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公开(公告)号:CN114975622A
公开(公告)日:2022-08-30
申请号:CN202210617969.8
申请日:2022-06-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/205 , H01L29/06
Abstract: 本发明的一种具有GaN/AlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管,包括由下至上依次设置的衬底、成核层、缓冲层和电子阻挡层;在电子阻挡层上表面设置有依次排列的GaN沟道层、p‑GaN通道区、n‑GaN漂移区、p+‑GaN集电区;在所述GaN沟道层上表面设置有Alx1Ga1‑x1N势垒层;在所述p‑GaN通道区和n‑GaN漂移区上表面设置绝缘层;在p+‑GaN集电区上表面设置有阳极。在Alx1Ga1‑x1N势垒层上表面设置阴极,在所述绝缘层上设置栅极,栅极所在区域与p‑GaN通道区相对应。本发明的绝缘栅双极型晶体管高频响应特性更优,可彻底消除存在于传统IGBT中的闩锁效应。
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公开(公告)号:CN104614807B
公开(公告)日:2017-04-19
申请号:CN201510071474.X
申请日:2015-02-11
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于光栅相位臂的级联马赫曾德干涉仪型光功分‑波分器,其包括一根主输入波导,两个1×2的3dB耦合器,四个2×2的3dB耦合器,两根耦合波导,两根输入波导,八个光栅耦合波导,四根完整相位臂,四根半相位臂和八根输出波导且八根波导中的波长均不同。本发明可以实现功分和波分,在八根光栅型相位臂和相位臂间的光栅波导中对输入光信号进行不断滤波达到降低串扰、提高输出特性的效果。同时一、二级马赫曾德干涉仪之间的耦合在相位臂处进行,形成三维立体结构,缩小体积且提高了集成度。
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公开(公告)号:CN104820263B
公开(公告)日:2018-03-20
申请号:CN201510186346.X
申请日:2015-04-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微管结构的三维集成可调波分器。该波分器在结构上设有包括:衬底,在衬底上设有输入波导、圆形微管和输出波导阵列,所述的输出波导阵列包括隔离体区,在隔离体区内设有输出波导,在圆形微管内填充有电致膨胀材料,在电致膨胀材料上分别连接有第一电极和第二电极,所述的输入波导和输出波导位于圆形微管的两侧。本发明由平面光波导技术(PLC)制作而成,利用等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺生长波导层和隔离层,利用光刻和刻蚀技术制备衬底,输入波导,圆形微管和输出波导阵列,具有体积小,通道多,工艺简单,成本低等优点,可以根据使用需求调节圆形微管滤波特性。
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公开(公告)号:CN104865639B
公开(公告)日:2017-10-31
申请号:CN201510224339.4
申请日:2015-05-06
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于可调光栅型微环的三维集成光功分/波分器,包括硅衬底、四层二氧化硅缓冲层、三层波导、可调光栅型微环谐振器、覆盖层以及压电材料,压电材料位于光栅上方,波导包括一根输入波导,六根输出波导,关于微环上下对称的两根输出波导传输同一种波长,且功率相同,三组输出波导共传输三种波长。本发明能够同时实现波分和功分功能,且可通过调节压电材料改变光栅参数,进而提高输出特性。
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公开(公告)号:CN104820263A
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201510186346.X
申请日:2015-04-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微管结构的三维集成可调波分器。该波分器在结构上设有包括:衬底,在衬底上设有输入波导、圆形微管和输出波导阵列,所述的输出波导阵列包括隔离体区,在隔离体区内设有输出波导,在圆形微管内填充有电致膨胀材料,在电致膨胀材料上分别连接有第一电极和第二电极,所述的输入波导和输出波导位于圆形微管的两侧。本发明由平面光波导技术(PLC)制作而成,利用等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺生长波导层和隔离层,利用光刻和刻蚀技术制备衬底,输入波导,圆形微管和输出波导阵列,具有体积小,通道多,工艺简单,成本低等优点,可以根据使用需求调节圆形微管滤波特性。
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公开(公告)号:CN104865639A
公开(公告)日:2015-08-26
申请号:CN201510224339.4
申请日:2015-05-06
Applicant: 东南大学
CPC classification number: G02B6/125 , G02B6/12007 , G02B6/29334 , G02B6/29338 , G02B2006/12107
Abstract: 本发明公开了一种基于可调光栅型微环的三维集成光功分/波分器,包括硅衬底、四层二氧化硅缓冲层、三层波导、可调光栅型微环谐振器、覆盖层以及压电材料,压电材料位于光栅上方,波导包括一根输入波导,六根输出波导,关于微环上下对称的两根输出波导传输同一种波长,且功率相同,三组输出波导共传输三种波长。本发明能够同时实现波分和功分功能,且可通过调节压电材料改变光栅参数,进而提高输出特性。
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公开(公告)号:CN114975622B
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202210617969.8
申请日:2022-06-01
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/205 , H01L29/06
Abstract: 本发明的一种具有GaN/AlGaN异质结的GaN基绝缘栅双极型晶体管,包括由下至上依次设置的衬底、成核层、缓冲层和电子阻挡层;在电子阻挡层上表面设置有依次排列的GaN沟道层、p‑GaN通道区、n‑GaN漂移区、p+‑GaN集电区;在所述GaN沟道层上表面设置有Alx1Ga1‑x1N势垒层;在所述p‑GaN通道区和n‑GaN漂移区上表面设置绝缘层;在p+‑GaN集电区上表面设置有阳极。在Alx1Ga1‑x1N势垒层上表面设置阴极,在所述绝缘层上设置栅极,栅极所在区域与p‑GaN通道区相对应。本发明的绝缘栅双极型晶体管高频响应特性更优,可彻底消除存在于传统IGBT中的闩锁效应。
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公开(公告)号:CN104570208B
公开(公告)日:2017-10-10
申请号:CN201510054821.8
申请日:2015-02-03
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开一种基于立体直式阵列波导光栅波分器和功分器,设置在底板上的AWG芯片区别于传统的曲臂式阵列波导结构,采用了正弦式曲臂阵列波导结构,通过改变正弦波的周期数来达到获取不同光程差的目的。还在输出的FPR(星型耦合器)上方设置有波导耦合结构,可以达到功分器的目的。该集成器件区别于传统的AWG结构,能够达到直式的AWG结构,同时能实现波导耦合和功分的功能,大大减少了AWG元件的尺寸,工艺也易于实现,具有体积小、重量轻、易于集成等优点,适于大规模生产。
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