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公开(公告)号：CN106415819A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580005206.6
申请日：2015-01-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/00 , C09J7/00 , C09J7/02 , C09J11/04 , C09J201/00 , H01L21/301
CPC classification number: H01L22/12 , C08K2201/003 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J7/20 , C09J7/38 , C09J11/02 , C09J133/10 , C09J201/00 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/114 , C09J2400/22 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L22/30 , H01L23/293 , H01L23/295 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及保护膜形成用片(2)，其具备保护膜形成膜(1)、和叠层于该保护膜形成膜(1)的一面或两面的剥离片(21)，所述保护膜形成膜72％以上、在波长550nm的透光率为20％以下。根据该保护膜形成用片(2)，能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。(1)的特征在于，其在波长1600nm的透光率为
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公开(公告)号：CN111180380B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202010008742.4
申请日：2014-09-03
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/304 , B32B27/00 , B23K26/57 , B23K26/53 , B23K26/18 , C08J7/04 , C08L67/02
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜(1)，其中，所述保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成的保护膜中至少一者在测定温度0℃下测定的断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定的断裂应变(单位：％)之积为1MPa·％以上且250MPa·％以下。根据所述保护膜形成膜(1)，能够在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行的扩片工序中对该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成的保护膜适当地进行分割。
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公开(公告)号：CN108701641B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201780013457.8
申请日：2017-02-17
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/301 , H01L21/60 , C09J7/20 , C09J201/00
Abstract: 本发明的保护膜形成用片在支撑片上具备保护膜形成层、且在该保护膜形成层上具备剥离膜而成，该支撑片的与具备该保护膜形成层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度为0.5μm以下，基于JIS K7125标准测得的该支撑片的上述表面和该剥离膜的与具备上述保护膜形成层的一侧相反侧的表面之间的静摩擦力为29N以下。
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公开(公告)号：CN115132671A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210081725.2
申请日：2022-01-24
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其用于良好地探测处于收纳于载带中的状态的半导体芯片。所述保护膜形成用膜相对于在以CIE1976L*a*b*表色系规定的坐标中明度L*为37.9、色度a*为‑0.36、色度b*为‑2.6的颜色的、以下述式表示的色差ΔE*ab为17以上。ΔE*ab＝[(ΔL*)2+(Δa*)2+(Δb*)2]1/2。
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公开(公告)号：CN114599517A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080074351.0
申请日：2020-10-22
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/32 , B32B27/30 , B32B27/20 , B32B27/08 , B32B3/08 , B32B7/12 , B32B27/18 , B32B27/22 , B32B27/36 , B32B27/28 , B32B27/40 , B32B25/00 , B32B25/08 , C08J7/04 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L21/683
Abstract: 本发明的目的在于使用切割刀切断半导体晶圆等工件与保护膜形成用膜而制造带保护膜的小片时，能够抑制产生崩边。本发明的保护膜形成用膜(1)包含填料(2)，在该膜(1)的剖面观察中，将膜的总厚度设为T时，且将自膜的一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第一区域、将自膜的另一侧的表面起至深度为0.2T为止的区域设为第二区域，在第一区域中所观察到的填料的50％累计粒径D501与在第二区域中所观察到的填料的50％累计粒径D502，满足下述条件：D501
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公开(公告)号：CN112111236A
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN202010468045.7
申请日：2020-05-28
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/24 , C09J7/25 , C09J133/08 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用复合片，其具备防污片、与形成在所述防污片的一个面上的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片的宽度的最大值为155～194mm、205～250mm、305～350mm或455～500mm，宽度为15mm的所述防污片的试验片能够伸长15％以上，且在伸长10％时的拉伸强度为4.0N/15mm以上。
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公开(公告)号：CN111613564A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010288922.2
申请日：2014-01-30
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/66 , C09J7/10 , C09J7/20 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J11/04 , C09J11/06
Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用片(2)，其具备保护膜形成膜(1)、和叠层于该保护膜形成膜的一面或两面的剥离片(21)，所述保护膜形成膜(1)的特征在于，其在波长1600nm的透光率为25％以上、在波长550nm的透光率为20％以下。根据该保护膜形成用片(2)，能够形成可实现对在工件或对该工件进行加工而得到的加工物上存在的裂纹等的检查、并且可使工件或加工物上存在的磨痕不被肉眼识别到的保护膜。
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公开(公告)号：CN111180380A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010008742.4
申请日：2014-09-03
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/304 , B32B27/00 , B23K26/57 , B23K26/53 , B23K26/18 , C08J7/04 , C08L67/02
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成膜(1)，其中，所述保护膜形成膜(1)及由保护膜形成膜(1)形成的保护膜中至少一者在测定温度0℃下测定的断裂应力(MPa)与在测定温度0℃下测定的断裂应变(单位：％)之积为1MPa·％以上且250MPa·％以下。根据所述保护膜形成膜(1)，能够在对工件进行分割加工而得到加工物时对工件进行的扩片工序中对该保护膜形成膜(1)或由保护膜形成膜(1)形成的保护膜适当地进行分割。
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公开(公告)号：CN108884244A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780018817.3
申请日：2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供可防止半导体芯片带电的保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片。所述保护膜形成用膜为能量射线固化性的保护膜形成用膜，在照射能量射线而使所述保护膜形成用膜固化时，表面电阻率为1012Ω·cm以下。所述保护膜形成用膜优选含有抗静电剂，所述抗静电剂优选为选自由阴离子表面活性剂类抗静电剂、阳离子表面活性剂类抗静电剂、非离子表面活性剂类抗静电剂、两性离子表面活性剂类抗静电剂及非离子表面活性剂类抗静电剂组成的组中的至少一种。
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公开(公告)号：CN108701641A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780013457.8
申请日：2017-02-17
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/301 , H01L21/60 , C09J7/20 , C09J201/00
CPC classification number: C09J201/00 , C09J7/20
Abstract: 本发明的保护膜形成用片在支撑片上具备保护膜形成层、且在该保护膜形成层上具备剥离膜而成，该支撑片的与具备该保护膜形成层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度为0.5μm以下，基于JIS K7125标准测得的该支撑片的上述表面和该剥离膜的与具备上述保护膜形成层的一侧相反侧的表面之间的静摩擦力为29N以下。
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