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公开(公告)号：CN113296364A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202010113358.0
申请日：2020-02-24
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种光刻控制方法、装置及存储介质，属于微纳加工技术领域，该方法包括：获取光刻任务；对光刻任务中的所有光刻网点进行分层处理得到n层光刻网点；对每层光刻网点进行区域划分，得到区域内的光刻网点数据；按照每层每个区域内的光刻网点数据进行光刻，直至完成光刻任务；判断是否还有下一个光刻任务，若无，则结束；若有则再次执行光刻任务；可以解决拼接平台自身的定位精度误差无法消除，导致光刻后的目标出现周期暗纹、区域不均的现象的问题；由于不同层光刻网点所属的层区域存在交集，因此，对于需要拼接光刻的部分通过不同层的交集部分可以重新进行振镜扫描，实现拼接部分的过渡，减少平台自身定位精度带来的误差影响。
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公开(公告)号：CN111427237B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201910024456.4
申请日：2019-01-10
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种大面积纳米光刻系统，包括工件台、位置反馈系统、干涉光学系统和控制系统，工件台上设有待光刻的光刻基片；位置反馈系统用于测量和计算工件台的误差；干涉光学系统用于产生干涉曝光场，对光刻基片进行干涉光刻，干涉光学系统包括衍射光学器件；控制系统分别与该工件台、该位置反馈系统和该干涉光学系统电性连接；该控制系统控制该衍射光学器件的运动，用以补偿该工件台的误差。本发明的大面积纳米光刻系统能达到大面积纳米结构高精度制备。本发明还涉及一种大面积纳米光刻方法。
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公开(公告)号：CN112684677B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110270751.5
申请日：2021-03-12
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本发明提供一种激光直写光刻机制作的三维微纳形貌结构及其制备方法。所述制备方法包括：提供三维模型图；将所述三维模型图在高度方向上进行划分，获得至少一个高度区间；将三维模型图在平面上进行投影得到映射关系，映射关系包括三维模型图上每个点对应在平面上的坐标，三维模型图上每个点的高度对应高度区间里的高度值，根据所述映射关系，将映射关系与曝光剂量进行对应，基于所述曝光剂量进行光刻。这样，可以得到任意三维微纳形貌结构。
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公开(公告)号：CN112987501A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911303595.7
申请日：2019-12-17
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种直写光刻系统和直写光刻方法，其中直写光刻系统包括直写光源、运动机构、中央控制器、光斑图形输入装置以及投影光学装置；运动机构用于带动投影光学装置沿预设路径扫描，并用于发出参考点的位置数据；中央控制器用于根据位置数据读取光斑图形文件序列中对应的光斑图像数据；光斑图形输入装置用于根据光斑图像数据将直写光源提供的起始光束调制生成图形光；投影光学装置用于根据图形光向光刻件的表面投影出变形光斑，并在运动机构的带动下沿预设路径扫描，在扫描过程中光斑图像数据随位置数据而变化，形成预设的可控变形光斑。本发明的直写光刻系统和直写光刻方法实现了复杂表面三维形貌结构的无掩模灰度光刻，并提高了光刻精度和光刻效率。
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公开(公告)号：CN112859210A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911181581.2
申请日：2019-11-27
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明涉及一种微透镜阵列制备方法，其包括以下步骤：S1、提供已涂布有光刻胶的基板，在基板上调用预置的直写光刻程序以对其进行数字掩模激光直写光刻，以制备获得N台阶柱体光刻胶阵列；S2、将步骤S1得到的N台阶柱体光刻胶阵列依次进行后烘、显影、烘干；S3、将步骤S2得到的N台阶柱体光刻胶阵列进行热熔，制备获得微透镜阵列。该制备方法采用数字掩模激光直写光刻方法和光刻胶热熔法相结合的加工技术，无需制备实体掩模版，通过增多可控参量数目来提高对得到的微透镜表面可控性，可制备微透镜阵列，该方法工艺简单、加工效率高、制备成功率高、加工成本更低、设计更加灵活以及对微透镜表面可控性强。
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公开(公告)号：CN222779412U
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202420840555.6
申请日：2024-04-22
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学 , 苏州维业达科技有限公司
IPC: B25B11/00
Abstract: 本实用新型提供一种分区吸附载物台，用于吸附不同尺寸的导光板模具，包括载物台主体和与其固定连接的载物台底板，载物台主体开设有凹槽，载物台底板用于将凹槽闭合形成腔体；载物台主体上还开设有进气孔、分区结构和出气孔，分区结构设置在凹槽内用于将腔体分隔成多个子腔体，进气孔和出气孔与子腔体连通形成抽真空气道，用于在进气孔处产生负压吸附。本实用新型还提供一种加工设备，包括抽真空设备和如上的分区吸附载物台。本实用新型提出的分区吸附载物台可以通过单独控制多个子腔体的负压开关，组合形成不同尺寸的吸附区域，吸附不同尺寸的导光板模具。主要结构都设置在载物台主体上，提高了承载能力，而且可以降低整体厚度。
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公开(公告)号：CN215729261U
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202120127465.9
申请日：2021-01-18
Applicant: 维业达科技(江苏)有限公司 , 苏州维业达触控科技有限公司 , 苏州苏大维格科技集团股份有限公司
IPC: G03B21/602 , G03B21/60 , G02B3/08 , G02B27/00 , G03F7/00
Abstract: 本实用新型提供一种投影幕布。所述投影幕布至少包括着色层、扩散层、菲涅尔透镜层中的一层、以及反射层；其中，菲涅尔透镜层为球面菲涅尔透镜层或非球面菲涅尔透镜层，菲涅尔透镜层包括沿着一平面突起的若干环状凸起，所述若干环状凸起以环带排列，且沿着垂直于所述平面的截面，每个环状凸起的截面形状为三角形或多台阶形或自由面形，每个截面形状平行于所述平面的边宽度渐变，截面形状及其宽度的渐变，决定球面菲涅尔透镜层或非球面菲涅尔透镜层的聚光特性；每个环状凸起表面具有散点微结构，反射层为金属层或金属合金层，且其采用电镀、蒸镀、溅射或涂布工艺制备。本实用新型提供的投影幕布表现出比现有投影幕布具有更高的亮度、及更大的视角。
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公开(公告)号：CN212160348U
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202020803584.7
申请日：2020-05-14
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
Abstract: 本实用新型公开了一种具有断电保护装置的光刻设备，包括基座、设置在所述基座上的平台、设置在所述平台上方的光刻机构、用于实现所述光刻机构相对于所述平台运动的驱动机构，以及用于在所述光刻机构超出预设运动行程时实现所述驱动机构断电的断电保护装置。通过上述结构，能够在运动失控时及时实现运动停止，防止光刻机构因脱离而飞出造成的损坏。
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公开(公告)号：CN211786586U
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202020503405.8
申请日：2020-04-08
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本实用新型公开了一种光刻设备，包括激光输出装置、光路选择装置、检测模块和光刻模块，所述激光输出装置发射激光至所述光路选择装置，所述光路选择装置选择将激光反射至所述光刻模块或所述检测模块。本实用新型还公开了一种光刻设备，利用上述光刻设备进行光刻。通过所述光路选择装置选择将激光反射至所述光刻模块或所述检测模块，以使光刻设备能实时检测曝光能量，保证了光刻效果，提高了光刻效率，提升了产品的良品率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210348197U
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201921717535.5
申请日：2019-10-14
Applicant: 苏州苏大维格科技集团股份有限公司 , 苏州大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本申请涉及一种温度控制装置，安装于激光直写设备上，激光直写设备包括架体、设置在架体内用以进行激光直写的工作区域、位于工作区域上方的密闭区域、位于工作区域下方的温控区域及与工作区域、温度控制装置信号连接的控制器，温度控制装置包括：温度传感器，设置在工作区域内以检测工作区域内的温度；冷水机，与温度传感器信号连接；风道机构，竖向设置在工作区域内且连接温控区域及密闭区域；冷凝翅片，设置在温控区域内且连接冷水机及风道机构；风扇，设置在风道机构上；风机过滤器，设置在密闭区域内且用以将流向至工作区域的气流过滤。本申请的温度控制装置能够集成至激光直写设备上，且控温精度高。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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