一种具有上电启动快速响应通道的LDO电路结构

    公开(公告)号:CN118642557A

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410783170.5

    申请日:2024-06-18

    Abstract: 该发明公开了一种具有上电启动快速响应通道的LDO电路结构,属于电路结构领域。本发明使用具有快速响应通道误差放大器的LDO,解决现有技术中芯片内部LDO电路启动过慢的问题。与现有技术相比,本发明提出的改进误差放大器电路结构实现简单,不需要额外控制信号与启动模块,节省芯片面积,降低芯片成本,可以有效加快LDO上电启动速度。

    一种摆率增强的LDO电路结构
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118519486A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410682796.7

    申请日:2024-05-29

    Abstract: 该发明公开了一种摆率增强的LDO电路结构,属于电路结构领域。本发明使用摆率增强电路的快速响应的非容性LDO,解决现有技术中存在的较大面积开销,高瞬态响应特性的问题。与现有技术相比,本发明提出的摆率增强电路结构实现简单,静态功耗低,不需要使用大的负载电容,能够节省芯片面积,便于片上集成。

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