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公开(公告)号：CN107385487B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201710606174.6
申请日：2017-07-24
Applicant: 电子科技大学 , 遂宁市英创力电子科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种HDI板快速镀铜前处理工艺及其具有微蚀、预浸功能的前处理溶液，属于印制电路板技术领域。本发明前处理溶液包括水溶性铜盐、氯离子、硫酸、加速剂及缓蚀剂，本发明前处理液配方具有缓蚀和预浸双重效果，此外，本发明前处理液的缓蚀效率高，可达80～99％，在不同温度下均具有良好的缓蚀性能，并且具有良好的填孔效果，有利于HDI板的盲孔镀铜；同时，由于该缓蚀剂在后续快速电镀盲通孔工艺中可作为抑制剂，故运用本发明前处理液能够将现有工艺中微蚀工序和预浸工序合二为一，同时避免了在后续快速电镀盲通孔工序中引入残留缓蚀剂，进而可最大限度的减缓前处理工序完成后水洗不尽的危害，实现对下一道工序的无害，顺应绿色电镀工艺发展的趋势。
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公开(公告)号：CN109686807A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811579271.1
申请日：2018-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/105 , H01L31/0236 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 一种基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法，属于近红外探测器技术领域。所述光电探测器包括衬底，以及形成于衬底之上的光电薄膜和电极，所述衬底和光电薄膜形成pn结构，其特征在于，所述衬底为带阵列凹槽的三维结构，所述光电薄膜形成于衬底表面、凹槽侧面以及底面上。本发明提出的基于三维外延薄膜结构的光电探测器及其制备方法，三维外延结构增大了探测器的表面积，可以有效提高光吸收率，增大红外光与探测器之间的接触面积，同时，在三维基板上外延半导体薄膜可引入应力，对半导体的能带结构实现应力的调控。
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公开(公告)号：CN109686798A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811579272.6
申请日：2018-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/032 , C30B19/02
Abstract: 一种应用于中远红外光电探测的磁性铁氧体/半金属Bi复合薄膜及其制备方法，属于光电探测技术领域。所述复合薄膜包括衬底，以及依次形成于衬底之上的磁性铁氧体薄膜层和Bi薄膜层。本发明提供的复合薄膜中，Bi半金属薄膜厚度的改变会导致复合薄膜红外光反射强度在中远红外波段呈现规律性变化，即Bi半金属薄膜厚度增加，复合薄膜的红外光反射强度减弱，光学吸收增强，光电效应增加，使得其在中远红外光电探测、光信息存储等多学科领域具有广泛的应用前景；同时，该复合薄膜在室温下就能实现对中远红外的光电探测，可广泛应用于红外光的探测、校对和识别。
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公开(公告)号：CN107505058A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710563996.0
申请日：2017-07-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于两个环形振荡器的时域下数字化温度传感器。本发明包含三个部分：第一部分使用两个对温度有不同敏感度的震荡环作为传感器温度的检测部分；第二部分为震荡环频率到与温度相关数字码的转换部分，其使用纯数字逻辑器件构成的TDC(时间-数字转换器)作为转换单元；第三部分为频率的算术运算和片外校准部分，本发明需要两个已知温度点作为校准的参考点来获取所测量的绝对温度值。
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公开(公告)号：CN107416888A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710728146.1
申请日：2017-08-23
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C01G3/02 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/16 , C01P2004/22 , C01P2004/30 , C01P2004/64
Abstract: 一种纳米氧化铜的制备方法，属于无机纳米材料制备技术领域。包括以下步骤：1)在三聚磷酸盐为模板添加剂的条件下，铜盐与氢氧化物反应生成氢氧化铜沉淀；2)步骤1)得到的氢氧化铜沉淀经水热反应生成黑色沉淀；3)步骤2)得到的黑色沉淀离心分离，烘干，得到所述纳米氧化铜。本发明以三聚磷酸盐为晶核生长的模板，控制晶核的生长方向，在碱性条件下通过水热反应制得形貌新颖的纳米氧化铜，方法简便，反应时间短。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107403052A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710656284.3
申请日：2017-08-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 适用于近阈值和亚阈值的低漏电标准单元的设计方法，属于数字集成电路技术领域。选取预定尺寸的标准器件搭建反相器并计算标准器件的N/P漏电比；搭建标准单元电路并将标准单元电路的漏电流和延时从其来源进行划分，计算得到标准单元电路的N/P漏电系数比和N/P延时系数比，从而得出标准单元电路漏电能耗最小的最优N/P漏电比；再根据标准器件的N/P漏电比和标准单元电路的最优N/P漏电比计算调节系数，根据调节系数进行尺寸设计，得到漏电能耗最小时构成标准单元电路的NMOS管和PMOS管的最优尺寸。根据本发明提出的方法所设计的标准单元具有低漏电的特点，基于此可以实现低功耗数字电路的设计。
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公开(公告)号：CN118155973B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202410205644.8
申请日：2024-02-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于软磁复合材料技术领域，具体提供一种用于特高频电感的低磁介损耗软磁复合材料及其制备方法，用以解决现有软磁复合材料在特高频频段存在磁损耗和介电损耗高、饱和磁化强度低等问题。本发明中软磁复合材料包含组分：球形铁基纳米晶磁粉：96～99.5wt％，ZnO或B2O3氧化物：0.5～4wt％；ZnO或B2O3氧化物作为绝缘包覆材料。本发明使用ZnO或B2O3对球形铁基纳米晶磁粉进行绝缘包覆，并通过冷烧结工艺及退火处理获得致密软磁复合材料，具有较高的相对密度、较高的饱和磁化强度以及低的磁电损耗，并将磁导率截止频率提高至1.5～5GHz频段，满足特高频频段的应用需求。
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公开(公告)号：CN119692282A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411828501.9
申请日：2024-12-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F30/373 , G06F30/27 , G06N3/049 , G06N3/088
Abstract: 本发明涉及人工智能技术领域，具体涉及一种STDP神经网络无监督在线学习电路及方法；电路包括前神经元、后神经元、光电忆阻器、长时抑制模块和长时增强模块，前神经元和后神经元均用于，发射脉冲；长时抑制模块用于，减小光电忆阻器的权值；长时增强模块用于，增大光电忆阻器的权值；光电忆阻器用于，进行脉冲传递和权值调整；方法包括：对比前神经元与后神经元的发射脉冲的发射顺序，调整光电忆阻器的突触权值；通过引入光调控，解决了传统电路传递脉冲和调整忆阻器权值无法同时进行的问题；实现下降电路结构和控制信号的复杂度，有利于提高电路集成度和降低功耗。
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公开(公告)号：CN118284324A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410350846.1
申请日：2024-03-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有忆阻与学习行为的类脑计算纳米振荡器，属于类脑计算技术领域。该纳米振荡器包括衬底、纳米振荡单元、离子调控单元和电极单元；其中，纳米振荡单元位于衬底之上，离子调控单元位于纳米振荡单元之上、且与纳米振荡单元垂直，电极单元位于衬底之上、与纳米振荡单元的两侧连接；纳米振荡单元包括依次设置的重金属薄膜、铁磁性薄膜和反铁磁性绝缘体薄膜；离子调控单元包括依次设置的离子调控层和上电极。本发明将学习、记忆、谐振行为集成到一个器件上，开发了一种新型的类脑器件，推动了类脑计算与人工智能的发展；自旋电子学为具有极大潜力的下一代微电子元器件，该器件可与自旋电子学器件集成，用于计算、微波信号发生器等功能器件。
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公开(公告)号：CN117964360A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410068516.3
申请日：2024-01-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于微波介电陶瓷材料领域，具体提供一种基于姜泰勒效应改善锌镁钛微波陶瓷性能的方法，使制备得到的锌镁钛微波介电陶瓷材料具有低的介电损耗和低的谐振频率温度系数，适合于制造性能优异的陶瓷基板。本发明采用Zn0.7Mg0.3TiO3体系，通过引入Mn元素，使材料发生姜泰勒效应，晶体结构发生畸变，阻碍离子迁移，增强了陶瓷的结构稳定性；最终，本发明利用姜泰勒效应改善了Zn0.7Mg0.3TiO3微波陶瓷的介电性能，获得了介电常数为20.689，Q×f＝50807.9，谐振频率温度稳定系数为‑22.3ppm/℃的微波介电陶瓷材料，有望用于制造陶瓷基板。
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