双微环谐振腔型半导体激光器的线性度校正系统

    公开(公告)号:CN116990784A

    公开(公告)日:2023-11-03

    申请号:CN202310783073.1

    申请日:2023-06-28

    Abstract: 本发明公开了一种双微环谐振腔型半导体激光器的线性度校正系统,属于激光器校正领域,对通过标准三角波调制信号驱动的双微环谐振腔型半导体激光器输出的非线性频率信号进行校正得到预失真波形,并对该波形按比例进行放大后输出三路驱动信号施加至双微环谐振腔型半导体激光器内部集成的双微环调制器和移相器上,再对输出的非线性频率信号进行校正,通过多轮校正,使得双微环谐振腔型半导体激光器输出调频线性连续三角波频率信号,完成双微环谐振腔型半导体激光器线性度校正。可以用于高精度的激光测距,并能有效解决双微环谐振腔型半导体激光器在大范围扫频下具有的调频非线性问题,降低了由于激光器本身所带来的测量误差。

    图像传感器测试装置及方法
    62.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116781889A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202310806457.0

    申请日:2023-07-03

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种图像传感器测试装置及方法,属于图像测试领域,在测试装置顶部放置常规光源,底部设置待测图像传感器,测试装置顶部为半球形,内侧覆盖有全反射镜面层,具有聚光效果,通过开启或关闭光源得到测试中所需的明场环境和暗场环境,并利用匀光片和滤光片辅助得到不同波长的光场,通过获取明场环境和暗场环境中不同曝光时间下待测图像传感器的灰度均值与时域噪声方差,计算得到待测图像传感器的多个测试参数,并通过更换滤光片,得到在不同波长光源下待测图像传感器的多个测试参数。测量装置对测量设备要求低,且整个测试平台体积较小,方便测试者携带,解决了对实验设备的依赖,形成了小型化测试流程,能有效完成图像传感器测试任务。

    一种Ku波段能量选择表面
    63.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116742355A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310642098.X

    申请日:2023-06-01

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种Ku波段能量选择表面,涉及强电磁脉冲防护技术领域,解决了缺乏Ku波段工作能量选择表面研究的技术问题,其技术方案要点是该Ku波段能量选择表面包括介质基板,介质基板的上表面和下表面均印制有呈周期性排列的金属结构,首次现实了Ku波段能量选择防护特性,当电磁波能量大于安全阀值时通过工作频带搬移对强电磁脉冲防护效能达到最大,同时也可以通过基板下方偏置电路实现电磁防护,且关键指标如插入损耗、防护效果、加工复杂度等方面与公开的低频段能量选择表面相当。

    一种基于光散射的灵活高维复杂矩阵运算单元

    公开(公告)号:CN116011537A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211647943.4

    申请日:2022-12-21

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于光散射的灵活高维复杂矩阵运算结构,包括光分路器,电光开关,4个CWDM的波分复用单元,4个OSU矩阵运算单元和光电检测器;利用电信号控制入射光按照不同的时间,入射到不同的CWDM波分复用单元,CWDM波分复用单元将入射光按照波长分离并从不同的出射波导出射;之后,这些出射光会被送入OSU矩阵运算单元的相对应波长波导处,经过单元散射后按照一定比例从相应波导出射;光电检测单元通过检测一段时间内各个波导的出射光的归一化功率,来进行矩阵运算的模拟。本发明的电光混合的矩阵乘法,具备高带宽、低损耗、所需空间小等优势,同时具有很好的拓展性,能够实现灵活的矩阵运算模拟。

    数据中心浸没式双循环多模式液冷散热调节系统及方法

    公开(公告)号:CN115568193B

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211563962.9

    申请日:2022-12-07

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提供了一种数据中心浸没式双循环多模式液冷散热调节系统及方法,调节系统包括数据中心机柜,微流道冷凝换热器,板式换热器,余热回收装置,冷却水储液罐,氟化液储液罐、液体泵以及氟化液、相应管道以及管道阀。本发明根据服务器的工作功耗以及冷却工质的热物性切换至单相与两相的循环回路,根据机柜散热需求、载荷大小、工作环境灵活调节控制,避免了因数据中心载荷不同而造成的资源浪费,且冷却水流经余热回收装置回收热量,以节省系统用电量,极大地提高了制冷量利用效率,本发明可靠性高、便于管理、对不同工质的自适应性、冷源利用率高、能在不同模式下进行高效精准的散热。

    基于反向优化超结构卷积核的片上光子神经网络

    公开(公告)号:CN113592084B

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202110837609.4

    申请日:2021-07-23

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了基于反向优化超结构卷积核的片上光子神经网络,包括N个隐藏层和一个全连接层,所述隐藏层包括依次连接的激光器阵列、电光调制器、超结构卷积核、光电探测器和池化层,所述超结构卷积核包括超结构波分复用器、以及M个级联的超结构光散射单元和移相器,其中,超结构波分复用器用于将光信号被分为m路不同波长范围输出,超结构光散射单元将m路不同波长范围的光信号按比例重新分配功率后从不同的输出端口分别输出,实现卷积运算中不同权重的分配。本发明的片上光子神经网络,具备高带宽、低损耗等优势,且超结构的光子器件经反向设计具有良好性能,可便捷改变器件的目标性能,减少芯片制作时的内部器件需求。

    基于光散射的矩阵计算方法及光学神经网络

    公开(公告)号:CN114707629A

    公开(公告)日:2022-07-05

    申请号:CN202210042090.5

    申请日:2022-01-14

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本申请公开了基于光散射的矩阵计算方法及光学神经网络,基于光散射的矩阵计算方法,步骤1,将矩阵W分解为酉矩阵和对角矩阵;步骤2,基于光散射构建矩阵计算单元;步骤3,对输入特征向量进行电光转换,得到N路光信号;步骤4,将N路光信号输入到矩阵计算单元中,实现输入特征向量与矩阵W的乘法运算;光信号通过本申请矩阵计算单元后,可以光速执行任意向量矩阵乘法,并几乎没有光学损耗。基于上述矩阵计算单元的全光光学神经网络可以有效减少实现神经网络运算的光学器件数量,可以为人工神经网络的实现提供一种尺寸更小、能耗更低、带宽更大、鲁棒性更好、运算速度更快的实现方案。

    一种小鼠肺微血管内皮细胞永生化以获得胞外囊泡的方法

    公开(公告)号:CN114149977A

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN202111500564.8

    申请日:2021-12-09

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开一种小鼠肺微血管内皮细胞永生化以获得胞外囊泡的方法,包括以下步骤:S1、小鼠肺微血管内皮原代细胞分离:分离新生小鼠边缘肺组织,用眼科剪刀将组织剪成小块,制备单细胞悬液,磁珠阴性选择去除CD45+、CD90.2+和CD326+的细胞,筛选内皮细胞集落进行体外增殖;S2、内皮细胞永生化:转染六种慢病毒并进行筛选,根据细胞的生长速率和形态选择永生化细胞株;S3、囊泡提取:采用超声离心法提取囊泡。本发明通过磁珠阴性选择和圈选手段,避免了传统磁珠阳性选择提取细胞的损害,极大改善内皮细胞的损耗;本发明通过转染慢病毒至原代细胞,构建永生化细胞,永生化细胞分泌囊泡保留了原代细胞分泌囊泡的特性,极大降低囊泡提取成本。

    一种用于超声键合的芯片夹持固定和芯片平行度测量结构

    公开(公告)号:CN111890249B

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202010661910.X

    申请日:2020-07-10

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于超声键合的芯片夹持固定和芯片平行度测量结构,包括靠近吸嘴的长针脚芯片平行度测量结构和位于长针脚芯片平行度测量结构外侧的短针脚芯片夹持固定结构。本发明根据滑动变阻器的原理,通过对长针脚位置变化导致的电阻变化进行测量,通过电阻的决定式,能够精确读取到芯片平行度的偏移量,从而实现准确的芯片平行度测量,解决了吸嘴和基板平行时,还可能因为电气接触凸点高低导致的芯片不平行等外界因素的问题。并且短针脚在超声键合的过程中,未收起的部分可以实现对芯片的位置固定,从而保护芯片,增大键合成功率。

    一种用于窄长器件精密对准的键合标记结构

    公开(公告)号:CN111540728B

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN202010293727.9

    申请日:2020-04-15

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于窄长器件精密对准的键合标记结构,包括位于无源芯片上的键合标记层和位于有源激光器上的键合标记层。无源芯片上的键合标记层包括一个横向下游标标记、两个纵向下游标标记、一个凹型十字标记和两个游标基准标记。有源激光器上的键合标记层包括两个横向上游标标记、两个纵向上游标标记和一个凸型十字标记。本发明根据游标卡尺的原理,通过上、下游标标记的偏移数量,再加上十字标记确定的偏移方向,就能够精确读出键合过程中的偏移距离,从而实现有源激光器与无源芯片的精密键合。

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