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公开(公告)号：CN102545879A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210048040.4
申请日：2012-02-29
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明涉及一种基于负微分电阻特性的SET/CMOS反相器，其特征在于：包括一单电子晶体管SET、一PMOS管以及一NMOS管，所述的PMOS管的源极与单电子晶体管SET的源极相连，单电子晶体管SET的栅极与PMOS管的漏极相连，所述NMOS管的漏极与所述PMOS管的漏极连接，本发明在具有较低功耗的同时，能够实现输出电压全摆幅以及较低的传输延迟，可以在数字电路设计中得到更好的应用。
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公开(公告)号：CN102427093A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110405583.2
申请日：2011-12-08
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种横向PIN结构Ge量子点近红外探测器及其制作方法，该探测器包括衬底和设于衬底上的多层Ge量子点，多层Ge量子点上光刻有p+叉指注入区和n+叉指注入区，两叉指注入区均包括间隔并排的多个叉指条型区和与各叉指条型区相连通的叉指连接区，p+叉指注入区与n+叉指注入区的叉指条型区间隔交叉设置，p+叉指注入区内设有p+叉指条和p+叉指连接部，n+叉指注入区内设有n+叉指条和n+叉指连接部，多层Ge量子点上设有SiO2薄膜，SiO2薄膜上开设有两电极引线孔，两电极引线孔内分别设有与p+叉指连接部、n+叉指连接部相接触的金属电极并向外引出。该探测器的光生载流子输运效率高，提高了探测器的光响应度。
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公开(公告)号：CN102571064B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201210001141.6
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于SET/MOS混合结构的二进制码-格雷码转换器，其包括四信号输入端以及三个二输入SET/MOS混合电路，仅消耗3个PMOS管，3个NMOS管和3个SET。整个电路的平均功耗仅为19.9nW。输入输出电压具有较好的兼容性，具有较大的输出摆幅，有利于驱动下一级的电路，能够与其它电路进行集成设计。与传统基于CMOS器件的二进制码-格雷码转换器相比，电路功耗明显下降，管子数目得到了一定的减少，电路结构得到了进一步的简化。该二进制码-格雷码转换器能够作为接口电路，在有限状态机、存储器等电路中得到应用，有利于进一步降低电路功耗，节省芯片面积，提高电路的集成度。
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公开(公告)号：CN103281072B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310233035.5
申请日：2013-06-13
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明涉及一种单电子晶体管与MOS管构成的双阈值逻辑单元，包括一PMOS管、一NMOS管和一单电子晶体管，所述PMOS管的源极连接电源Vdd，栅极连接一基准电压Vpg，漏极作为所述双阈值逻辑单元的输出端并连接所述NMOS管的漏极，所述NMOS管的栅极连接一基准电压Vng，源极连接所述单电子晶体管的漏极，所述单电子晶体管的源极接地，背栅连接一背栅电压Vctrl，所述单电子晶体管包括四个输入端V1、V2、V3和V4，设置相应的V1，V2，V3，V4和Vctrl，即可实现任意的二变量逻辑函数。本发明可以实现双阈值的逻辑功能，具有可重构的特性，可以实现任意的二变量逻辑函数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102594298B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201210048026.4
申请日：2012-02-29
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于负微分电阻特性的混合SETCMOSD触发器，该结构的重点是利用SET与CMOS组成的混合电路产生两种变化方向相反的NDR特性，并利用该特性构成两个用于存储电压值的稳态点，实现锁存器的功能,并通过级联两个锁存器实现D触发器功能。与传统的D触发器相比，本发明采用的基于负微分电阻特性的混合SET/CMOSD边沿触发器极大的降低了电路的功耗，并提高了电路的集成度。
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公开(公告)号：CN103560781A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310524380.4
申请日：2013-10-31
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/20
Abstract: 本发明基于CMOS运算放大器设计了一个实现阈值逻辑的电路。该电路仅由一个输入电阻阵列，一个运算放大器和一个反相器构成。其阈值由参考电压和输入权重决定，而各输入端的权重仅与反馈电阻和输入电阻的比值相关，具有很强的可重构特性，能够实现多种不同的逻辑功能。此外，本发明还以实现择多逻辑门为例，介绍该电路用于实现逻辑功能的设计方法，并通过Cadence仿真验证了其功能的正确性。基于CMOS运算放大器的阈值逻辑电路具有结构简单，可重构性强等优点，能够作为一个基本单元应用于神经网络等领域。
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公开(公告)号：CN103281063A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310233016.2
申请日：2013-06-13
Applicant: 福州大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种SET/MOS混合电路构成的选通逻辑电路，包括一PMOS管、一NMOS管和一单电子晶体管，所述PMOS管的源极连接电源Vdd，栅极连接一基准电压Vpg，漏极作为所述选通逻辑电路的输出端并连接所述NMOS管的漏极，所述NMOS管的栅极连接一基准电压Vng，源极连接所述单电子晶体管的漏极，所述单电子晶体管的源极接地，背栅连接一背栅电压Vctrl，所述单电子晶体管包括三个输入端，且C1=2*C2=2*C3，其中，C1、C2和C3分别为所述第一输入端、第二输入端和第三输入端的电容。本发明具有极低的功耗、超小的器件尺寸、较强的驱动能力和较大的输出摆幅。
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公开(公告)号：CN102427093B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110405583.2
申请日：2011-12-08
Applicant: 福州大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0224
Abstract: 本发明涉及一种横向PIN结构Ge量子点近红外探测器及其制作方法，该探测器包括衬底和设于衬底上的多层Ge量子点，多层Ge量子点上光刻有p+叉指注入区和n+叉指注入区，两叉指注入区均包括间隔并排的多个叉指条型区和与各叉指条型区相连通的叉指连接区，p+叉指注入区与n+叉指注入区的叉指条型区间隔交叉设置，p+叉指注入区内设有p+叉指条和p+叉指连接部，n+叉指注入区内设有n+叉指条和n+叉指连接部，多层Ge量子点上设有SiO2薄膜，SiO2薄膜上开设有两电极引线孔，两电极引线孔内分别设有与p+叉指连接部、n+叉指连接部相接触的金属电极并向外引出。该探测器的光生载流子输运效率高，提高了探测器的光响应度。
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公开(公告)号：CN102611429A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210001121.9
申请日：2012-01-05
Applicant: 福州大学
IPC: H03K19/094
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于阈值逻辑的SET/MOS混合结构的加法器，其仅由2个阈值逻辑门和1个反相器构成,共消耗3个PMOS管，3个NMOS管和3个SET。输入输出电压间具有较好的兼容性，输出电压摆幅为0.67V，有利于驱动下一级的电路，能够与其它电路进行集成设计。整个电路的平均功耗仅为20nW。与传统的基于CMOS技术的加法器相比，电路功耗明显下降，管子数目得到了一定的减少，电路结构得到了进一步的简化。该加法器能够作为一个基本的算术单元，在数字信号处理器，微处理器，微控制器以及存储器等系统中得到应用，有利于进一步降低电路功耗，节省芯片面积，提高电路的集成度。
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