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公开(公告)号：CN104428996B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201380024582.0
申请日：2013-05-10
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
CPC classification number: H04B1/38 , H03B5/1215 , H03B5/1228 , H03B2200/0062 , H03C3/0916 , H03C3/0975 , H03C3/0991 , H03L7/0802 , H03L7/0895 , H03L7/0898 , H03L7/099 , H03L7/1072 , H04L5/0062 , H04L7/033 , H04L2027/0016 , H04L2027/0022 , H04L2027/0055
Abstract: 一种收发器，可包括：接收(Rx)射频(RF)部，被构造为处理接收信号；发送(Tx)RF部，被构造为处理发送信号；锁相环(PLL)，被构造为将接收频率提供给接收RF部并将发送频率提供给发送RF部。所述锁相环可根据接收RF部或发送RF部是否开启而被控制。此外，所述收发器可包括抑制波形产生器(QWG)，以控制与多个天线相应的RF部的抑制波形。可针对以相同频率操作的VCO而分别产生抑制波形。QWG可以以抑制波形不重叠的方式控制VCO。
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公开(公告)号：CN106486601A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610807905.9
申请日：2014-04-24
Applicant: 成均馆大学校产学协力团 , 三星显示有限公司
Abstract: 本发明提供一种多层封装薄膜和用于制备多层封装薄膜的方法和装置。所述多层封装薄膜包含含有金属氧化物的无机薄膜和含有聚合物的在所述有机薄膜上形成的有机薄膜，其中，所述无机薄膜和所述有机薄膜以多层结构形式交替堆叠。
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公开(公告)号：CN106208754A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610096168.6
申请日：2016-02-22
Applicant: 三星电机株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: H02M7/217
CPC classification number: H02M7/219 , H02M2007/2195 , H03K17/161 , H03K2217/0045 , Y02B70/1408 , H02M7/217 , H02M2001/0054
Abstract: 本发明提供一种整流器，所述整流器包括：第一高侧开关和第二高侧开关，包括连接到交流输入端的源极端以及连接到输出电容器的一端的漏极端；第一低侧开关和第二低侧开关，包括连接到交流输入端的漏极端以及连接到地端和输出电容器的另一端的源极端；交叉连接器，被配置为当第一高侧开关或第二高侧开关断开时，允许第一高侧开关或第二高侧开关的寄生电容流到地。
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公开(公告)号：CN106169386A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610340703.8
申请日：2016-05-19
Applicant: LS产电株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: H01H11/04
CPC classification number: H01B1/02 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , C22C1/0425 , C22C1/0433 , C22C1/0466 , C22C5/06 , C22C47/04 , C22C47/14 , C22C49/02 , C22C49/14 , C23C18/1635 , C23C18/1658 , C23C18/1689 , C23C18/1692 , C23C18/1851 , C23C18/1893 , C23C18/42 , C23C18/44 , H01B1/04 , H01H1/023 , H01H1/027 , H01H2300/036 , Y10S977/742 , Y10S977/847 , Y10S977/932 , B22F9/24 , C22C1/05 , B22F3/10 , H01H11/048
Abstract: 当制备电触头材料时，本发明通过在碳纳米管中包含银以抑制碳纳米管的团聚而具有在材料中均匀分散碳纳米管的效果。
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公开(公告)号：CN105637107A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201480050922.1
申请日：2014-09-26
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
Abstract: 本发明涉及将铜(Cu)、铁(Fe)等控制在一定浓度以下，还包括锆(Zr)、钛(Ti)及铪(Hf)中的任何一个或其混合物及剩下部分的铝(Al)的铝合金组合物、包括其的腐蚀耐久性被提高的铝挤压管和铝片材料及由此构成的热交换器，涉及通过由添加及控制合金元素分散腐蚀地点和抑制晶间腐蚀，诱导均匀腐蚀的发生，比起之前的热交换器管及铝片材料的点蚀，腐蚀耐久性被提高，并且，挤压性维持在现有A1070水准的铝合金组合物、包括其的腐蚀耐久性被提高的热交换器用铝挤压管和铝片材料及由此构成的热交换器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105612588A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201480042994.1
申请日：2014-12-03
Applicant: 多次元能源系统研究集团 , 首尔大学校产学协力团 , 成均馆大学校产学协力团
CPC classification number: G01L1/2287 , C23C14/5886 , G01H11/06 , G01L1/22 , G01L9/0002 , G01R27/02 , G01R27/08 , H05K1/0283 , H05K1/0293 , H05K1/167 , H05K3/16 , H05K3/22 , H05K2201/09727 , H05K2201/10053 , H05K2201/10151 , H05K2203/0271
Abstract: 本发明公开了一种具有裂纹的高灵敏度传感器。本发明的高灵敏度传感器通过在形成于载体上的导电薄膜上形成细微裂纹获得，所述细微裂纹形成一个电性变化的微连接结构，形成短路或者开路产生电阻值的变化，从而将外界刺激转化为电信号。本发明的高灵敏度传感器能够有效的应用于位移传感器、压力传感器、振动传感器、人造皮肤、声音识别系统等。
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公开(公告)号：CN105369218A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510474152.X
申请日：2015-08-05
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
Abstract: 本发明涉及无机薄膜的高速沉积方法以及用于所述方法的装置。所述方法包括通过交替使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理；并且使所述源气体和反应物气体在衬底的表面上反应以在所述衬底上形成无机薄膜，其中所述源气体和反应物气体的等离子体处理分别在彼此独立的等离子体模块中进行，并且所述源气体包括惰性气体和前体，所述前体包含选自由硅、铝、锌以及它们的组合组成的群组中的金属。
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公开(公告)号：CN104930749A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510119202.2
申请日：2015-03-18
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: F25B21/00
Abstract: 本发明公开磁蓄冷器单元以及具有其的磁冷却系统。通过能够使传热流体均匀地流动的圆形磁蓄冷器结构以及被以相同的方式改变的磁场和传热流体的流动，以及具有与磁蓄冷器的相对磁导率相似的相对磁导率的磁条，可以在减小转子的转矩的同时获得高效率的磁通产生器。用于驱动的功耗由于齿槽转矩的减小可以降低，并且磁条可以通过使用便宜的铁粉而以低成本制造。
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公开(公告)号：CN103532548A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201210352257.4
申请日：2012-09-20
Applicant: 三星电机株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
Abstract: 本发明提供了一种模拟-数字信号转换方法及其装置，以及包括所述方法和装置的数字锁相环电路。模拟-数字信号转换方法可以包括：通过将从N个延时元件的输出端检测的N个延时信号与基准信号相比较产生具有N个比特的第一数字输出信号；通过将由第（N+1）个延时元件产生的辅助延时信号与基准信号相比较产生第二数字输出信号；以及基于第一数字输出信号以及第二数字输出信号确定N个延时元件中的每一个的延迟时间的改变。
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公开(公告)号：CN101798429B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200911000040.1
申请日：2009-12-11
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: C08L27/16 , C08K5/3445 , C08K5/435 , B81B7/02 , H01L41/193
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及固态电解质聚合物、使用聚合物的致动器及其制造方法。该固态电解质聚合物包括交联的聚偏氟乙烯(PVDF)基聚合物，和该聚合物致动器包括该交联的PVDF基聚合物和电解质材料。
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