一种微孔定排的泡沫材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107400254B

    公开(公告)日:2020-05-26

    申请号:CN201710563999.4

    申请日:2017-07-12

    Abstract: 本发明提供的一种微孔定排的泡沫材料的制备方法,是一种微孔定排的叠层泡沫材料的制备方法,该方法是:先将0.20~1.50mm厚的聚合物薄片堆叠,再将堆叠的聚合物薄片在160~220℃和1~15MPa的热压环境中熔融热压,制得聚合物基叠层材料,然后将该聚合物基叠层材料进行超临界流体发泡,得到所述泡沫材料,该泡沫材料为泡孔定向连续排布的聚合物基微孔泡沫材料。本发明采用超临界二氧化碳发泡技术制备了泡孔定向连续排布的聚合物基微孔泡沫材料,该种具有各向异性结构的功能材料,在安全防护,隔音隔热,缓冲减震等领域具有特殊的应用价值。

    一种Ta/Mo双层膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN110172676A

    公开(公告)日:2019-08-27

    申请号:CN201910301113.8

    申请日:2019-04-15

    Abstract: 本发明公开了一种Ta/Mo双层膜的制备方法,包括如下步骤:1)采用磁控溅射技术,分别安装Ta对靶和Mo对靶;2)抽真空并并对基体进行加热;3)预热3)通入保护气体,并调节沉积气压;4)依次打开Ta靶和Mo靶电源,并调节溅射功率,依次在基底表面沉积Ta膜和Mo膜;5)关闭电源自然冷却至室温,得Ta/Mo双层膜。本发明涉及的制备工艺简单、操作方便,制备的涂层环境友好、硬度高,具有很好的应用前景。

    一种聚合物基密度梯度泡沫材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107283709B

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201710533332.X

    申请日:2017-07-03

    Abstract: 本发明是一种聚合物基密度梯度泡沫材料的制备方法,具体是:先将微米金属粒子与聚合物的混合体系经高温密炼混合,得到不同密度复合材料熔融物;后分别上述熔融物在高温下熔融热压,得到密度梯度复合材料;最后将此密度梯度复合材料经超临界二氧化碳发泡得到聚合物基密度梯度泡沫材料。本发明采用叠层热压工艺结合超临界二氧化碳发泡技术制备聚合物基密度梯度泡沫材料,该材料的密度范围可在0.2~1.96g/cm3范围内可调,且试样的密度在不同位置处呈现梯度变化;该材料的直径在微米量级,具有良好的尺寸稳定性、结构可控性和较高的力学强度,在缓冲包装、冲击防护、航空航天、交通运输、建筑节能等领域具有广泛的应用前景。

    一种微孔定排的泡沫材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107400254A

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201710563999.4

    申请日:2017-07-12

    Abstract: 本发明提供的一种微孔定排的泡沫材料的制备方法,是一种微孔定排的叠层泡沫材料的制备方法,该方法是:先将0.20~1.50mm厚的聚合物薄片堆叠,再将堆叠的聚合物薄片在160~220℃和1~15MPa的热压环境中熔融热压,制得聚合物基叠层材料,然后将该聚合物基叠层材料进行超临界流体发泡,得到所述泡沫材料,该泡沫材料为泡孔定向连续排布的聚合物基微孔泡沫材料。本发明采用超临界二氧化碳发泡技术制备了泡孔定向连续排布的聚合物基微孔泡沫材料,该种具有各向异性结构的功能材料,在安全防护,隔音隔热,缓冲减震等领域具有特殊的应用价值。

    一种组分可控的硼碳氮薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN104846333B

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201510195661.9

    申请日:2015-04-22

    Abstract: 本发明公开了一种利用物理气相沉积方法控制硼碳氮薄膜成分以及化学计量比的硼碳氮薄膜的制备方法。本发明在传统脉冲激光沉积的基础上,通过使用石墨‑硼二元拼合靶材在氨气气氛下制备组成与化学计量比均可控的硼碳氮薄膜,克服了传统制备技术中由于靶材成分限制难以在较大范围内控制硼碳氮薄膜组成的不足,通过设计二元靶材、控制靶基距、沉积温度、沉积气氛等沉积条件,得到一种可以在大范围内连续控制材料组成的硼碳氮薄膜制备方法。

    一种高致密锆钛酸钡钙无铅铁电陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN106278257A

    公开(公告)日:2017-01-04

    申请号:CN201610620931.0

    申请日:2016-08-01

    Abstract: 本发明提供的高致密锆钛酸钡钙无铅铁电陶瓷的制备方法,具体是:先将装有锆钛酸钡钙(BCZT)粉体的石墨模具放入等离子活化烧结设备中,通入氩气气氛,然后进行等离子活化30s,按照升温速率50~150℃/min,烧结温度1200~1300℃,保温时间为3~7min,施加压力30~50MPa下进行烧结致密化,得到BCZT烧结体;最后将烧结体置于马弗炉内,在空气气氛中进行退火处理,得到BCZT无铅铁电陶瓷。本发明方法制备的BCZT铁电陶瓷具有单一的钙钛矿结构,其化学组成为Ba0.85Ca0.15Zr0.10Ti0.90O3,直径为10~30mm,厚度为1~4mm,而且晶粒发育良好、结构致密(密度大于5.64g/cm3)、铁电性能良好(最大铁电剩余极化强度>20μC/cm2)。

    一种以氟化铵为添加剂的氮化铝陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN105837224A

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201610374803.2

    申请日:2016-05-31

    Abstract: 本发明公开的氮化铝陶瓷的制备方法,是一种以氟化铵为添加剂的氮化铝陶瓷的制备方法,具体是:将氟化铵粉体和氮化铝粉体按质量配比(0.24~0.36):1分别称量,然后在刚玉研钵中充分研磨均匀,得到混合粉料;将制得的混合粉料装入模具中,再将模具置于等离子活化烧结炉中,在烧结温度1600~1800℃、保温时间3~5min、烧结压力30~40MPa和氮气气氛下进行致密化,最后得到氮化铝陶瓷。本发明采用氟化铵作为添加剂,克服了现有氧化物添加剂在氮化铝陶瓷烧结过程中引入新杂质的技术难题,在烧结过程中可有效减少AlON等杂相的生成,而又不引入其它杂质,同时也能促进陶瓷致密化,因而能够获得具有较高纯度和高致密度的氮化铝陶瓷。

    一种高性能钨铜复合材料的低温制备方法

    公开(公告)号:CN103589884B

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201310602223.0

    申请日:2013-11-25

    Abstract: 本发明提供一种高性能钨铜复合材料的低温制备方法,该方法是:根据所需制备的钨铜复合材料的钨铜组分比例称量对应质量的铜包覆钨复合粉体和铜粉进行混料得到混合粉体,或直接用对应组分的铜包覆钨粉为烧结原料,将混合粉体或对应组分的铜包覆钨复合粉体装入模具中进行低温热压烧结即得到高性能的钨铜复合材料。本发明工艺简单、可靠,流程短,生产成本低、效率高;所制备出的钨铜复合材料钨含量分布宽、致密度高、具有铜网络结构、组分和结构均一、钨铜界面润湿性得到改善,并且具有优异的热、电、力学性能,因此在电子封装、电触头、电极加工材料等领域具有广泛的应用前景。

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