一种薄带的铸造装置及薄带的铸造方法

    公开(公告)号:CN109248994B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201810943565.1

    申请日:2018-08-17

    Abstract: 本发明公开了一种薄带的铸造装置及薄带的铸造方法。该装置和方法至少包括熔炼炉、冷却辊、和用以将所述熔炼炉形成的熔液供给到所述冷却辊的供给装置,所述供给装置具有进液口和出液口,所述进液口至所述出液口之间设置出液通道,所述出液通道上设置一挡板,并形成一蓄液池。其通过在供给装置的出液通道的内壁上设置一挡板,起到蓄液、蓄温的作用,从而获得一致性好的薄带。

    含有Tb和Hf的R-Fe-B系烧结磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN109192426B

    公开(公告)日:2020-03-10

    申请号:CN201811029506.X

    申请日:2018-09-05

    Abstract: 本发明公开了一种含有Tb和Hf的R‑Fe‑B系烧结磁体及其制备方法,所述烧结磁体的表面区域和内部区域分布有包含芯部和外壳部的R2Fe14B型主相晶粒,所述外壳部的Tb含量高于所述芯部中的Tb含量,所述烧结磁体的结晶晶界中具有Hf含量为0.1wt%以上、3.0wt%以下的富Hf区域,所述富Hf区域在所述结晶晶界中呈均一分散的分布,并占所述烧结磁体的5.0vol%‑11.0vol%。该烧结磁体具有较好高温稳定性能及常温的磁性能,制备工艺方便可控,设备简单,易于工业化生产。

    一种钕铁硼磁体材料及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN117012486A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202210475096.1

    申请日:2022-04-29

    Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料及其制备方法、应用。以重量百分比计,该钕铁硼磁体材料包括以下组分:R:28.00‑32.00wt.%,所述R为稀土元素;Al:0.00‑1.00wt.%;Cu:0.12‑0.50wt.%;B:0.85‑1.10wt.%;余量为Fe,wt.%是指在所述钕铁硼磁体材料中的重量百分比;所述钕铁硼磁体材料的晶间三角区中具有FCC型晶体结构的Nd‑O相的体积与所述钕铁硼磁体材料的晶界相的体积比在20%以内。本发明通过减少具有FCC型晶体结构的Nd‑O相的比例,增强了晶界相的去磁耦合能力并提高了磁体内禀矫顽力的一致性。

    粉末组合物
    55.
    发明公开
    粉末组合物 审中-实审

    公开(公告)号:CN116543994A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310484357.0

    申请日:2023-04-29

    Abstract: 本公开涉及粉末组合物,所述组合物包含第一粉末组份和第二粉末组份,其中,所述第一粉末组份是由R与M组成的合金粉末,其中R与M的质量比为x:(100‑x),R为Nd、Pr中的一种或多种,M为Cu、Al、Ga、Zn中的一种或两种以上的组合,x为R的质量分数且0≤x≤90;所述第二粉末组份是原料钕铁硼合金粉末。在本公开的实施方案中,本公开的粉末组合物适合用于制备具有更小重稀土扩散各向异性的基材,从而能够用于进一步制造具有优异性能的稀土永磁材料。

    一种R-T-B系烧结磁体及其应用
    56.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116543993A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202210115999.9

    申请日:2022-01-26

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B系烧结磁体及其应用。该R‑T‑B系烧结磁体的主相晶粒的粒径分布为多峰分布;所述多峰分布包括第一峰和第二峰,所述第一峰的峰值粒径为3~5μm,所述第二峰的峰值粒径为5~8μm但不包含5μm;并且,所述主相晶粒的粒径分布中:D0~4:10~40%;D5~∞:50~90%;Da‑b表示粒径为a~bμm的主相晶粒的体积含量与所有主相晶粒的总体积含量的百分比。本发明的R‑T‑B系磁体显著改善了充磁性能,同时还实现了在无需控制主相晶粒尺寸一致性的严格要求的前提下,维持了较高的方形度。

    改性超细粉、稀土永磁体、原料、制备方法、用途

    公开(公告)号:CN110828090B

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN201911204221.X

    申请日:2019-11-29

    Abstract: 本发明公开了改性超细粉、稀土永磁体、制备方法、原料以及用途。改性超细粉中,其包括以下组分:PrNd:44.5~58.5wt%;Gd:0~2wt%;Ho:0.04~1wt%;Dy:0.04~2wt%;Tb:0~1wt%;Al:0.025~0.8wt%;Cu:0.04~0.3wt%;Co:0.2~2wt%;Ga:0.04~0.2wt%;Zr:0~0.2wt%;Ti:0~0.2wt%;Nb:0~0.2wt%;B:0.5~1wt%;余量为Fe及不可避免的杂质。采用改性超细粉作为制备永磁体的原料,所得永磁体的磁性能具有较大提升,矫顽力由11kOe提升至16~21kOe,同时降低了生产成本。

    钕铁硼磁体
    59.
    发明公开
    钕铁硼磁体 审中-实审

    公开(公告)号:CN116487141A

    公开(公告)日:2023-07-25

    申请号:CN202310487649.X

    申请日:2023-04-29

    Abstract: 钕铁硼磁体,所述钕铁硼磁体包含沿垂直于基材的易磁化方向扩散的重稀土。钕铁硼磁体,所述钕铁硼磁体包含沿平行于基材的易磁化方向扩散的重稀土。在本公开的实施方案中,本公开的基材通过将由原料钕铁硼合金粉末与由R与M组成的合金粉末混合得到的粉末组合物烧结得到,其中R与M的质量比为x:(100‑x),R为Nd、Pr中的一种或多种,M为Cu、Al、Ga、Zn中的一种或两种以上的组合,x为R的质量分数且0≤x≤90。在本公开的实施方案中,原料钕铁硼合金粉末是通过将原料钕铁硼合金氢破得到的钕铁硼氢破粉末。

    制备钕铁硼磁体的方法
    60.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116403823A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310487655.5

    申请日:2023-04-29

    Abstract: 制备钕铁硼磁体的方法,所述方法包括将重稀土沿平行于基材的易磁化方向扩散。制备钕铁硼磁体的方法,所述方法包括将重稀土沿垂直于基材的易磁化方向扩散。在本公开的实施方案中,所述方法还包括将由原料钕铁硼合金粉末与由R与M组成的合金粉末混合得到的粉末组合物烧结,得到所述基材,其中R与M的质量比为x:(100‑x),R为Nd、Pr中的一种或多种,M为Cu、Al、Ga、Zn中的一种或两种以上的组合,x为R的质量分数且0≤x≤90。在本公开的实施方案中,所述方法还包括将所述原料钕铁硼合金粉末与所述合金粉末充分研磨混合,获得经研磨的粉末组合物。在本公开的实施方案中,所述方法还包括将所述经研磨的粉末组合物取向成型。在本公开的实施方案中,方法还包括将合金体氢破,获得所述合金粉末。根据本公开的方法制备的钕铁硼磁体。

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