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公开(公告)号：CN109119321A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810649844.7
申请日：2018-06-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明在将多个基板排列载置于下部电极来进行等离子体处理时，抑制下部电极的异常放电的发生。在将多个例如2个基板(G)排列载置的下部电极(4)中，在沿基板的四边顺时针或逆时针环绕的环绕路线上看时，将构成环部(6)的带状部件(61～67)配置成后方侧的带状部件的前端部的侧面与前方侧的带状部件的后端面接触。在以与设置于作为2个基板之间的边界区域(44)的带状部件(纵向部件)的后端面接触的方式在横向上配置在一直线上的2个带状部件(横向部件)(63、67)的端面彼此之间，形成有用于吸收横向部件的因热导致的延伸的间隙。由于下部电极不从间隙露出，所以即使等离子体进入间隙，也能够抑制异常放电的发生。
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公开(公告)号：CN105206497B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510523186.3
申请日：2012-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/687 , H01L21/68
Abstract: 本发明提供一种防止在环状屏蔽部件的构成零件和基板载置台之间产生间隙并能够防止构成零件破损的环状屏蔽部件。屏蔽环(15)由四个环构成零件(41)～(44)构成，在各环构成零件(41)～(44)的长度方向上的固定端设置有全方向移动限制部(45)，单方向移动容许部(46)与全方向移动限制部(45)离开地设置，例如以一个环构成零件(41)的固定端(41a)的端面与相邻的另一环构成零件(43)的自由端(43b)的侧面抵接，一个环构成零件(41)的自由端(41b)的侧面与相邻的又一环构成零件(44)的固定端(44a)的端面抵接的方式，组合各环构成零件(41)～(44)。
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公开(公告)号：CN105742147A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510994178.7
申请日：2015-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32715
Abstract: 本发明提供一种在周围配置有由绝缘材料构成的环形部件的载置台，能够抑制粒子或异常放电的产生的技术。设置在等离子体处理装置中的载置台(3)，包括：棱柱状的金属制的载置台主体；形成于载置台主体的侧部的作为卡合部的凹部(61)；和与凹部卡合安装于载置台主体上的定位部件(7)。在定位部件上设置有突起部(72、73)，以在该突起部嵌合形成于环形部件(5)的下表面的凹部(55、56)的方式载置设置环形部件。因此，环形部件上表面作构成为未设置上下方向的贯通孔的平坦面，不会形成成为粒子的产生原因的间隙或与从环形部件的上表面用螺丝向载置台固定时的异常放电相关联的间隙，所以能够抑制粒子和异常放电的产生。
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公开(公告)号：CN102543816B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201110460424.2
申请日：2011-12-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种静电吸盘，其能够防止对形成于基板表面的电路的元件的破坏以及向基板附着污染物质，且能够防止对基板背面的损伤，并且能够容易地应用于既有的装置。在具有上层(42)、下层(43)以及被设于上层(42)与下层(43)之间的静电电极板(44)的静电吸盘(40a)的上层(42)的基板载置面(41)上形成有由作为与基板G的背面的构成材料相同的材料的玻璃形成的、用于与基板G的背面抵接的最上层(45a)，上层(42)及下层(43)由作为对含氟气体具有抗性的电介质的氧化铝形成。
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公开(公告)号：CN101752173B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200910254266.8
申请日：2009-12-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置、真空处理系统和处理方法，真空处理装置即使被处理体大型化也能极力抑制真空处理容器的尺寸，真空处理系统能不使用大型搬送臂向真空处理装置搬送被处理体。从第一真空搬送装置(200a)内向等离子体处理装置(100)内浮起搬送基板(S)时，从搬送台(203)的浮起用气体喷射孔(207)向基板的背面喷射浮起用气体使其浮起状态下，利用一对引导装置(205)的保持部件(213)保持基板，使可动支承体(217)在轨道(215)上向等离子体处理装置移动。接着解除保持部件的保持，利用来自载置台(103)的气体喷射孔(103b)的气体使基板静止浮起，向等离子体处理装置交接基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102779715A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210141209.0
申请日：2012-05-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及等离子体生成用电极和等离子体处理装置。本发明提供一种对FPD用基板进行等离子体处理时难以产生异常放电、颗粒化的问题的等离子体生成用电极。等离子体生成用电极（20）具备：主体，具有与配置于腔室（2）内的平板显示用基板（G）相对的对置面（F），对由铝或铝合金构成的基材（20a）的表面进行阳极氧化处理而具有阳极氧化被膜（20b）；多个气体喷出孔（22），在主体的对置面（F）开口而成；陶瓷喷镀被膜（23），至少形成在对置面（F）的气体喷出孔（22）的开口部（22c）。在对置面（F），陶瓷喷镀被膜（23）之间的部分露出主体的面。
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公开(公告)号：CN101609779B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910146311.8
申请日：2009-06-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种聚焦环以及等离子体处理装置，在耐等离子体性和相对于高频电场的屏蔽性双方均优异。该聚焦环是安装在配设于实施等离子体处理的处理室内的电极的周缘部上的、层叠介电常数不同的多个介电体的多层结构聚焦环，介电常数低的低介电常数介电体(6a)被配置在电极(5)一侧，介电常数为低介电常数介电体(6a)的介电常数以上并且比低介电常数介电体(6a)的耐等离子体性高的耐等离子体性介电体(6b)被配置在处理室的处理空间一侧。
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公开(公告)号：CN102468107A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110368736.0
申请日：2011-11-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供绝缘构件及包括绝缘构件的基板处理装置。该绝缘构件能够防止密封构件因等离子体而劣化。在基板处理装置(10)的腔室(11)内将基座(12)和腔室的底部平面(51)绝缘的绝缘构件(14)具有内侧构件(41)、外侧构件(42)、配置在两者之间的O型密封圈(43)，外侧构件由与矩形的基座的各边相对应的长条状物(44～47)的组合体构成，各长条状物以各长条状物的一端的端面抵接于相邻的另一个长条状物的一端的侧面、另一端的侧面抵接于又一个长条状物的一端的端面的方式组合，各长条状物排列为各长条状物的一端借助固定用的螺纹孔(48)固定于腔室的底部平面、另一端借助支承用的螺纹孔(49)位移自由地支承。
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公开(公告)号：CN101615570B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200910146244.X
申请日：2009-06-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/311 , H01L21/677 , G03F7/42
Abstract: 本发明提供一种真空处理装置，其在打开盖住容器主体的上部开口部的盖体，将被处理体搬入搬出处理容器时，可以降低混入处理容器内部的水分和颗粒的量。其包括内部具有成为被处理体的基板(S)的载置台(3)的容器主体(21)和盖住该容器主体(21)的上部开口部的盖体(22)，当为了将上述基板(S)搬入或者搬出处理容器(20)而在盖体(22)和容器主体(21)之间形成间隙时，在处理容器(20)的外周面，沿周方向设置罩部件(5)，以便至少在基板(S)的搬入搬出区域之外的区域覆盖上述间隙。
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公开(公告)号：CN101609790B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910149131.5
申请日：2009-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以减轻设置在被处理体周围的整流壁的弯曲的处理装置，向处理容器(20)的内部供给处理气体，对载置台(3)上载置的被处理体(S)，例如进行蚀刻等处理的处理装置(2)中，整流部件(5)构成为，连接有沿着被处理体(S)的各边延伸的多个整流壁(51)，并包围该被处理体(S)，各整流壁(51)，其两端部被支撑部件(52)支撑，而且，其上缘形成为向该整流壁(51)的中央部逐渐升高的形状，另一方面，下缘形成为与上述载置台的上面平行。
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