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公开(公告)号：CN118938521A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411306390.5
申请日：2024-09-19
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种带通/带阻双输出集成微波光子滤波器，包括：薄膜铌酸锂芯片，所述薄膜铌酸锂芯片包括：第一光波导；第一光耦合器；第二光波导与第三光波导；第二光耦合器；第一相移波导与第二相移波导；行波电极组；第三光耦合器；第四光波导；第一环形谐振腔；第二环形谐振腔；第五光波导；第四光耦合器；第六光波导。本发明在薄膜铌酸锂芯片上集成制作的马赫曾德尔调制器、微环谐振器、光耦合器等基础器件。本发明结构简单，通过微环谐振器、光耦合器等少量基础单元器件就可同时实现互补的带通滤波和带阻滤波。将除激光器和探测器以外的结构集成到片上，降低了系统功耗、成本和复杂度，提升了系统稳定性。
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公开(公告)号：CN118759743A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410846554.7
申请日：2024-06-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种采用带斯格明子的铌酸锂材料制备电光调制器的方法，包括：对铌酸锂材料施加高温和磁场，之后撤场降温；对铌酸锂中间体进行退火处理，得到带斯格明子的铌酸锂材料；将带斯格明子的铌酸锂材料作为材料平台通过半导体工艺制备电光调制器；本发明该方案通过高温磁涨落激发铁电材料中的斯格明子，进而影响材料的电光系数。本发明的方法可以将铌酸锂的电光系数从32pm/V提升到100pm/V以上，是目前已报道值的3倍以上。
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公开(公告)号：CN113960812B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202010705016.8
申请日：2020-07-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请提出一种集成光学相控阵及其控制方法，应用于光学相控阵领域，其中，集成光学相控阵，包括：激光器、分束器、移相器、密集波导、平板波导和弯曲光栅；激光器用于产生光源，并将光源输入分束器得到多束光；移相器用于对每一束光进行相位调制，并将相位调制后的每一束光输入密集波导；密集波导用于将相位调制后的光束耦合入平板波导内，以及平板波导用于将多束光耦合成一束后进行光偏转，并将光偏转后的光束通过所述弯曲光栅发射。由此，解决了现有光学相控阵因光栅天线对模场束缚性差而产生串扰的问题，以及现有光学相控阵光栅天线单元排列的间距无法减小到波长的二分之一而产生的尺寸较大的问题。
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公开(公告)号：CN115242310B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202210770058.9
申请日：2022-07-01
Applicant: 浙江大学
IPC: H04B10/50 , H04B10/516
Abstract: 本公开提供一种硅基调制器产生高边带抑制比单边带信号的方法及系统，基于硅基调制器的第一调制电压及第二调制电压，调制产生单边带信号，并将所述单边带信号传输至光学监测模块。基于所述光学监测模块对单边带信号抑制比进行监测，并确定所述单边带信号抑制比是否满足预设抑制比；若不满足，则基于所述光学监测模块发送调制指令至所述电信号发生模块，基于所述电信号发生模块根据所述单边带信号抑制比，继续调节所述第一调制电压或第二调制电压，直至所述单边带信号抑制比满足所述预设抑制比。本公开提供的方法及系统能够有效提高硅基调制器生成的单边带信号的质量，不需要在常规调制器之外增加额外结构即可提高单边带信号抑制比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116500722B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310748884.8
申请日：2023-06-25
Abstract: 本发明公开了一种低损耗快速切换PIN电光相移结构，该结构为对浅刻蚀波导进行二次刻蚀而形成的阶梯状波导，其中所述阶梯状波导两侧的平板区域分别进行P型掺杂和N型掺杂。在浅刻蚀波导体系下，通过再次刻蚀降低脊形波导两侧平板波导的高度，减小光模场与掺杂区域的交叠面积，在确保低损耗的情况下，可有效提升PIN器件的切换速度。解决传统PIN器件低损耗与快速切换性能无法兼得的问题。同时通过合适的尺寸设计，这种结构所支持的基模有效折射率与浅刻蚀波导几乎没有差别，可以通过普通的宽度渐变波导低损耗相连。这种低损耗快速切换PIN器件可以广泛运用于光交换、光计算、光相控阵等大规模光电子集成器件。
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公开(公告)号：CN116380244A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310264138.1
申请日：2023-03-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于交叉色散原理的中阶梯光栅光谱仪及其制备方法。光谱仪包括主色散元件、横向色散元件、面阵探测器、光纤和狭缝，主色散元件为中阶梯弯曲光栅；横向色散元件为小阶梯弯曲光栅，通过中阶梯弯曲光栅与小阶梯弯曲光栅联用实现分光和点对点消除像差成像；面阵探测器放置在出射光方向上；光纤用于发出待测光；狭缝位于光纤之后，狭缝起到孔径光阑的作用。本发明使用中阶梯弯曲光栅和小阶梯弯曲光栅相互配合进行交叉色散，无需传统结构中的准直与聚焦反射镜，结构紧凑，可实现高分辨率探测，解决了传统交叉色散中阶梯光栅结构中元件数量多、成本高昂、装配复杂的问题。
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公开(公告)号：CN115242310A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210770058.9
申请日：2022-07-01
Applicant: 浙江大学
IPC: H04B10/50 , H04B10/516
Abstract: 本公开提供一种硅基调制器产生高边带抑制比单边带信号的方法及系统，基于硅基调制器的第一调制电压及第二调制电压，调制产生单边带信号，并将所述单边带信号传输至光学监测模块。基于所述光学监测模块对单边带信号抑制比进行监测，并确定所述单边带信号抑制比是否满足预设抑制比；若不满足，则基于所述光学监测模块发送调制指令至所述电信号发生模块，基于所述电信号发生模块根据所述单边带信号抑制比，继续调节所述第一调制电压或第二调制电压，直至所述单边带信号抑制比满足所述预设抑制比。本公开提供的方法及系统能够有效提高硅基调制器生成的单边带信号的质量，不需要在常规调制器之外增加额外结构即可提高单边带信号抑制比。
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