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公开(公告)号：CN109716360B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201780047611.3
申请日：2017-06-07
Applicant: D-波系统公司
Inventor： 谢尔·亚尔科尼 , 特雷弗·迈克尔·兰廷 , 凯利·托马斯·罗斯·布思比 , 安德鲁·道格拉斯·金 , 叶夫根尼·A·安德里亚什 , 穆罕默德·H·阿明
IPC: G06N3/0464 , G06N10/00
Abstract: 本发明公开了一种用于生成样本的混合计算机，所述混合计算机采用可操作来执行后处理的数字计算机。模拟计算机可通信地耦合到所述数字计算机。所述模拟计算机可操作来返回与哈密顿算子的低能量配置相对应的一个或多个样本。本发明还提出了从量子玻尔兹曼分布生成样本以训练量子玻尔兹曼机并且从经典玻尔兹曼分布生成样本以训练受限玻尔兹曼机的方法。计算系统和方法允许处理具有比模拟处理器的工作图更大和/或至少不完全由所述工作图提供的大小和/或连接性的问题。所述方法可包括确定对第一经典自旋配置的预备偏置，使所述模拟处理器沿第一方向演化；使所述模拟处理器沿第二方向演化，以及使所述模拟处理器沿所述第一方向演化直到所述模拟处理器达到第二经典自旋配置。
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公开(公告)号：CN110050516B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201780076119.9
申请日：2017-12-07
Applicant: D-波系统公司
Inventor： 理查德·D·纽菲尔德
Abstract: 本发明公开了一种多层电路板结构，该多层电路板结构包括到其内层的超导连接，例如通过包括超导通路。两个或更多个面板可各自包括相应的电绝缘衬底，每个电绝缘衬底具有一个或多个通孔，并且还在其相应表面的至少一部分上包括相应的双金属箔，该双金属箔被图案化以形成迹线。该双金属箔包括在第一温度范围内为非超导的第一金属以及在该第一温度范围内为超导的第二金属。面板被镀覆以将第三金属沉积在第二金属的暴露迹线上，该第三金属在所述第一温度范围内为超导的。将面板接合(例如，层压)以形成至少三层超导印刷电路板，该至少三层超导印刷电路板具有内层、两个外层、以及在所述内层和所述两个外层中的至少一个之间的超导通路。
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公开(公告)号：CN108140145B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN201680058686.7
申请日：2016-08-11
Applicant: D-波系统公司
Inventor： 理查德·G·哈里斯
IPC: G06N10/20 , H01L27/18 , H03K19/195 , B82Y10/00 , H01F38/14
Abstract: 量子位之间较高程度相互作用是可实现的。本公开总体上涉及用于包括量子器件的量子仪器的器件和架构，以及用于操作所述器件和架构的技术。在本文中可以找到用于创建和使用量子位之间的较高程度相互作用的系统和处理器。较高阶相互作用包括三个或更多个量子位当中的相互作用。在本文中可以找到用于创建和使用量子处理器上的三个或更多个量子位当中的较高程度相互作用的方法。
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公开(公告)号：CN115004393A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202080095035.1
申请日：2020-12-03
Applicant: D-波系统公司
Inventor： 理查德·G·哈里斯 , 克里斯托弗·B·里奇
Abstract: 披露了一种用于减轻超导集成电路中的磁通俘获的系统和方法。形成具有第一临界温度和第一装置的第一金属层，并且形成具有第二临界温度的磁通引导层。磁通引导层定位成与孔口位置连通，并且该孔口位置与第一装置间隔开以将第一装置与在孔口中俘获的磁通隔离。超导集成电路通过低温制冷机从高于第一临界温度和第二临界温度两者的第一温度冷却至小于第一临界温度和第二临界温度两者的第二温度。第一临界温度与第二临界温度之间的相对温度差引起磁通引导层背离第一装置引导磁通并在孔口位置处俘获磁通。
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公开(公告)号：CN108140146B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201680061099.3
申请日：2016-08-18
Applicant: D-波系统公司
Inventor： 詹森·罗尔弗
IPC: G06N10/00
Abstract: 一种计算系统可以包括数字电路系统和模拟电路系统，例如，数字处理器和量子处理器。所述量子处理器可以作为提供样本的样本发生器操作。在实施各种机器学习技术时可以通过数字处理来采用样本。例如，所述计算系统可以例如经由离散变分自动编码器执行输入空间上的无监督学习，并且尝试使观测数据集的对数似然值最大化。使所述观测数据集的所述对数似然值最大化可以包括生成分层近似后验。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107077642B
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN201580057595.7
申请日：2015-08-21
Applicant: D-波系统公司
Inventor： 菲拉斯·哈姆泽 , 安德鲁·道格拉斯·金 , 杰克·雷蒙德 , 艾丹·帕特里克·罗伊 , 罗伯特·伊斯雷尔 , 叶夫根尼·安德里亚什 , 凯瑟琳·麦吉奥赫 , 马尼·兰杰巴尔
IPC: G06N10/00
Abstract: 计算系统使用启发式求解器或优化器来求解问题。这样可以迭代地评定处理结果，并且修改所述问题或其表示，然后对修改后的问题进行重复处理，直至达到终止条件。启发式求解器或优化器可以在一个或多个数字处理器和/或一个或多个量子处理器上执行。所述系统可以在多种类型的硬件设备和/或多种类型的启发式优化算法之间自主地进行选择。这样可以将后处理操作与处理操作进行协调或至少部分地重叠，例如在产生第(i+1)批样本的同时对第i批样本执行后处理，例如因而对第i批样本的后处理操作并未在时间上延伸超过产生第(i+1)批样本。启发式优化器的选择基于对所述问题的预处理评定，例如基于从所述问题中提取的特征并且例如基于所预测的成功。
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公开(公告)号：CN112514158A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980047690.7
申请日：2019-05-16
Applicant: D-波系统公司
Inventor： 洛伦·J·斯温森 , 艾米丽·M·霍斯金森 , 马克·H·福尔克曼 , 安德鲁·J·伯克利 , 乔治·E·G·斯特林 , 杰德·D·惠特克
Abstract: 超导集成电路可以有利地采用耦合到微波传输线的超导谐振器来高效地寻址超导通量存储设备。在XY寻址方案中，全局通量偏置可以经由低频地址线施加到多个超导通量存储设备，并且各个超导通量存储设备可以借助通过由微波传输线驱动的谐振器施加高频脉冲来寻址。可以采用频率复用来将信号提供给两个或更多个谐振器。可以将低频电流偏置与一个或多个超导谐振器中的高频电流组合以提供Z寻址。可以将低频电流偏置与一个或多个超导谐振器中的高频电流组合以消除通量偏置线。可以在室温下使用低频电流偏置来识别超导谐振器中是否存在DC短路、断路和/或不期望的电阻。
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公开(公告)号：CN107004755B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201580055716.4
申请日：2015-08-12
Applicant: D-波系统公司
Inventor： 特雷弗·迈克尔·兰廷 , 埃里克·拉迪辛斯基 , 姚钧 , 比翁·伊皮·奥
Abstract: 在约瑟夫逊结多联层上制造布线层可以包括：去除所述多联层的一部分；沉积绝缘层以便覆盖在所述多联层的一部分上；以及对所述绝缘层进行图案化以便在所述绝缘层中限定孔。所述方法包括在所述绝缘层的一部分上并且在所述孔的一部分内沉积第一超导布线层。进一步，可以沉积绝缘层和布线层并且限定最顶部布线层。所述方法包括沉积钝化层以便覆盖在所述最顶部布线层上。制造包括混合电介质系统的超导集成电路可以包括沉积覆盖在超导特征上的高品质电介质层。所述方法包括沉积覆盖在所述高品质电介质层的至少一部分上的第二电介质层。所述第二电介质层可以包括常规电介质材料。
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公开(公告)号：CN111903057A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201980021279.2
申请日：2019-02-20
Applicant: D-波系统公司
Abstract: 一种超导电路可以包括具有至少一个传输线电感的传输线、超导谐振器、以及将该超导谐振器通信地耦合到该传输线的耦合电容。该传输线电感可以具有被选择用于至少部分地补偿该传输线的特性阻抗的变化的值，该变化至少部分地由该耦合电容引起。该耦合电容可以沿该传输线的长度分布。一种超导电路可以包括具有至少一个传输线电容的传输线、超导谐振器、以及将该超导谐振器通信地耦合到该传输线的耦合电感。该传输线电容可以被选择用于至少部分地补偿该超导谐振器与该传输线之间的耦合强度的变化。
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公开(公告)号：CN111788588A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880089721.0
申请日：2018-12-19
Applicant: D-波系统公司
Inventor： 穆罕默德·H·阿明 , 保罗·I·布尼克 , 特雷弗·M·兰廷 , 邓纯青 , 阿纳托利·斯米尔诺夫 , 凯利·T·r·布思比 , 艾米丽·M·霍斯金森 , 克里斯托弗·B·里奇
Abstract: 约瑟夫逊结(JJ)可以取代变压器的初级电感以实现量子位之间的电流耦合，从而有利地减小尺寸。远程对称耦合器可以包括至少近似定位在沿着所述耦合器的二分之一点处的复合JJ(CJJ)，以有利地提供比非对称远程耦合器更高的第一激发态能量。量子处理器可以包括量子位和具有非随机哈密尔顿算子的耦合器以增强退火期间的多量子位隧穿。量子位可以包括另外的分流电容，例如，以提高总电容的整体品质并提高量子相干性。可以有利地调谐由双阱势能表征的量子位的有效隧穿振幅Δeff的符号和/或大小。可以例如经由谐振器和LC电路来实施量子位的符号可调谐静电耦合。YY耦合可以被并入到量子退火器(例如，量子处理器)中。
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