公开(公告)号：CN117656639A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311427176.0

申请日：2017-02-10

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  佐佐木辽 ,  米山裕之 ,  山本大辅

IPC: B32B33/00 ,  H01L21/683 ,  B32B7/12

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其在支撑片的一个表面上具备保护膜形成用膜、且在所述支撑片的与具备所述保护膜形成用膜的一侧相反侧的表面上具备涂敷层而成，其中，所述涂敷层的与所述支撑片相接触的一侧相反侧的表面的光泽值为32～95。

公开(公告)号：CN112111236B

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202010468045.7

申请日：2020-05-28

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 米山裕之 ,  山本大辅 ,  古野健太

IPC: C09J7/24 ,  C09J7/25 ,  C09J133/08 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备防污片、与形成在所述防污片的一个面上的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片的宽度的最大值为155～194mm、205～250mm、305～350mm或455～500mm，宽度为15mm的所述防污片的试验片能够伸长15％以上，且在伸长10％时的拉伸强度为4.0N/15mm以上。

公开(公告)号：CN110211912B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN201910444689.X

申请日：2015-05-18

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  山本大辅 ,  米山裕之 ,  稻男洋一

IPC: H01L21/683 ,  C09J7/24 ,  C09J7/30

Abstract: 本发明为一种切割片，所述切割片(1)具备：基材(2)、叠层于基材(2)的第1面侧的粘合剂层(3)和叠层于粘合剂层(3)的与基材(2)相反面侧的剥离片(6)，其中，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra1)为0.2μm以上，在将切割片(1)在130℃下加热2小时后，基材(2)的第2面的算术平均粗糙度(Ra2)为0.25μm以下。

公开(公告)号：CN110092937B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201910265151.2

申请日：2014-09-03

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  稻男洋一 ,  山本大辅 ,  米山裕之

IPC: C08J7/04 ,  B32B27/36 ,  B32B27/08 ,  B32B27/30 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  C08L67/02

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜(1)，其中，所述保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成的保护膜中至少一者在测定温度0℃下测定的断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定的断裂应变(单位：％)之积为1MPa·％以上且250MPa·％以下。根据所述保护膜形成膜(1)，能够在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行的扩片工序中对该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成的保护膜适当地进行分割。

公开(公告)号：CN107210205B

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN201680008033.8

申请日：2016-02-03

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 米山裕之 ,  佐伯尚哉 ,  小桥力也

IPC: H01L21/301 ,  B32B7/02 ,  B32B27/00 ,  C09D7/40 ,  C09D201/00 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

Abstract: 本发明提供一种树脂膜形成用复合片，其具有在支撑片上直接叠层有能够形成树脂膜的树脂膜形成用膜的结构，且满足下述要件(I)及(II)。要件(I)：将待与硅晶片贴合一侧的所述树脂膜形成用膜的表面(α)贴合在硅晶片上之后，在23℃的环境中、拉伸速度300mm/分及拉伸角度180°的剥离条件(x)下测定的、将该树脂膜形成用膜从该硅晶片剥离所需要的剥离力(α1)为0.05～10.0N/25mm；要件(II)：在所述剥离条件(x)下测定的、将所述支撑片从与所述支撑片直接叠层一侧的所述树脂膜形成用膜的表面(β)剥离所需要的剥离力(β1)是剥离力(α1)以上的值。

公开(公告)号：CN107615453B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201680029390.2

申请日：2016-04-08

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  堀米克彦 ,  米山裕之 ,  荒井善男

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括：前处理工序，从半导体晶片的表面侧形成槽、或者在半导体晶片上形成改性区域；芯片单片化工序，从背面侧对所述半导体晶片进行磨削，沿着所述槽或改性区域使其单片化为多个芯片；粘贴工序，将在支撑体上设有热固化性保护膜形成膜的带有支撑体的保护膜形成膜的热固化性保护膜形成膜侧粘贴于单片化后的所述半导体晶片的背面；热固化工序，对粘贴于所述半导体晶片的所述热固化性保护膜形成膜进行热固化而形成保护膜；以及拾取工序，在所述热固化工序后，对在所述芯片上叠层有所述保护膜的带有保护膜的芯片进行拾取。

公开(公告)号：CN111417513A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201980006068.1

申请日：2019-03-08

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 古野健太 ,  米山裕之

IPC: B32B7/022 ,  B23K26/38 ,  B23K26/53 ,  C09J7/10 ,  C09J201/00 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其包含具有基材的支撑片、与所述支撑片上所具备的热固性保护膜形成用膜，该基材具有-15℃下的损耗角正切(tanδ)为0.05以上、且80℃下的储能模量(G’)为35.0MPa以上的特性。

公开(公告)号：CN106062927B

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201480076732.7

申请日：2014-09-03

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  稻男洋一 ,  山本大辅 ,  米山裕之

IPC: H01L21/301 ,  B23K26/53 ,  B32B27/00 ,  C09J7/20 ,  C09J7/40

Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜(1)，其中，所述保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成的保护膜中至少一者在测定温度0℃下测定的断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定的断裂应变(单位：％)之积为1MPa·％以上且250MPa·％以下。根据所述保护膜形成膜(1)，能够在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行的扩片工序中对该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成的保护膜适当地进行分割。

公开(公告)号：CN109072009A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780023956.5

申请日：2017-04-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 米山裕之 ,  稻男洋一 ,  小桥力也

IPC: C09D201/00 ,  B32B7/02 ,  C09D4/02 ,  C09D7/40 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供一种即使在氧气存在下、也能够防止发生固化不良的保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片，这样的保护膜形成用膜为能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，在所述保护膜形成用膜中，掺合有波长365nm的吸光系数为4.0×101ml/(g·cm)以上的光自由基引发剂。所述光自由基引发剂优选为在1分子内具有3个以上的芳香环的夺氢型光自由基引发剂，优选为在1分子内具有2个以上的光分解性基团的光自由基引发剂。

公开(公告)号：CN107615453A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680029390.2

申请日：2016-04-08

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 佐伯尚哉 ,  堀米克彦 ,  米山裕之 ,  荒井善男

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/00

Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法包括：前处理工序，从半导体晶片的表面侧形成槽、或者在半导体晶片上形成改性区域；芯片单片化工序，从背面侧对所述半导体晶片进行磨削，沿着所述槽或改性区域使其单片化为多个芯片；粘贴工序，将在支撑体上设有热固化性保护膜形成膜的带有支撑体的保护膜形成膜的热固化性保护膜形成膜侧粘贴于单片化后的所述半导体晶片的背面；热固化工序，对粘贴于所述半导体晶片的所述热固化性保护膜形成膜进行热固化而形成保护膜；以及拾取工序，在所述热固化工序后，对在所述芯片上叠层有所述保护膜的带有保护膜的芯片进行拾取。