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公开(公告)号：CN1405900A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02145107.9
申请日：2002-11-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0232 , H01L31/04
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 一种等离子体滤波器氮化铟半导体薄膜属于半导体材料领域。本发明提供一种磁控溅射法生长的半导体氮化铟薄膜作为等离子体滤波器材料，薄膜中In元素和N元素的原子百分比为1∶1，具有较好的晶体质量，不需掺杂就能达到等离子体滤波器所需要的高电子浓度，通过控制生长条件，可以方便的调节薄膜的电子浓度和薄膜厚度，适应不同滤波器的要求，具有很好的滤波性能，并具有光损失小、透过范围大和利于系统集成的优点。
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公开(公告)号：CN117878178A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410035575.0
申请日：2024-01-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0747 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 一种晶硅异质结太阳电池结构及其制备方法，包括：n型晶硅衬底、依次设置于其一侧的第一超薄氧化硅层、第一非晶碳化硅层、第一硅量子点层、第二非晶碳化层、由非晶硅在高温退火条件下形成的第二硅量子点层、由非晶硅在高温退火条件下形成的第一磷掺杂纳米硅层和第一透明导电层以及设置于其另一侧的第二超薄氧化硅层、第二硼掺杂纳米硅层和第二透明导电层。本发明利用不同厚度的非晶硅膜/碳化硅多层膜，通过高温热退火技术，以便获得尺寸渐变的硅量子点结构。硅量子点结构存在量子限制效应，不同尺寸的硅量子点具有不同的带隙，形成界面钝化好，并兼容高温工艺的低成本异质结太阳电池，而提高电池的开路电压。
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公开(公告)号：CN117293195A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311186909.6
申请日：2023-09-14
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/20
Abstract: 一种背面选择性掺杂钝化接触太阳电池及其制备方法，包括：n型晶硅衬底、依次设置于衬底前表面的p+发射极层、第一钝化层、第二钝化层和前电极以及依次设置于衬底背表面的超薄氧化硅层、梯度掺杂非晶硅层、钝化层和背电极，其中：背电极通过激光重掺杂层依次穿过钝化层、梯度掺杂非晶硅层和超薄氧化硅层与衬底接触。本发明采用梯度掺杂的poly‑Si层，并结合激光重掺杂和选择性刻蚀技术，制备的TOPCon晶硅太阳电池既能实现较低的金属/半导体接触电阻率，又能降低多晶硅层中的光子寄生吸收，获得较高的短路电流密度和填充因子，从而提升太阳电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN113644002B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202110914468.1
申请日：2021-08-10
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种太阳电池少数载流子端接触电阻的测试方法，通过暗态I‑V曲线对应样品不同的正面电极面积S绘制出dV/d(lnI)‑I曲线，并结合双(二极管+电阻)等效电路模型对曲线进行分段分析，进而计算出电阻‑电极面积倒数曲线，经曲线拟合得到直线的斜率即为带钝化层的免掺杂异质结电池样品的少数载流子端比接触电阻。本发明结合带钝化层的免掺杂异质结太阳电池少数载流子端载流子传输模型，建立对应的等效电路图，进而得到提取带钝化层的免掺杂异质结太阳电池少数载流子端接触电阻的方法。
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公开(公告)号：CN113161492B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202110193526.6
申请日：2021-02-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于小分子钝化钙钛矿太阳电池的制备方法，太阳电池由玻璃基底、ITO导电玻璃、PTAA空穴传输层、钙钛矿层、多功能电子传输层、金属电极层构成，创造性的将微量Y6分子掺杂在常规电子传输层PCBM中，作为钙钛矿吸收层的多功能电子传输层。本发明制备的多功能电子传输层具有更光滑的表面形貌，更薄的薄膜厚度；相比于未加入Y6的电子传输层薄膜，加入Y6的电子传输层具备吸收更宽太阳光谱的能力；加入Y6的电子传输层的钙钛矿薄膜缺陷密度明显降低，减少了表面处的缺陷复合损失。根据本发明方法制备的平面反式结构的钙钛矿太阳电池稳定性提高的同时，具有更高的开路电压与短路电流，进而提高了器件光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113161492A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110193526.6
申请日：2021-02-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于小分子钝化钙钛矿太阳电池的制备方法，太阳电池由玻璃基底、ITO导电玻璃、PTAA空穴传输层、钙钛矿层、多功能电子传输层、金属电极层构成，创造性的将微量Y6分子掺杂在常规电子传输层PCBM中，作为钙钛矿吸收层的多功能电子传输层。本发明制备的多功能电子传输层具有更光滑的表面形貌，更薄的薄膜厚度；相比于未加入Y6的电子传输层薄膜，加入Y6的电子传输层具备吸收更宽太阳光谱的能力；加入Y6的电子传输层的钙钛矿薄膜缺陷密度明显降低，减少了表面处的缺陷复合损失。根据本发明方法制备的平面反式结构的钙钛矿太阳电池稳定性提高的同时，具有更高的开路电压与短路电流，进而提高了器件光电转换效率。
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公开(公告)号：CN110518127B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201910759803.8
申请日：2019-08-16
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于表面活性剂钝化的钙钛矿太阳能电池及制备方法，通过在钙钛矿太阳能电池的钙钛矿层薄膜与空穴传输层之间引入表面活性剂钝化层，起到了钝化钙钛矿层薄膜的作用。所述表面活性剂钝化层可改善氧化镍薄膜表面的水接触角，并在后续制备钙钛矿薄膜的过程中，降低钙钛矿晶核数目，使得钙钛矿层的结晶性更好，晶粒尺寸较大。同时本发明公开的钙钛矿太阳能电池，具有更高的光吸收系数，并因为降低了钙钛矿的界面缺陷，故具有更低的缺陷态密度，及更大的开路电压、短路电流密度和填充因子，因此具有更高的光电转换效率，提升了整体性能。并且，本发明公开的钙钛矿太阳能电池中钝化层的制备方法，不需要任何有机溶剂的参与，更加简便和安全。
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公开(公告)号：CN110664066A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910909560.1
申请日：2019-09-25
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜太阳能电池伞面的智能遮阳伞，涉及智能遮阳伞技术领域，包括伞体、四旋翼无人机和控制模块；所述伞体包括伞面和伞骨架，所述伞面由薄膜太阳能电池制成，并由所述伞骨架支撑；所述伞骨架包括支撑所述伞面的伞骨和伞轴；所述四旋翼无人机固定在所述伞骨架内侧上；所述控制模块包括定位模块、电能转换模块和电能存储模块；所述薄膜太阳能电池的电能输出端与所述电能转换模块的一端相连，所述电能转换模块的另一端则与所述电能存储模块的一端相连，所述电能存储模块的另一端与所述四旋翼无人机的驱动电机及所述定位模块相连。本发明的实施，解放了双手，遮阳的同时进行发电以供无人机运行，且可折叠，携带方便。
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公开(公告)号：CN110534590A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910760648.1
申请日：2019-08-16
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种提高钝化发射极和背面太阳电池长波响应的背面三层氮化硅(SiNx:H)薄膜制备方法及其应用。本发明的制备方法包括以下步骤：(1)将硅片置于管式等离子体增强化学气相沉积设备在背面沉积一层30nm厚且折射率为2.37(波长632nm处，下同)的SiNx:H；(2)将该硅片继续置于PECVD设备沉积一层40nm厚且折射率为2.15的SiNx:H；(3)将该硅片再次置于PECVD设备沉积一层50nm厚且折射率为1.92的SiNx:H。本发明的背面三层SiNx:H薄膜方法降低了电池背面对入射光子的吸收并有效提高了背反射，有利于长波光子的再次利用，大幅度提升了太阳电池的光电性能。
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公开(公告)号：CN109713056A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811470762.2
申请日：2018-12-04
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L31/18 , C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种具有径向PN结的黑硅太阳电池制备方法，涉及晶硅太阳电池制备领域，包括如下步骤：(1)采用化学湿法在硅衬底上制作微米尺寸的绒面；(2)在800-1000℃且含氧量控制在30-100％的条件下维持10-60min，将扩散源扩散在所述绒面的表面；(3)通过退火制作所述绒面的所述表面钝化层。该方法可通过简单的扩散工艺实现PN结的场钝化效果，保证良好的陷光能力，较好控制表面复合和俄歇复合，且绒面制备成本较低，可较好地提升电池转换效率。
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