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公开(公告)号：CN110634964B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201910920631.8
申请日：2019-09-26
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院 , 苏州大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/0747 , H01L31/18 , H01L31/20
Abstract: 本发明公开了一种高效晶硅太阳电池，包括：遂穿氧化层、N型多晶硅、背面钝化层、P型硅、第一金属电极和第二金属电极，所述遂穿氧化层、所述N型多晶硅和所述背面钝化层上均开设有开槽，所述第一金属电极穿过所述开槽与所述P型硅欧姆接触，所述第一金属电极与所述N型多晶硅之间间隔设有背面钝化层，所述第二金属电极穿过所述背面钝化层并与所述N型多晶硅欧姆接触；这样简化电池制备流程，无需多次掩膜和清洗，提高了电池良率和产能，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN112420855A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011279813.0
申请日：2020-11-16
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司 , 常熟理工学院
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法，简化了制备工艺且太阳能电池片具有较高的转换效率。该太阳能电池片，包括：P型硅片、形成于所述P型硅片正面的正面介质层、位于所述正面介质层上的正面电极、形成于所述P型硅片背面的背面介质层及位于所述背面介质层上的背面电极；其中，P型硅基体具有铝掺杂区域，正面电极与所述P型硅基体的所述铝掺杂区域形成金属接触。铝掺杂区域的制备相较于传统方法，制备过程简单，制备过程温度低，避免体少子寿命降低，保证了电池片的光电转化效率。
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公开(公告)号：CN111559161A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010265988.X
申请日：2020-04-07
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种选择性发射极太阳能电池片的正面电极网版，减弱或消除网版使用次数累积后所产生的印刷图形外扩的影响。一种选择性发射极太阳能电池片的正面电极网版，包括网框及设置于所述网框内的网布，所述网布上设置有多个相互并列的主栅线及多个相互并列副栅线，所述网布沿中心辐射方向取小于8微米的内缩量预先进行内缩处理。
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公开(公告)号：CN110518084A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910719750.7
申请日：2019-08-06
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种镓局域掺杂的PERC电池的制备方法，其能够实现PERC电池的高局部掺杂浓度和低薄层电阻。本发明还公开一种镓局域掺杂的PERC电池，其具有高局部掺杂浓度和低薄层电阻。一种镓局域掺杂的PERC电池的制备方法，包括如下步骤：A、将金属镓在不低于镓熔点的温度下进行图形化；B、将图形化的金属镓置于硅片表面，并将硅片表面降温至镓熔点温度以下进行固化；C、在硅片的镓图形区域进行激光掺杂；D、进行金属化备背面电极，背面电极和镓掺杂区域接触。
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公开(公告)号：CN110233179A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910474323.7
申请日：2019-05-31
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/049 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种选择性钝化接触结构的晶体硅太阳电池，包括：P型硅基体，所述P型硅基体正面设有发射层，所述发射层正面设有第一钝化层，所述P型硅基体背面设有超薄氧化硅层，所述超薄氧化硅层背面设有多晶硅层，所述多晶硅层背面设有第二钝化层；在不购置昂贵离子注入设备的前提下，实现选择性钝化接触结构，不仅提高电池效率的同时，更降低产线升级成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110112243A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910475051.2
申请日：2019-06-02
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/049 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池的背面钝化结构及其制备方法，背面钝化结构设置于所述太阳能电池的硅片衬底背面；背面钝化结构包括叠层钝化介质层；具体包括自所述背面的表面依次向外设置的第一氧化硅膜层、氧化铝钝化膜层、第一氮化硅减反射层、第二氧化硅膜层，本发明通过在硅片衬底与氧化铝之间引入氧化硅，有利于增强氧化铝固定负电荷，增强了氧化铝的场钝化和化学钝化效果；而氧化铝层叠加高折射率氮化硅，和高折射率氮化硅上的低折射率膜层设计提升钝化效果，同时光学上也能降低光的反射率，从而有效提升电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN106653898B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201610963117.9
申请日：2016-11-04
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/0445 , H01L31/032 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种具有较高的转换效率的CZTS太阳能电池。一种CZTS太阳能电池，包括层叠设置的基板、阻挡层、导电背电极层、吸收层、缓冲层、窗口层、透明导电层，其特征在于：所述吸收层为CZTS可调带隙吸收层，所述CZTS可调带隙吸收层中Cu/(Zn+Sn)的原子百分比在0.8~0.95之间，Zn/Sn的原子百分比在1.0~1.5之间。吸收层中Cu/(Zn+Sn)的原子百分比在0.8~0.95之间，Zn/Sn的原子百分比在1.0~1.5之间，采用V型带隙结构，改善开路电压和短路电流，从而提高CZTS太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN109639236A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811506081.7
申请日：2018-12-10
Applicant: 腾晖光伏(宁夏)有限公司 , 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H02S50/10
Abstract: 本申请公开了一种脉冲太阳模拟器对光伏组件测试的评价方法，该方法通过在脉冲太阳模拟器电压扫描方向为第一扫描方向时，获取光伏组件的第一最高功率；在所述电压扫描方向与所述第一扫描方向相反时，获取所述光伏组件的第二最高功率；获取所述第一最高功率和所述第二最高功率的差异；根据所述差异确定所述脉冲太阳模拟器对所述光伏组件测试的适用性的评价。本申请的评价方法在避免使用稳态太阳模拟器的同时，又简化了评价过程，节约时间。此外，本申请还提供了一种具有上述优点的脉冲太阳模拟器对光伏组件测试的评价装置、设备以及计算机可读存储介质。
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公开(公告)号：CN109616546A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811276250.2
申请日：2018-10-30
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种晶硅太阳能电池的制备方法，依次包括如下步骤：A制绒；B在硅片正面镀掩膜；C对硅片背面进行碱抛光；D清洗；E去除步骤B制备的掩膜；F扩散制备P-N结；G将硅片的除正面外的其它部位上的P-N结去除，并对硅片背面进行酸抛光；H制备硅片背面的钝化膜。本硅片背面抛光效果较好且洁净度较好，提升光电转换效率。
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公开(公告)号：CN109616545A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811265980.2
申请日：2018-10-29
Applicant: 苏州腾晖光伏技术有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/02
Abstract: 本发明公开了一种提高晶硅太阳电池的背铝栅线和激光开槽对准精度的方法，通过改变晶硅太阳电池的背面钝化膜的厚度和/或折射率，使所述背面钝化膜的颜色与激光标记点处的颜色不同，所述背面钝化膜的颜色与所述激光标记处的颜色的对比度大于浅黄色与银灰色的对比度，能够改善背面铝栅线及激光开槽的对准精度，提高电池的效率和良率。
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