公开(公告)号：CN109935585A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201810833546.3

申请日：2018-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在烈 ,  金完敦 ,  裴洙瀯 ,  李东洙 ,  李钟汉 ,  丁炯硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

Abstract: 提供了一种具有多阈值电压的半导体器件，所述半导体器件包括位于半导体基底上的有源区、位于单独的对应的有源区上的栅极结构以及在半导体基底中位于单独的对应的栅极结构的相对侧上的源极/漏极区。每个单独的栅极结构包括顺序堆叠的高介电层、第一逸出功金属层、具有比第一逸出功金属层低的逸出功的第二逸出功金属层和栅极金属层。栅极结构的第一逸出功金属层具有不同的厚度，从而栅极结构包括最大栅极结构，其中最大栅极结构的第一逸出功金属层具有第一逸出功金属层中的最大厚度。最大栅极结构包括位于最大栅极结构的高介电层上的覆盖层，其中，覆盖层包括一种或更多种杂质元素。

公开(公告)号：CN109830479A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201811405041.3

申请日：2018-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷爀 ,  金完敦 ,  李钟汉 ,  丁炯硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49

Abstract: 一种半导体器件可以包括具有第一区域和第二区域的衬底。第一晶体管可以在第一区域中并包括第一栅极线，第一栅极线包括第一下部含金属层和在第一下部含金属层上的第一上部含金属层。第二晶体管可以在第二区域中并包括第二栅极线，第二栅极线具有与第一栅极线的宽度相等的宽度，并且包括第二下部含金属层和在第二下部含金属层上的第二上部含金属层。第一上部含金属层的最上端和第二下部含金属层的最上端的每个可以在比第一下部含金属层的最上端高的水平处。

公开(公告)号：CN109756308A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201910031152.0

申请日：2014-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李海澈 ,  李在鹤 ,  丁炯硕 ,  许峻豪

IPC: H04L1/18

Abstract: 公开了一种选择性使用内部和外部存储器处理HARQ数据的装置和方法。提供了一种当处理混合自动重传请求(HARQ)数据时选择性地使用内部存储器和外部存储器的装置和方法。所述装置包括：组合器，被配置为接收第一HARQ突发；内部存储器，位于所述装置内；存储器选择器，被配置为将第一HARQ突发的大小与预定阈值进行比较，根据比较结果选择所述内部存储器和位于所述装置外部的外部存储器中的一个，并将第一HARQ突发存储在选择的存储器中。所述内部存储器的大小和所述预定阈值中的至少一个基于已被预定的第一服务类型的特点来确定。

公开(公告)号：CN103685115B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201310421558.2

申请日：2013-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁炯硕

IPC: H04L27/20 ,  H04L27/22 ,  H04L27/36 ,  H04L27/38

CPC classification number: H04L1/0003

Abstract: 提供一种发送数据的方法和装置以及发送数据和接收数据的系统。一种用于发送数据的装置包括：数据接收单元、信道质量测量单元、调制单元。其中，数据接收单元被配置为接收用于第一终端的第一传输数据和用于第二终端的第二传输数据；信道质量测量单元被配置为测量连接到第一终端的信道的第一接收灵敏度，并测量连接到第二终端的信道的第二接收灵敏度；调制单元被配置为基于第一接收灵敏度和第二接收灵敏度确定调制方案，根据确定的调制方案编码第一传输数据和第二传输数据以获得调制数据，并将调制数据发送到第一终端和第二终端。

公开(公告)号：CN104579600A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410567454.7

申请日：2014-10-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李海澈 ,  李在鹤 ,  丁炯硕 ,  许峻豪

IPC: H04L1/18

Abstract: 本发明公开了一种选择性使用内部和外部存储器处理HARQ数据的装置和方法。提供了一种当处理混合自动重传请求(HARQ)数据时选择性地使用内部存储器和外部存储器的装置和方法。所述装置包括：组合器，被配置为接收第一HARQ突发；内部存储器，位于所述装置内；存储器选择器，被配置为将第一HARQ突发的大小与预定阈值进行比较，根据比较结果选择所述内部存储器和位于所述装置外部的外部存储器中的一个，并将第一HARQ突发存储在选择的存储器中。所述内部存储器的大小和所述预定阈值中的至少一个基于已被预定的第一服务类型的特点来确定。

公开(公告)号：CN100442517C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200410102330.8

申请日：2004-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟镐 ,  姜虎圭 ,  丁炯硕 ,  都昔柱 ,  金润奭

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L27/0922

Abstract: 一种半导体器件，包括第一和第二晶体管器件。该第一器件包括第一衬底区域，第一栅电极，以及第一栅极介质。第一栅极介质位于第一衬底区域和第一栅电极之间。第二器件包括第二衬底区域，第二栅电极，以及第二栅极介质。第二栅极介质位于第二衬底区域和第二栅电极之间。第一栅极介质包括第一高k层，该第一高k层具有大于或等于8的介电常数。同样，第二栅极介质包括第二高k层，该第二高k层具有大于或等于8的介电常数。第二高k层具有与第一高k层不同的材料成分。

公开(公告)号：CN101257023A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810080578.7

申请日：2008-02-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁英洙 ,  丁炯硕 ,  许成 ,  白贤锡

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966

Abstract: 示例实施例提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)半导体装置和一种制造该CMOS半导体装置的方法。所述CMOS半导体装置可以包括：栅极，在nMOS区域和pMOS区域中；多晶硅覆盖层；金属氮化物层，在多晶硅覆盖层之下；栅极绝缘层，在栅极之下。nMOS区域和pMOS区域的金属氮化物层可以由相同类型的材料形成，并可以具有不同的逸出功。因为金属栅极由相同类型的金属氮化物层形成，所以可以简化工艺，可以增加产量，并可以获得更高性能的CMOS半导体装置。

公开(公告)号：CN101013723A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710006727.0

申请日：2007-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁英洙 ,  韩成基 ,  丁炯硕 ,  李炯益

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供半导体器件，具有多个堆叠的金属层。该半导体器件包括：衬底；在该衬底上沉积且由高k电介质材料形成的栅极氧化物层；在该栅极氧化物层上沉积且由该栅极氧化物层的高k电介质材料的金属的氮化物形成的第一金属层；在该第一金属层上沉积的第二金属层；在该第二金属层上沉积的第三金属层；及在该第三金属层上沉积的材料层，其中该材料层与该第一、第二、和第三金属层一起形成栅极电极。因为该栅极氧化物层和该金属层之间的任何化学反应能够被控制，防止了电容等效氧化物的厚度的变坏和电流的泄漏，并且提供了具有改进的绝缘的半导体器件。

公开(公告)号：CN101013700A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710006116.6

申请日：2007-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁炯硕 ,  李钟镐 ,  韩成基 ,  金柱然 ,  朴廷珉

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/49 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种CMOS半导体器件，该器件具有双功函数金属栅极结构，所述结构利用能够实现对PMOS和NMOS器件的独立功函数控制并且显著降低或消除对栅极电介质可靠性的影响的制造技术形成。

公开(公告)号：CN1996617A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200710001445.1

申请日：2007-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁炯硕 ,  李钟镐 ,  林夏珍 ,  俞美英

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/105 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：其中形成第一导电沟道的有源层，形成于在半导体基底上形成的有源区上的栅极、夹在所述有源区和栅极之间的栅极介电层。该半导体装置还包括沿半导体基底上的有源区和栅极介电层之间界面形成的电荷产生层，使得在该界面周围产生固定电荷。