱结构、电子阻挡层、p型氮化物层、透明导电层,所述n型氮化物层上设置的n型电极和所述p型氮化物层上设置的p型电极。其中光子晶体反射层由二种金属层和二种氧化物层交替插入组成,本发明通过引入由二种金属层和二种氧化物层交替插入形成的光子晶体反射层结构,能够对光子晶体反射层的光子禁带进行调制,可灵活并且极大地改变光子晶体反射层的反射率与适用波段,从而可实现对LED的较宽连续波段的发射光具有高反射率,因而能够有效地提高LED的发光效率。

    一种基于SOI材料制备的Sagnac环形反射器型可调谐滤波器

    公开(公告)号:CN118409393A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410598169.5

    申请日:2024-05-14

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于SOI材料制备的Sagnac环形反射器型可调谐滤波器,包括SiO2包层,所述SiO2包层内部设有水平设置的波导层,波导层由Si材料制备,厚度为220nm;所述波导层包括第一Sagnac环形反射器、第二Sagnac环形反射器、第三Sagnac环形反射器以及四个级联直波导;第一Sagnac环形反射器的输入端的上端口InputA为可调谐滤波器的输入端,第三Sagnac环形反射器的输出端的上端口Output A为可调谐滤波器的输出端。本发明通过对非对称马赫‑曾德尔干涉器和对称马赫‑曾德尔干涉器参数的调制,使得Sagnac环形反射器分光比发生改变,从而实现滤波器调谐和光谱重构;没有造成占用面积的扩大,但保证了其可调谐性和重构性,且能够实现超高的消光比和斜率。

    一种基于掺杂脊型光波导的高带宽SOI调制器

    公开(公告)号:CN117784454A

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202410099536.7

    申请日:2024-01-24

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于掺杂脊型光波导的高带宽SOI调制器。所述脊型光波导为采用掺杂硅制备而成的脊型波导,其结构包括P++掺杂区、P+掺杂区、P‑掺杂区、P掺杂区、N掺杂区、N‑掺杂区、N+掺杂区、N++掺杂区,其中P掺杂区和N掺杂区位于脊型波导的中心区域,P++、P+、P‑、N++、N+、N‑掺杂区域位于平板波导区域。以行波电极进行驱动,本发明可以实现高效率高带宽的电光调制。

    一种基于纳米束的硅基偏振分束旋转器

    公开(公告)号:CN117706684A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311792745.1

    申请日:2023-12-25

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米束的硅基偏振分束旋转器,所述偏振分束旋转器的波导包括输入直波导、第一刻蚀区、第二刻蚀区、耦合区下直波导、纳米束波导、第一输出直波导、第一S弯波导、耦合区上直波导、第二S弯波导、第二输出直波导,其中,所述输入直波导上设置有被部分刻蚀的第一刻蚀区和第二刻蚀区,所述输入直波导、耦合区下直波导、纳米束波导依次相连,形成下波导,所述第一输出直波导、第一S弯波导、耦合区上直波导、第二S弯波导、第二输出直波导依次相连,形成上波导。本发明尺寸小,消光比高,实用性更高。

    一种基于LNOI材料制备的偏振-波长混合复用器

    公开(公告)号:CN117590523A

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202311678392.2

    申请日:2023-12-08

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于LNOI材料制备的偏振‑波长混合复用器,所述偏振‑波长混合复用器的波导由LNOI材料制备而成,包括第一直波导、第二直波导、第三直波导、第一绝热锥形波导、第二锥形波导、若干微环谐振器和若干输出波导,所述第一直波导、第一绝热锥形波导、第二直波导、第二锥形波导、第三直波导依次连接,所述第二直波导和所述第三直波导的一侧都分别耦合若干组微环谐振器组,微环谐振器组由若干微环谐振器级联而成,每组微环谐振器组耦合一个输出波导。本发明可以实现TE0和TM0两种偏振模式的波分复用,通道容量是单一偏振模式的波分复用系统的两倍。

    基于重建光谱的光纤光栅解调系统及方法

    公开(公告)号:CN117537854A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202311610245.1

    申请日:2023-11-29

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于重建光谱的光纤光栅解调系统及方法,系统包括宽谱光源、光隔离器、环形器、FBG阵列、反射型AWG、光开关、光功率计和上位机,所述宽谱光源的输出端连接所述光隔离器的输入端,所述光隔离器的输出端连接至所述环形器的第一端口,所述环形器的第二端口连接所述FBG阵列,所述环形器的第三端口连接所述光开关的第一输入端,所述光开关的输出端连接所述反射型AWG的所有通道,所述光开关的第二输入端与所述光功率计、所述上位机依次连接,所述上位机用于根据光功率计计算的光功率重建光纤光栅反射光谱,实现解调。本发明实现了对FBG反射光谱的直接测量,大大减小了系统尺寸,可以片上集成,价格低。

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