公开(公告)号：CN107863966B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201711039954.3

申请日：2017-10-31

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  李竞涛 ,  冯全源 ,  李大刚 ,  胡达千 ,  岑远军 ,  苏华英

IPC: H03M1/14

Abstract: 该发明公开了一种用于智能传感器的逐次逼近模数转换器电容优化方法，为了减少不必要的损失包括：设计复杂度、芯片面积、功耗、速度等，同时减小电容失配误差，本发明提出了一种不同于传统的电容阵列优化方案：通过电容排序，组合并调整电容阵列，使得ADC的电容失配误差得到减小，提高精度；相较于传统技术，本发明不需要增加额外的电容。

公开(公告)号：CN110677155A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910772581.3

申请日：2019-08-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  王琛 ,  冯全源 ,  李大刚 ,  胡达千 ,  岑远军

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/46

Abstract: 该发明公开了一种应用于逐次逼近模数转换器的中位选取电容校正方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。本发明采用单位电容构成混合电阻电容型逐次逼近模数转换器中的正负电容阵列，对电容阵列中的单位电容经过多次组合，排序，中位选取以构成逐次逼近模数转换器的各级有效位。相比于传统校正方法有利于线性度的进一步提升，静态性能与动态性能均有显著提升。

公开(公告)号：CN110034765A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910338368.1

申请日：2019-04-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  杨静萱 ,  冯全源 ,  蔡经纬 ,  李大刚 ,  胡达千 ,  岑远军

IPC: H03M1/44

Abstract: 本发明公开了一种快速响应的动态锁存比较器，应用的技术领域是逐次逼近模数转换器。本发明的特征在于，提高复位时的比较器输出电压，有效提高比较器响应速度；因而本发明技术方案为一种快速响应的动态锁存比较器，该比较器包括：预放大结构和锁存结构。本发明提出的动态锁存比较器相比，本发明提出的动态锁存比较器响应时间更快。

公开(公告)号：CN105049049B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510443496.4

申请日：2015-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  佛朗哥·马勒博迪

IPC: H03M1/38

Abstract: 该发明公开了一种提高逐次逼近模数转换器的DNL/INL的电容交换方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别高性能的模数转换器领域。不需要引入额外的ADC，不需要引入任何校正算法，也不需要拆分任何电容，只需要在两次转换之间交换次高位电容和其后面所有电容，即可抵消由判断次高位引起的DNL/INL误差，因此，与传统依赖辅助模数转换器、校正算法或者拆分电容来提高DNL/INL的校正方法相比，具有结构更简单、占用芯片面积更小、更容易在片上实现的效果。

公开(公告)号：CN106301369A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610596538.2

申请日：2016-07-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  阎波 ,  陈伟建 ,  刘兴泉

IPC: H03M1/10 ,  H03M1/12 ,  H03M1/46

CPC classification number: H03M1/1033 ,  H03M1/1245 ,  H03M1/462

Abstract: 该发明公开了一种同时提高模数转换器SFDR和SNR的位循环方法,应用的技术领域是微电子学与固体电子学领域的高精度模数转换器。本发明提出的位循环方法适用于任何结构的逐次逼近模数转换器，其核心思想在于拆分最高位(MSB)电容和次高位(MSB-1)电容，将电容阵列分为四组，对同一个输入电压转换两次，两次转换结果求平均得到相应的数字输出码，在转换过程中，每次位循环都改变电容秩序，达到对电容误差动态平均的效果。因此，与传统依赖校正DAC和校正算法来提高线性度的校正方法相比，具有结构更简单、占用芯片面积更小、更容易在片上实现的效果。

公开(公告)号：CN106209106A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610591962.8

申请日：2016-07-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  阎波 ,  陈伟建 ,  刘兴泉

IPC: H03M1/46 ,  H03M1/40

CPC classification number: H03M1/46 ,  H03M1/40

Abstract: 该发明公开了一种提高混合电阻电容型模数转换器动态性能的位循环方法，应用的技术领域是微电子学与固体电子学领域的高精度模数转换器。本发明提出的位循环方法适用于任何结构的逐次逼近模数转换器，其核心思想在于拆分最高位(MSB)电容和次高位(MSB-1)电容，将电容阵列分为四组，每次位循环都改变电容秩序，达到对电容误差动态平均的效果。其特点在于：不需要引入任何校正算法，不需要引入校正DAC，不牺牲模数转换器采样率，而且不打断模数转换器正常工作。本发明提出的位循环方法可以对电容误差进行动态平均，因此，与传统依赖校正DAC和校正算法来提高线性度的校正方法相比，具有结构更简单、占用芯片面积更小、更容易在片上实现的效果。

公开(公告)号：CN105071811A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510443974.1

申请日：2015-07-27

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  佛朗哥·马勒博迪

IPC: H03M1/38

Abstract: 该发明公开了一种提高逐次逼近模数转换器DNL/INL的位循环方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是高精度SAR ADC领域。通过设置两种不同的判断码子输出的方法，在ADC码子判断过程中通过这两种方法的依次循环，从而不需要额外DAC，也不需要任何校正算法，只需要在两种位循环模式之间进行切换，即可避免电容失配引入的误差总在同一码字不断累加，从而具有提升DNL和INL的效果。

公开(公告)号：CN103825615A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410016124.9

申请日：2014-01-14

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  李强 ,  李广军

IPC: H03M1/50 ,  H03K5/24

Abstract: 本发明公开了一种高速时域比较器，应用于逐次逼近模数转换器中。该高速时域比较器由差分信号交替控制的电压-时间转换电路和可输入差分信号的时间-数字转换电路组成，其中：电压-时间转换电路由两个VCDL电路（电压控制延迟电路）组成，每个VCDL电路由四级CSI电路串联而成；时间-数字转换电路由输入电路和输出电路组成，从而具有速度更快、精度更高，能用于12-bit100MS/s的流水线逐次逼近模数转换器，且既适用于单端逐次逼近模数转换器，也适用于全差分逐次逼近模数转换器的效果。

公开(公告)号：CN103607204A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310572356.8

申请日：2013-11-15

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 樊华 ,  李强 ,  李广军

IPC: H03M1/38

Abstract: 本发明公开了一种高精度数字化的时域比较器，包括：输入电路，与非门开关电路和输出电路，其中输入电路，含有：第一全差分输入信号（VINP）子电路、第二全差分输入信号（VINN）子电路、输入电路的反馈控制子电路，所述反馈控制电路在时钟信号控制下，根据输入的全差分输入信号相对大小，通过电容充放电的方法，在反馈回来的输出信号调控下，控制输出电压的电平，并通过电阻RD将电容放电电流线性化，以达到耗更低，精度更高，抗干扰能力更强的目的。

公开(公告)号：CN118642557A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202410783170.5

申请日：2024-06-18

Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院

Inventor： 樊华 ,  谢一帆 ,  褚积震 ,  周伟

IPC: G05F1/56

Abstract: 该发明公开了一种具有上电启动快速响应通道的LDO电路结构，属于电路结构领域。本发明使用具有快速响应通道误差放大器的LDO，解决现有技术中芯片内部LDO电路启动过慢的问题。与现有技术相比，本发明提出的改进误差放大器电路结构实现简单，不需要额外控制信号与启动模块，节省芯片面积，降低芯片成本，可以有效加快LDO上电启动速度。