公开(公告)号：CN101004974A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200610037793.X

申请日：2006-01-16

Applicant: 西安电子科技大学 ,  无锡普和电子有限公司

Inventor： 陆锡良 ,  贾护军

IPC: H01G9/012 ,  H01G9/15

Abstract: 本发明涉及一种低ESR固体电解电容器，其特征在于电容器导针为铜质CP线。本发明由于采用铜质CP线，较简便的降低了CP线与铝材圆棒之间焊接接触电阻，可以较铁质CP线多导针引出线具有更低的接触电阻，焊接部接触电阻只有0.2－0.4mΩ，是铁质CP线导针的1/10左右。再辅以并列多引出线结构，还可以使电容引出线导针具有更低的电阻，为降低电容器的ESR起到了意想不到简便技术效果，实际对比试验表明，采用相同工艺制作的固体电解电容，铜质CP线较铁质CP线可降低ESR1.7mΩ，达到了很好的技术经济效果。

公开(公告)号：CN101000869A

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN200710017236.6

申请日：2007-01-12

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨银堂 ,  贾护军

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明公开了一种SiCOI结构材料的制备方法，主要解决SiC外延层与SiO2/Si衬底间粘附性差的问题。其过程是：首先对Si衬底进行标准清洗；再对清洗后的Si衬底进行干/湿/干热氧化，得到厚度至少为800纳米的氧化层，制备出SiO2/Si复合衬底；接着将该SiO2/Si复合衬底放入常压化学气相淀积APCVD炉反应室中进行Si薄层预淀积；再对预淀积的Si/SiO2/Si复合衬底进行碳化处理形成缓冲层，得到碳化处理后的SiO2/Si复合衬底；最后对碳化处理后的SiO2/Si复合衬底进行常规的SiC薄膜CVD生长，得到SiCOI结构材料。本发明可明显提高CVD法制备SiCOI结构材料中SiC与衬底间的粘附性、缓解和消除SiC生长层中的氧沾污问题，并可获得更大的SiC成核密度。

公开(公告)号：CN117040528A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310930907.7

申请日：2023-07-25

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 孙锦 ,  李晴 ,  王文强 ,  翟世奇 ,  贾护军 ,  宋子奇

IPC: H03L7/089 ,  H03B19/14 ,  H03K5/14

Abstract: 本发明公开了一种可配置延迟线的电流型倍频延迟锁相环，包括：鉴频鉴相器，用于产生UP/DN信号以对电荷泵进行充放电；电荷泵，用于产生控制电压并通过电压转电流模块转化为两路线性控制电流并以控制延迟时间；可配置延迟线模块，设置有若干可配置的延迟线，每个延迟线配置有不同数量的延迟单元；电压比较模块，用于根据控制电压产生比较电压；锁定检测模块，用于实时检测参考信号和反馈信号的相位差大小和极性，并输出锁定信号；延迟单元选择模块，用于在检测比较信号和锁定信号的状态变化，并控制可配置延迟线模块进行延迟线的切换。该电路兼顾了性能和功耗，可以在低输入频率的情况下实现高线性度、低抖动、宽频率的多相位输出时钟。

公开(公告)号：CN114613857A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210289763.7

申请日：2022-03-23

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 朱顺威 ,  贾护军 ,  张云帆 ,  王欢 ,  杨银堂

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有虚拟衬底的超结半导体场效应管，包括P型衬底，P型衬底左上方为P型缓冲层，其右上方为N型缓冲层，N型缓冲层的右上方为漏N型重掺杂区，P型衬底正上方为隔离氧化层，隔离氧化层上方为超结层，超结层左侧为P阱，所述P阱左侧为源N型重掺杂区，超结层上方设有源电极、栅电极和漏电极，超结层右侧为漏N型重掺杂区，用于使漏电极与N型缓冲层和超结P柱和超结N柱形成欧姆接触。本发明使用虚拟衬底，有效地将衬底与超结的表面电场分布趋于一致，消除了衬底辅助耗尽效应，使器件比导通电阻大大降低，击穿电压大大提高。同时能有效地防止衬底与超结间的泄漏电流，且最大输出功率大幅提高。

公开(公告)号：CN114023805A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111210244.9

申请日：2021-10-18

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾护军 ,  张云帆 ,  朱顺威 ,  杨银堂

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明涉及场效应晶体管技术领域，公开了一种具有P型掺杂区和凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层和N型沟道层，所述N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，所述源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，所述N型沟道上表面靠近源极帽层的一侧形成栅电极，所述栅电极与漏极帽层之间形成凹陷栅漏飘移区，所述栅电极与源极帽层之间形成栅源飘移区，所述凹陷栅漏飘移区的表面靠近栅角处设有P型掺杂区，所述栅源飘移区下方的P型缓冲层向下凹陷形成凹陷缓冲层。本发明具有击穿电压大幅提高，漏极输出电流稳定的优点。

公开(公告)号：CN106910775B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201710166438.0

申请日：2017-03-20

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾护军 ,  吴秋媛 ,  杨银堂 ,  柴常春

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，特别公开了一种具有多凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管；目的在于提高场效应晶体管的击穿电压和跨导参数，改善直流特性。采用的技术方案为：自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，N型沟道层上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极，所述缓冲层的上端面在栅电极及栅源下方，栅漏下方靠近栅极的一侧，栅漏下方靠近漏极帽层的一侧分别设有三个缓冲层凹陷区，三个缓冲层凹陷区的深度均为0.15μm，长度分别为1.2μm，0.1μm，0.5μm。

公开(公告)号：CN109103239A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810952687.7

申请日：2018-08-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾护军 ,  仝宜波 ,  李涛 ,  朱顺威 ,  胡梅 ,  赵玥阳 ,  杨银堂

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种具有栅下局部低掺杂的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧表面设有源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面设有源电极，漏极帽层表面设有漏电极，所述N型沟道层沟道底部且靠近源极帽层的一侧设有栅电极，在N型沟道层底部且位于栅电极下方设有与栅电极中心对称的低掺杂层，栅电极的底部与低掺杂层上端紧密接触。与现有技术相比，本发明的场效应晶体管击穿电压得到提高，从而提高器件输出功率密度。

公开(公告)号：CN105161531A

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201510530662.4

申请日：2015-08-26

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾护军 ,  邢鼎 ,  张航

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16

CPC classification number: H01L29/772 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66409

Abstract: 本发明公开了一种4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法。其中，该场效应晶体管包括：4H-碳化硅SiC半绝缘衬底；覆盖在4H-SiC半绝缘衬底上的P型缓冲层；覆盖在P型缓冲层上的N型沟道层；其中，N型沟道层包括第一N型沟道区、第二N型沟道区和第三N型沟道区且第二N型沟道区形成于第一N型沟道区与第三N型沟道区之间；在N型沟道层表面的两侧形成有源极帽层和漏极帽层，其中，源极帽层表面形成有源极，漏极帽层表面形成有漏极；在N型沟道层上方且靠近源极帽层处形成栅电极。本发明解决了现有的4H-SiC金属半导体场效应晶体管电流不稳定且击穿电压低的技术问题。

公开(公告)号：CN104916706A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510223938.4

申请日：2015-05-05

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾护军 ,  张航 ,  邢鼎 ,  杨银堂

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/8128 ,  H01L29/42316

Abstract: 本发明属于场效应晶体管技术领域，特别是公开了一种具有宽沟道深凹陷的金属半导体场效应管；旨在提供能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的一种具有宽沟道深凹陷的金属半导体场效应管；采用的技术方案为：自上而下设置有4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别设置有源极帽层和漏极帽层，N型沟道层中部且靠近源极帽层的一侧设置有栅电极，栅电极在N型沟道两侧形成左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区，左侧沟道凹陷区和右侧沟道凹陷区的深度为0.15-0.25μm，左侧沟道的宽度为0.5μm，右侧沟道的宽度为1μm，沟道表面和栅电极之间形成高栅区域。

公开(公告)号：CN104282764A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410587502.9

申请日：2014-10-28

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾护军 ,  刑鼎 ,  张航

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明公开了一种具有坡形栅极的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，其自下而上包括4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层表面设有源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别设有源电极和漏电极，所述N型沟道层的上端面设置向源极帽层一侧倾斜的坡形槽，坡形槽内设有坡形栅极，坡形栅极的下端面与坡形槽相配合，坡形栅极的上端面与N型沟道层的上端面平行，所述坡形栅极与源极帽层之间距离小于坡形栅极与漏极帽层之间的距离。本发明的场效应晶体管具有漏极输出电流大、频率特性优良的特点。