公开(公告)号：CN1521877A

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN03147569.8

申请日：2003-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴灿镐 ,  金知晚 ,  李炯益

IPC: H01M4/90 ,  C01B31/00 ,  B01J29/00

CPC classification number: H01M4/926 ,  B01J20/20 ,  B01J20/28057 ,  B01J20/2808 ,  B01J20/30 ,  B01J20/3057 ,  B01J21/18 ,  B01J23/42 ,  B01J37/0018 ,  B01J37/084 ,  C01B32/00 ,  H01M4/92

Abstract: 本发明提供一种制造具有增加微孔隙率碳分子筛的方法，一种制造具有增加微孔隙率和改进结构规律性的碳分子筛的方法；一种具有增加微孔隙率的碳分子筛；一种具有增加微孔隙率和改进结构规律性的碳分子筛；一种利用碳分子筛的燃料电池用催化剂，和利用该催化剂的燃料电池。

公开(公告)号：CN101013723A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710006727.0

申请日：2007-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁英洙 ,  韩成基 ,  丁炯硕 ,  李炯益

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供半导体器件，具有多个堆叠的金属层。该半导体器件包括：衬底；在该衬底上沉积且由高k电介质材料形成的栅极氧化物层；在该栅极氧化物层上沉积且由该栅极氧化物层的高k电介质材料的金属的氮化物形成的第一金属层；在该第一金属层上沉积的第二金属层；在该第二金属层上沉积的第三金属层；及在该第三金属层上沉积的材料层，其中该材料层与该第一、第二、和第三金属层一起形成栅极电极。因为该栅极氧化物层和该金属层之间的任何化学反应能够被控制，防止了电容等效氧化物的厚度的变坏和电流的泄漏，并且提供了具有改进的绝缘的半导体器件。