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公开(公告)号：CN106486601A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610807905.9
申请日：2014-04-24
Applicant: 成均馆大学校产学协力团 , 三星显示有限公司
Abstract: 本发明提供一种多层封装薄膜和用于制备多层封装薄膜的方法和装置。所述多层封装薄膜包含含有金属氧化物的无机薄膜和含有聚合物的在所述有机薄膜上形成的有机薄膜，其中，所述无机薄膜和所述有机薄膜以多层结构形式交替堆叠。
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公开(公告)号：CN105369218A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510474152.X
申请日：2015-08-05
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
Abstract: 本发明涉及无机薄膜的高速沉积方法以及用于所述方法的装置。所述方法包括通过交替使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理；并且使所述源气体和反应物气体在衬底的表面上反应以在所述衬底上形成无机薄膜，其中所述源气体和反应物气体的等离子体处理分别在彼此独立的等离子体模块中进行，并且所述源气体包括惰性气体和前体，所述前体包含选自由硅、铝、锌以及它们的组合组成的群组中的金属。
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公开(公告)号：CN105839076B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201610077444.4
申请日：2016-02-03
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种薄膜沉积装置，在该薄膜沉积装置中源单元被配置在等离子体单元的下端，并且所述等离子体单元包括栅格。
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公开(公告)号：CN105473761B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201480023046.3
申请日：2014-08-04
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/44
Abstract: 一种薄膜沉积装置被提供。该装置包括衬底装载单元，其被配置来将衬底装载在该衬底装载单元上；衬底运输单元，其与所述衬底装载单元连接且被配置来移动所述衬底；和薄膜沉积单元，其被配置来在所述衬底上沉积薄膜，其中所述薄膜沉积单元包括多个等离子体模块，还有提供在各个所述等离子体模块之间且被配置为通过升高或降低来连接相邻等离子体模块下面的空间或使相邻等离子体模块下面的空间彼此隔离的隔离构件，且所述衬底运输单元在所述多个等离子体模块之间轮流移动所述衬底装载单元从而允许薄膜被形成在所述衬底上。
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公开(公告)号：CN113644226B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202110940633.0
申请日：2016-03-04
Applicant: 三星显示有限公司 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: H10K71/00 , H10K50/84 , H10K50/844 , H10K59/12 , C23C16/455
Abstract: 提供了一种显示设备。所述显示设备包括：基底；显示单元，形成在基底上；薄膜包封层，形成在显示单元上。薄膜包封层包括无机层，所述无机层包括第一子无机层，所述第一子无机层包括包含铝(Al)、锌(Zn)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少两种的复合氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113644226A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110940633.0
申请日：2016-03-04
Applicant: 三星显示有限公司 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: H01L51/56 , H01L51/52 , H01L27/32 , C23C16/455
Abstract: 提供了一种显示设备。所述显示设备包括：基底；显示单元，形成在基底上；薄膜包封层，形成在显示单元上。薄膜包封层包括无机层，所述无机层包括第一子无机层，所述第一子无机层包括包含铝(Al)、锌(Zn)、锆(Zr)和铪(Hf)中的至少两种的复合氧化物。
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公开(公告)号：CN105821395B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201610044459.0
申请日：2016-01-22
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/54 , C23C16/44 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了金属氧化物薄膜的沉积方法和金属氧化物薄膜的制备装置。
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公开(公告)号：CN106373908B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610573933.9
申请日：2016-07-20
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
Inventor： 徐祥准
Abstract: 本发明涉及一种包括去氢处理工艺的多晶硅沉积方法及用于该多晶硅沉积方法的沉积装置。
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公开(公告)号：CN105369218B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201510474152.X
申请日：2015-08-05
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
Abstract: 本发明涉及无机薄膜的高速沉积方法以及用于所述方法的装置。所述方法包括通过交替使用源气体和反应物气体对衬底进行等离子体处理；并且使所述源气体和反应物气体在衬底的表面上反应以在所述衬底上形成无机薄膜，其中所述源气体和反应物气体的等离子体处理分别在彼此独立的等离子体模块中进行，并且所述源气体包括惰性气体和前体，所述前体包含选自由硅、铝、锌以及它们的组合组成的群组中的金属。
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公开(公告)号：CN105839076A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610077444.4
申请日：2016-02-03
Applicant: 成均馆大学校产学协力团
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45536
Abstract: 本发明公开了一种薄膜沉积装置，在该薄膜沉积装置中源单元被配置在等离子体单元的下端，并且所述等离子体单元包括栅格。
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