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公开(公告)号：CN103151069A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201210520121.X
申请日：2012-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/4063 , G11C29/42
CPC classification number: G06F11/1068 , G06F11/1008 , G06F11/1072 , G11C29/52
Abstract: 操作存储器系统和非易失性存储器设备的方法包括：对从非易失性存储器设备内的第一（“源”）部分M比特非易失性存储单元中读取的M页数据执行错误检查和纠正（ECC）操作，由此生成M页ECC处理数据，其中M是大于2的正整数。然后，使用例如地址加扰重编程技术，利用M页ECC处理数据来编程非易失性存储器设备内的第二（“目标”）部分M比特非易失性存储单元。
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公开(公告)号：CN101419835B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200810179901.6
申请日：2008-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3418
Abstract: 提供一种包含多个垂直堆叠层的闪速存储器设备。这些层的每层包括多个存储器单元。行解码器电耦合到所述多个层并被配置成向所述多个层提供字线电压。在所述多个层的至少两层中提供的存储器单元属于相同存储器块并且与所述多个层的至少两层的存储器单元相关联的字线电耦合。
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公开(公告)号：CN1988178B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610168629.2
申请日：2006-12-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/7881 , G11C16/0483 , H01L27/115 , H01L27/11524 , H01L29/42332 , H01L29/792
Abstract: 一种半导体器件，包括在半导体衬底中限定的有源区，以及横跨有源区的栅电极。在栅电极的两侧上的有源区中限定源区/漏区。源区/漏区的至少一个是由栅电极的边缘场产生的场效应源区/漏区。另一个源区/漏区是具有与衬底不同的杂质场和不同的导电性的PN结源区/漏区。源区/漏区的至少一个是场效应源区/漏区。因此，可以在器件中减小或消除短沟道效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101154445A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710100908.X
申请日：2007-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/12 , G11C16/3427 , G11C2211/5621 , G11C2211/5642
Abstract: 一种非易失性半导体存储设备，包括第一和第二子存储器阵列和被安排在第一和第二子存储器阵列之间的母线。所述第一子存储器阵列的编程操作，通过同时施加编程电压到与所述第一子存储器阵列中的存储单元相连接的奇数和偶数位线而进行。
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公开(公告)号：CN1909111A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610008628.1
申请日：2006-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5671
Abstract: 此处，公开了一种电荷捕获型三电平非易失性半导体存储器器件及其驱动方法。该电荷捕获型三电平非易失性半导体存储器器件包括：存储器阵列，所述存储器阵列包括多个存储器元件，每一存储器元件能够依据电流的方向把数据存储在至少两个电荷捕获区中；以及页缓冲器，驱动其而把3个数据位映射至两个电荷捕获区的阈值电压组。该电荷捕获型非易失性存储器器件具有电荷捕获区，每个电荷捕获区存储1.5个数据位。即，单个的存储器元件具有用于存储3个数据位的电荷捕获区，从而改善了器件的集成度，同时维持了在编程和读取操作期间的较高的操作速度。
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公开(公告)号：CN104700896B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201410734008.0
申请日：2014-12-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 提供了一种存储器系统和包括所述存储器系统的用户装置。在一个实施例中，方法包括：接收用于从存储器的存储器区域读取数据的读取请求；确定存储器区域的标识符是否存储在特性表的多个条目中的一个条目中。所述多个条目中的每个条目与不同范围的至少一个存储器区域特性相关联，并且所述多个条目中的每个条目与不同的读取条件信息相关联。所述方法还包括：如果所述确定步骤确定存储器区域的标识符存储在特性表的多个条目中的一个条目中，则获得与存储了存储器区域的标识符的条目相关联的读取条件信息；控制存储器使用获得的读取条件信息从存储器区域读取数据。
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公开(公告)号：CN105931671A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610245371.5
申请日：2010-12-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/56 , G11C11/5671 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 一种对闪速存储器件进行编程的方法，包括：对选定的存储单元编程；执行验证操作，以确定选定的存储单元是否达到了目标编程状态；以及基于与检测初始编程状态的编程期间的合格比特相关联的编程特性，来确定验证操作的起始点。
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