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发明公开
一种提高太阳电池长波响应的氮化硅薄膜及其制备方法无效

公开(公告)号：CN110534590A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910760648.1

申请日：2019-08-16

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 沈文忠 , 吕镱 , 李正平 , 唐海碧

IPC: H01L31/0216 , H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种提高钝化发射极和背面太阳电池长波响应的背面三层氮化硅(SiNx:H)薄膜制备方法及其应用。本发明的制备方法包括以下步骤：(1)将硅片置于管式等离子体增强化学气相沉积设备在背面沉积一层30nm厚且折射率为2.37(波长632nm处，下同)的SiNx:H；(2)将该硅片继续置于PECVD设备沉积一层40nm厚且折射率为2.15的SiNx:H；(3)将该硅片再次置于PECVD设备沉积一层50nm厚且折射率为1.92的SiNx:H。本发明的背面三层SiNx:H薄膜方法降低了电池背面对入射光子的吸收并有效提高了背反射，有利于长波光子的再次利用，大幅度提升了太阳电池的光电性能。

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