公开(公告)号：CN113990936A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111587237.0

申请日：2021-12-23

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 盛况 ,  任娜 ,  徐弘毅 ,  王珩宇

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请公开了一种基于不同栅极结构的MOS管器件，涉及半导体技术领域，包括：第一掺杂衬底；第一掺杂结构，第一掺杂结构和第一掺杂衬底相连接；第二掺杂结构，第二掺杂结构和第一掺杂结构相连接；沟槽栅结构，沟槽栅结构分别和第一掺杂结构以及第二掺杂结构相连接；其中，沟槽栅结构包括栅极和栅介质层，栅介质层设置在栅极的底部和侧壁，栅介质层分别和第一掺杂结构以及第二掺杂结构相连接，栅极设置有对称或非对称的周期性排列结构，有益效果在于在保持元胞尺寸和元胞密度不变的前提下，显著增加沟道的面积，有效降低了器件的沟道电阻，通过不同的栅极结构，避免沟道不均流的现象，且当沟槽栅结构缩减到40nm以下时会出现FinFET效应，从而进一步降低沟道的电阻。

公开(公告)号：CN113690321A

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN202111239940.2

申请日：2021-10-25

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 盛况 ,  任娜 ,  徐弘毅 ,  江崇瑜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明提供了一种碳化硅沟槽栅MOSFET及其制造方法，包括具有第一掺杂类型的衬底，形成在衬底上具有第一掺杂类型的外延层，形成在外延层上方具有第二掺杂类型的外延阱区，形成在外延阱区内具有第一掺杂类型的第一源接触区和具有第二掺杂类型的第二源接触区，沟槽栅，源电极和楼电极，所述沟槽栅包括栅介质和栅电极，其特征在于，所述碳化硅沟槽栅MOSFET包括：包裹在沟槽栅底部的呈凹型的具有第一掺杂类型的注入型电流扩散区，其中所述注入型电流扩散区的底部不高于外延阱区的底部。合理设置注入型电流扩散区，能够限制器件的饱和电流，同时能分离电场峰值和电流位置的位置，降低发热功率，增大器件的短路能力。

公开(公告)号：CN113345965B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN202110897827.7

申请日：2021-08-05

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 任娜 ,  盛况

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明提出一种具有电场屏蔽结构的沟槽栅MOSFET器件，包含衬底、源极、漏极、栅极沟槽、电场屏蔽结构、源极区域和具有第一导电类型的半导体区域，一个或多个位于半导体区域表面下方的具有第二导电类型的电场屏蔽结构，与栅极沟槽的侧壁以一角度相交，源极区域位于栅极沟槽的两侧或周围，被电场屏蔽结构分割成多个源极子区域。本发明通过设置与栅极沟槽侧壁相交的一个或多个电场屏蔽结构，且通过合理布局电场屏蔽结构的排布方式，可以有效减小器件的元胞尺寸，提高沟道密度和器件导通电流密度，降低器件比导通电阻，提高器件导通性能，同时增强电场屏蔽效应，降低栅极氧化层中的电场强度，提高器件长期工作稳定性和可靠性。

公开(公告)号：CN113540251A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202111081863.2

申请日：2021-09-15

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 任娜 ,  盛况 ,  朱郑允

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提出一种优化排布的沟槽栅功率MOSFET器件，包括：衬底；形成于衬底上方的第一半导体区域，具有第一掺杂类型；互相孤立的沟槽隔离栅结构，形成于所述第一半导体区域上方，所述沟槽隔离栅结构包括栅氧层和栅极；形成于所述互相孤立的沟槽隔离栅结构之间的第二半导体区域和第三半导体区域；以及第一屏蔽区域，形成于第三半导体区域下方，同时连接多个互相孤立的沟槽隔离栅结构。这种结构能大幅降低沟槽栅功率MOSFET器件的元胞尺寸，提升器件的功率密度，能在提升器件通流能力的同时维持栅氧层的可靠性，获得器件性能与可靠性之间的优化与平衡。

公开(公告)号：CN103887300A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201210570375.2

申请日：2012-12-20

Applicant: 浙江大学

Inventor： 郭清 ,  任娜 ,  盛况 ,  汪涛 ,  谢刚

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/14 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L2224/32225

Abstract: 本发明实施例公开了一种IGBT模块，涉及一种具有高可靠性导热绝缘基板的功率IGBT模块。IGBT模块结构中的导热绝缘基板通过焊锡与芯片直接结合，两者的热匹配程度是影响IGBT模块的热可靠性的关键因素之一。本发明通过采用热膨胀系数较小的金属(如Mo、Cr等)作为导热绝缘基板的上敷金属材料，实现芯片Si材料与导热绝缘基板的热匹配，减小热应力，从而提高模块的可靠性。

公开(公告)号：CN118335793A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311725407.6

申请日：2023-12-14

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 王宝柱 ,  盛况 ,  任娜 ,  徐弘毅 ,  吴九鹏 ,  王珩宇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明涉及一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法，一种沟槽型MOSFET器件，包括元胞结构，元胞结构包括半导体基体；阱区设于半导体基体的上表层内；源区设于阱区的上表层内；半导体基体内设有贯穿源区和阱区的浅沟槽，以及与浅沟槽连通的深沟槽；浅沟槽具有第一底壁，深沟槽凹设于第一底壁，且深沟槽具有第二底壁。屏蔽区设于半导体基体内，屏蔽区的至少部分邻接于第二底壁；绝缘栅结构设于第一底壁上；源极设于半导体基体上，且覆盖于绝缘栅结构，并填充于浅沟槽未被绝缘栅结构填充的区域，且填充于深沟槽。该沟槽型MOSFET器件的元胞尺寸较小。

公开(公告)号：CN113113389B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202110327578.8

申请日：2021-03-26

Applicant: 浙江大学

Inventor： 郭清 ,  张茂盛 ,  任娜 ,  盛况

IPC: H01L23/60 ,  H01L25/07

Abstract: 公开了一种具有低近场辐射EMI噪声的功率模块，尤其是功率模块内部DBC结构上层铜箔布线的栅‑源极路径结构设计，其中DBC结构上层铜箔中的“L”形的栅极路径和源极路径均对称分布于功率模块长轴中心线两侧，栅极路径布局于模块外侧区域，源极路径布局于更接近模块中心的区域；单个桥臂的DBC结构上层铜箔中的栅极路径组合和源极路径组合均呈“匚”形；上桥栅极路径组合和下桥栅极路径组合对称分布于模块短轴中心线的两侧，上桥源极路径组合和下桥源极路径组合对称分布于模块短轴中心线的两侧并嵌套于栅极路径组合内部。提出的栅‑源极路径结构设计可降低功率模块的近场辐射EMI噪声。

公开(公告)号：CN116884910A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310873238.4

申请日：2023-07-14

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 任娜 ,  冉飞荣 ,  盛况 ,  徐弘毅

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种退火载盘的制备方法及退火载盘。包括载盘圆环和透光率小于待加工晶圆的载盘晶圆片，载盘晶圆片具有尺寸略大于待加工晶圆工作区域和外侧的载盘圆环区域，将载盘圆环通过粘合层与载盘圆环区域相键合后，形成退火载盘。将载盘圆环设置于工作区域的外侧，避免待加工晶圆与载盘之间的相互滑动，也降低了待加工晶圆在退火时由于气流的影响导致的滑落；同时，待加工晶圆本身具有一定的透光率，热辐射或者红外辐射的能量不能很好的吸收，导致升温速度慢，选用透光率低于待加工晶圆的载盘晶圆片，通过载盘晶圆片吸收热辐射或者红外辐射的能量，再将热量传递给待加工晶圆，从而快速、有效的达到待加工晶圆的退火温度。

公开(公告)号：CN116504842B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310773208.6

申请日：2023-06-28

Applicant: 浙江大学

Inventor： 盛况 ,  任娜 ,  徐弘毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L29/167 ,  H01L29/165 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及异质结绝缘栅场效应管及其制造方法、半导体器件。该异质结绝缘栅场效应管包括：第一材料结构；第二材料结构，与第一材料结构堆叠构成半导体结构，第二材料结构的碳含量小于第一材料结构的碳含量；栅极，沿堆叠的方向贯穿第二材料结构；以及氧化层，位于栅极与半导体结构之间，包括：对应第一材料结构的第一氧化部和对应第二材料结构的第二氧化部。该异质结绝缘栅场效应管可以实现较高的沟道迁移率，并且保证了异质结材料间的能带差没有明显影响器件整体的导通电压。

公开(公告)号：CN114818387B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202210696369.5

申请日：2022-06-20

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 王启隆 ,  陈向荣 ,  黄小凡 ,  张添胤 ,  任娜

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明提供了一种非线性电导材料的性能评价方法，包括：S1）以非线性电导材料的电气性能、热性能与机械性能为性能评价指标，利用AHP法得到性能评价指标的权重；S2）采用TOPSIS模型，将非线性电导材料的电气性能、热性能与机械性能的测量数据进行正向归一化处理，并结合性能评价指标的权重得到非线性电导材料与最优解及最劣解的距离，进行综合距离评分，得到综合性能评价结果。与现有技术相比，本发明提供的方法在同时考虑了电、热、机械特性的情况下对添加不同掺杂质量分数填料的非线性电导材料进行了综合评价，从而使评价结果更符合工程实际的需要，对非线性电导封装材料中掺杂质量分数的优化设计具有一定的指导意义。